一个超低通开关电容滤波器的设计

介绍了转折频率为３５Ｈｚ的超低通开关电容滤波器单元的设计。滤波器的时钟频率为８ｋＨｚ，最大电容比为５１，单位电容为０．２ｐＦ，采用３μｍＣＭＯＳ ＳＭＤＰ工艺实现。该电路对小信号有较好的信噪比。     

128×1元GaAs／AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像

研制成功了１２８×１元ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱扫描型红外焦平面（ＦＰＡｓ），器件的响应率达到ＲＰ＝２．０２×１０＾６Ｖ／Ｗ，截止波长为λ＝８．６μｍ，根据常规的黑体探测率定义，得到器件的黑体探测率为Ｄｂ＝２．３７×１０＾６ｃｍ．Ｈｚ／Ｗ，并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。     

半导体和IC

廉价仪器放大器ＡｎａｌｏｇＤｅｖｉｃｅｓ公司的ＡＤ６２２是一种廉价高性能仪器放大器，其共模抑制（Ｇ＝１０）大于８６ｄＢ，增益误差（Ｇ＝１）小于０．１５％（一般为０．０５％）。同电压噪声、漂移和功耗都依赖细心选择元器件的三运放仪器放大器设计相比，ＡＤ６２２在１ｋＨｚ时只有１２ｎＶ／Ｈｚ，并在电压电源凋为±２．６Ｖ和１８Ｖ之间时，供电电流只需０．９ｍＡ。在增益调为１～１００时，稳定到满１０Ｖ档０．１％以内的时间为１０μｓ，典型的转换率为１．２Ｖ／μｓ。在整个增益范围内，非线性度只有１０ｐｐｍ，增益与…     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

在音频电路中减小Vcc微波

图１所示电路可以降低至少超出音频波段（１００Ｈｚ到２０ＫＨｚ）３５ｄＢ的噪声和微波。该音频电路采用标准５Ｖ电源供电。大多数线性稳压器只能抑制大约１００Ｈｚ的噪声,并且在便携机方面使用大体积的无源低通滤波器很不方便。图１整个电路的布局很小,其中包括一个ＳＯＴ－２３的晶体管ＦＭＭＴ６１９ＣＴ,一个紧缩型的ＳＯ－８运算放大器ＴＬＣ４５０１ＣＤ和一些无源器件,最大电容是１０μＦ,电阻选用０．１Ｗ功率的。所以在便携式产品,例如蜂窝电话和多媒体笔记本电脑等方面应用很方便。 如图所示的电路可以接受Ｖｃｃ在４．…     

毫米波射电望远镜准光学馈源系统及低噪声接收技术的研究

本文叙述了我国１３．７米毫米波射电望远镜准光学馈源系统及低噪声致冷接收技术。在２．６ｍｍ波段研制了具有多种功能的准光学馈源系统，插入损耗小于０．５ｄＢ；研制了宽带低噪声致冷接收机前端，在８０￣１１５ＧＨｚ的频率范围内，带内最小噪声温度达到ＴＲ（ＤＳＢ）ｍｉｎ＝１３０Ｋ。该毫米波望远镜已观测到了Ｏ３，Ｃ＾１２Ｏ（Ｊ＝１－Ｏ），Ｃ＾１３Ｏ（Ｊ＝１－０）多条分子谱线。     

新颖彩灯控制器

本文介绍的这种彩灯控制器,具有动感性能,非常有趣。由于采用集成电路制作,工作稳定可靠,制作容易,具有实用价值,可用于广告灯箱。电路工作原理该彩灯控制器线路如图１所示。ＩＣ１、ＩＣ２是一片双Ｄ触发器,其中ＩＣ１与Ｒ１、Ｒ２,Ｃ１、Ｃ２等构成一自激多谐振荡器。按图中数值,振荡频率约为２Ｈｚ。ＩＣ２接成双稳态电路。ＩＣ３是一片单时钟可预置４位二进制可逆计数器。加法计数或减法计数时,时钟脉冲ＣＰ（上升沿有效）均从时钟输入端ＣＬ输入。Ｕ／Ｄ是加、减控制端,当Ｕ／Ｄ＝１时,电路执行加法计数;当Ｕ／Ｄ＝０时,…     

