PNN—PT弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能

研究了０．７５ＰＮＮ－０．２５ＰＴ弛豫铁电陶瓷钙钛矿结构的形成及其介电性能，结果表明，通过添加过量镍可以有效抑制焦绿石相的生成，获得单相钙钛矿结构，从而获得优异的介电性能。     

C6M—C38 COMMANDER 6 调制器（3）

（上接第１０期）附录Ａ技术指标Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ６调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围０．５～２．０ＶＰ－Ｐ,用于８７．５％调制度编码视频输入电平１．０ＶＰ－Ｐ,额定８７．５％调制度视频输入阻抗７５Ω标称视频输入回传损耗３０ｄＢ最小Ｒ系数２Ｔ脉冲　３％最大Ｓ／Ｎ比率６０ｄＢ最小频率响应±０．７５ｄＢ最大→５．０ＭＨｚ微分增益±０．３５ｄＢ在８７．５％调制度微分相位３％Ｐ－Ｐ最大斜率／线路时间失真１．０％最大　　音频标准输入电平范围－１０～＋１０ｄＢｍ输入阻抗６００Ω平衡频率响应±１．０ｄＢ…     

全新冷却方式双椭圆泵浦腔的实验研究

报导一种全新冷却方式的双椭圆泵浦腔，具有较高的泵浦效率和光学均匀性。１．０６μｍ调Ｑ脉冲输出能量总转换效率η＞０．７５％     

级联光纤放大器多通道传输系统的性能

研究了光纤放大器噪声和光纤四波混频（ＦＷＭ）对级联光纤放大器的多通道传输系统性能的影响，对传输速率为１Ｇｂ／ｓ和信道问题隔为１０ＧＨｚ的２０路ＦＳＫ直接检测和外差检测的系统，当信号在常规光纤中传输１０００ｋｍ后，中间信道的最小功率代价分别为０．９和０．３８ｄＢ。对于色散位移光纤，最小功率代价分别为１．７５和０．７ｄＢ。     

导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应

利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．     

C r^4＋：YAG被动Q开关的Nd：YAG激光器

本文以Ｃｒ＾４＋：ＹＡＧ作可饱和吸收材料，研究了高效率的灯泵单脉冲被动Ｑ开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光，单脉冲Ｑ开关的输出为５０－７０ｍＪ，Ｑ开关效率为４６％－５２％，总效率为０．７５％－０．９７％，脉冲宽度（ＦＷＨＭ）为７－９ｎｓ。     

用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT

设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响。在器件工艺实验方面，提出将ＫｒＦ准分子激光无铬移相光刻应用于栅图形加工，设计，组装了一套实验系统，可重复可靠地得到剖面陡直的０．３－０．３５μｍ胶阴线条，这一工艺技术完全与现有器件工艺     

两例降压变换电路

现在对电气和电子产品的要求是更轻、更 小,使用较少的功率以及较低的成本。由于这些要求,制造厂正越来越转向把小型高频率直流－直流变换器用作电源。利用ＴＩ公司的ＴＬ５００１脉冲宽度调制（ＰＷＭ）控制集成电路,再配合少量外部元件即可实现工作频率高达４００ｋＨｚ的变换器。５Ｖ至 ３．３Ｖ、０．７５Ａ降压变换电路 图１所示的直流／直流变换电路工作于２００ＫＨｚ、连续方式、固定频率ＰＷＭ降压模式,输入电压范围４．７５Ｖ至５．２５Ｖ,输出电压为３．３Ｖ,输出电流为０至０．７５Ａ,输出纹波电压小于 ５０ｍＶ,稳定度…     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

宽带声光布喇格器件研究

报道了采用光学铌酸锂晶体作声光介质，氧化锌压电薄膜相位阵列换能器制作的高频宽带声光布喇格器件。达到的主要结果是：中心频率２．２５ＧＨｚ，瞬时带宽０．７５ＧＨｚ，频率分辨率８ＭＨｚ，工作激光波长６３２．８ｎｍ。     

DY—5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型微米电子束曝光机的主要技术性能；最细特征线宽０．４μｍ，图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ＾２和２×２ｍｍ＾２；最高扫描速度１ＭＨｚ，可加工１００×１００ｍｍ＾２掩模版或Х７５硅圆片，给出了部分曝光试验结果。     

LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。     

LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为Φ７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８－１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ。在没有增透膜时，对１．３μｍ注放光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０－１．７０μｍ。     

机械振动的计算机仿真

本文主要论述了利用有限元方法，于设计的初期阶段，在计算机上进行机械振动的动态仿真，以减少产品试制费用和缩短产品研制周期；并采用ＳＡＰ９．０软件给出了设计实例。     

一种拓宽信号周期测量范围的方法

本文介绍一种利用单片机８０９３高速输入口测量信号周期的方法。它仅通过对软件设计的改进，拓宽了被测信号的下限频率。该软件已多次在智能仪表开发中得到了应用。结果表明，被测信号的下限顿率从３０Ｈｚ拓宽到２．４×１０－３Ｈｚ，在２．４×１０－３ｋＨｚ频率范围内，周期Ｔ的相对误差≤０．１％。具有硬件接口简单，测量精度高等优点。     

红外窗口和整流罩材料的新领域（上）

化学汽相淀积的具有光学品质的金刚石，除了具有合成金刚石的低强度特性之外，其光学特性，热特性以及机械特性均与天然的Ⅱａ型金刚石相似，现已生产出直径达６０ｍ，厚度为０．７５ｍｍ的透明窗口，并用一种可将表面粗糙度减小到１μｍ的激光加工方法在外表面上生长和加工了直径为６０～７５ｍｍ，厚度为１ｍｍ的整流罩。金刚石窗口和整流罩面临的主要难题是：（１）增加机械强度；（２）提高生长速率，（３）提高抛光效率。论证了     

SnO2压敏电阻的研究

研究了Ｃｏ２Ｏ３的含量对ＳｎＯ２．Ｃｏ２Ｏ３．Ｔａ２Ｏ５系列压敏电阻性能的影响。实验发现，在温度为１３５０℃下烧成的９９．２％ＳｎＯ２＋０．７５％Ｃｏ２Ｏ３＋０．０５％Ｔａ２ｏ５材料具有最大的击穿电压。应用晶界缺陷模型解释了ＳｎＯ２．Ｃｏ２Ｏ３．Ｔａ２Ｏ５压敏电阻产生肖特基势垒的原因。按照这一模型，Ｃｏ在肖特基势垒的的形成中起到一个关键作用。     

用单片机设计发音电路

本文介绍使用ＡＴ８９Ｃ２０５１制作的一种发音电路，各种声音通过编程实现，灵活方便。原理图如图１所示。图１　发音电路原理该电路利用方波谐波成份丰富的特点，编程采用计时器延迟法发音，即每个音的半周期计时中断一次，而使输出Ｐ１．０（或其他Ｉ／Ｏ口）反相，重复执行产生某种频率的信号。例如：中音ＤＯ的频率为５２３Ｈｚ，其周期为１９１２μｓ，半周期为９５６μｓ，若初始Ｐ１．０＝１，经９５６μｓ后应使Ｐ１．０＝０，再经９５６μｓ恢复Ｐ１．０＝１，这样就可发出中音ＤＯ。若选择振荡频率为１２Ｈｚ，则机器周期为１μ…     

离子／电子混合导体Cu_xMo_6S_（8－y）的性能研究

本文通过对工艺条件的控制，获得了铜系混合导体材料Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ７、７、Ｃｕ２Ｍｏ６Ｓ８．０及Ｃｕ４Ｍｏ６Ｓ８．０．ｘ射线衍射物相分析表明为Ｍｏ６Ｓ８结构的单相，并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析，通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σｉ·当混合导体Ｃｕ２Ｍ０６Ｓ７、７与固体电解质Ｒｂ４Ｃｕ１６Ｉ７Ｃｌ１３复合后可改善其电化学性能，复合比为２：１时，总电导率σ和离子电导率σｉ可达７５（Ω·ｃｍ）－１和７×ｌ０－２（Ω·ｃｍ）－１。     

变频式空调器用新型智能功率模块

本文主要介绍一种新型智能功率模块的功能及应用,该模块采用了ＩＣ驱动和保护技术、低饱和压降ＩＧＢＴ芯片及新的封装技术,能满足０．７５￣５．０ｋＷ的电机驱动要求,特别适用于变频式空调器的逆变系统,也适用地低成本,小型化的消费类以及工业类电机控制。