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| LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管 | |
| 引用本文： | 刘宝林等,杨树人.LP—MOCVD制作InCaAs／InP PIN发电二极管[J].半导体光电,1995,16(4):348-351. |
| 作者姓名： | 刘宝林等 杨树人 |
| 摘 要： | 采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为Φ７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８－１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ。在没有增透膜时，对１．３μｍ注放光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０－１．７０μｍ。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 半导体工艺 光电二极管 |
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