用于SDH系统的STM-64级别(10GHz)的时钟恢复电路

本文叙述基于０．１８μｍＣＭＯＳ工艺的１０ＧＨｚ时钟恢复电路的核心电路采用了辅以ＰＬＬ的注入同步窄带环形压控振荡器（ＩＳＮＲ－ＶＣＯ,ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ－ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚｅｄ ｎａｒｒｏｗｂａｎｄ ｒｉｎｇ－ＶＣＯ）。模拟结果表明,该电路能够工作在１０ＧＨｚ频率上,注人信号峰值０．４２Ｖ时,同步范围可以达到３６０ＭＨｚ。     

音响测试器

４６４．音响测试器测试一种音频的简单装置，通常是使用ＴＴＬ电路或ＣＭＯＳ电路。这里，以ＩＣ＿１ａ为基础的振荡器能产生５００Ｈｚ～１．５ｋＨｚ范围内的由Ｐ＿１预置的一个频率，信号被使用之前由ＩＣ＿１ｂ进行缓冲。开关Ｓ＿２用于使信号与被测试设备相匹配。若...     

采用DDS技术的多普勒频率模拟器

介绍了一种采用直接数字合成（ＤＯＳ）技术的雷达目标多普勒频率模拟器。通过数字控制，该模拟器可以在中频上相参地产生分辨率为０．０１２Ｈｚ的多普勒频率信号（ｆｄ＝０￣５５ｋＨｚ）。该模拟器采用±５Ｖ电源，功耗仅３．５Ｗ。     

快速宽带直接频率合成器

介绍一种实现快速宽带直接频率合成的方法,给出相应的曲线,达到的主要技术指标为：带宽 ０．５～１８ＧＨｚ,相位噪声≤-１００ｄＢｃ／Ｈｚ＠１ｋＨｚ,频率捷变时间≤１μｓ。     

低功耗的频率合成集成块

低功耗的频率合成集成块日电公司推出的μＰＣ３．４０ＧＳ型双锁相环路（ＰＬＬ）频率合成器ＩＣ，工作电压为１．８Ｖ，应用于无绳电话、功耗特低的收音机和小型无线电装置可延长工作时间。此电路应用特殊的ＤＣ－１ＢｉＣＭＯＳ处理器电路技术，发射极宽仅０．８μｍ，...     

12GHz GaAs单片混频器

分析研究了一种新型１２ＧＨｚＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ单片混频器，这种混频器采用级联ＦＥＴ作为混频元件。射频（ＲＦ）和本振（ＬＯ）信号分别通过各自的匹配网络进入混频电路，在中频输出端用中频缓冲放大器代替通常的中频匹配电路。电路在厚０．２ｍｍ，面积１．５ｍｍ×１．２ｍｍ的ＧａＡｓ基片上实现。设计的ＭＭＩＣ混频器在本振１１ＧＨｚ，射频１１．７～１２．２ＧＨＺ频率范围内的最大变频增益１．８ｄＢ。这一结果使进一步研究单片微波接收机成为可能。     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。     

C波段3瓦T形电极硅双极晶体管

本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．     

具有多普勒频移校正功能的DQPSK调制解调器

本文介绍了一种适合于卫星移动通信的具有多普勒频移校正功能的ＤＱＰＳＫ调制解调器及其ＤＳＰ实现，给出了多普勒频移校正方法，提出了在大多普勒频移情况下的跟踪滤波器方法。实验测试表明，该调制解调器实现恶化小于１ｄＢ（输出误比特率Ｐｂ＝１×１０－４时，对应的Ｅｂ／ｎ０＝１１．６ｄＢ）。多普勒频移在－Ｒｓ／２～Ｒｓ／２内变化时，对Ｐｂ没有影响。多普勒频移速率可达１００Ｈｚ／ｓ，这里Ｒｓ是已调信号的符号速率。     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...     

砷注入碲镉汞P—on—N结的电流电压特性

最近,选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底,成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区,砷掺杂由砷离子注入加上退火扩散形成。对ＰｏｎＮ 二极管的电流电压关系温度特性的研究表明：直到１４０Ｋ,长波（λｃ ＝ ９ ．１μｍ）ＰｏｎＮ 结的暗电流以扩散电流为主。制备了从中波到长波各个波段的碲镉汞ＰｏｎＮ 结构红外探测器。目前,对于λｃ ＝ ５ ．２μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到６８Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达２ ×１０１０ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ;对于λｃ ＝ １４ ．５μｍ 的器件,Ｒ０ Ａ 值达到０－２Ωｃｍ２ ,黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达１ ×１０９ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ。