a—SiN：：H的退火自理及其对a—Si：HTFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响，实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－ＳｉＮ：Ｈ ＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性变坏。     

氩离子轰击对射频溅射法制备的a—SiC：H膜退火形成6H—SiC的影响

本对射频溅射法沉积的ａ－ＳｉＣ：Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程。在较高的射频功率下沉积的ａ－ＳｉＣ：Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退火后转变为６Ｈ－ＳｉＣ相，该温度低于在低功率下制备的ａ－ＳｉＣ：Ｈ形成６Ｈ－ＳｉＣ（１０００℃）。高功率可导致６Ｈ－ＳｉＣ形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失，同时高能量的氩离子轰击     

a－SiN∶H的退火处理及其对a－Si∶H TFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响．实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理使ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性变坏．     

a——Si：H CCD的转移特性分析

本文从ａ－Ｓｉ：Ｈ的材料特性出发，采用更为精确的ａ－Ｓｉ：Ｈ带隙态分布模型计算了ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性，得出了ａ－Ｓｉ：Ｈ材料参数对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的动态性影响的数值分析结果，理论结果表明，ａ－Ｓｉ：Ｈ材料带隙中局域态分布对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ的转移特性有非常大的影响，而且在高频下，ａ－Ｓｉ：Ｈ中的带尾态对ａ－Ｓｉ：ＨＣＣＤ转移特性的影响比深局域态要大。     

a-SiOx:H/a-SiOy:H多层薄膜微结构的退火行为

采用ＰＥＣＶＤ技术在Ｐ型硅衬底上制备了ａ－ＳｉＯｘ：Ｈ／ａ－ＳｉＯｙ：Ｈ多层薄膜,利用ＡＥＳ和ＴＥＭ技术研究了这种薄膜微结构的退火行为,结果表明：ａ－ＳｉＯｘＬ：Ｈ／ａ－ＳｉＯｙ：Ｈ多层薄膜经退火处理形成ｎｃ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多层量子点复合膜,膜层具有清晰完整的结构界面,纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构,颗粒大小随退火温度升高而增大小随退火温度升高而增大,在一定的实验条件下,样品在６５０℃下退火可形成尺寸大     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

a—Si：H TFT有源矩阵制造技术的研究

对ａ：Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ｔａ２Ｏ５／ａ－ＳｉＮｘ双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ来降低背光源对器件特性的影响，研制的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。     

a—SiGex：H薄膜准分子激光晶化的研究

用ＫｒＦ准分子激光、ＸｅＣｌ准分子激光在不同条件下对Ｇｅ含量不同的四种ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ样品进行退火，只要激光退火能量密度合适，Ｇｅ含量不同的ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ薄膜都可以被多晶化；随着Ｇｅ含量的增加，激光晶化阈值能量密度降低，耐退火民降低；在相同的激光晶化能量密度下，Ｇｅ的含量越高的薄膜，激光晶化的效果越好，晶粒尺寸长得越大。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

使用ECR苯等离子体沉积含氢非晶碳薄膜

用苯作工作气体。在一个电子回旋共振（ＥＣＲ）微波等离子体化学气相沉积系统中制备了含氢非晶碳膜（ａ－Ｃ：Ｈ）．对苯等离子体作了质谱分析,发现苯分解后形成的主要基团是Ｃ２Ｈ４等,而不是常规甲烷放电的ＣＨ３。这将影响膜的结构。实验中还考察了沉积参数,如功率、气压、流量、基片温度对膜的沉积速率的影响。实验表明：沉积速率随微波功率、气压和流量的增加而上升;随温度的升高先升后降,存在极值,对制备的膜作了氢含量     

等离子刻蚀a-Si:H/a-C:H超晶格

本文介绍了 C_yF_(14)+ O_2等离子刻蚀 a=Si:H/a-C:H 超晶格的工艺原理及方法,简便可行.     

a—SiNx：H薄膜对a—Si：H TFT阈值电压的影响

介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiN_x:H Film

ＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅｏｆＴｈｒｅｓｈｏｌｄＶｏｌｔａｇｅｏｆａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴｏｎａ－ＳｉＮｘ：ＨＦｉｌｍ①ＸＩＯＮＧＺｈｉｂｉｎ，ＷＡＮＧＣｈａｎｇ’ａｎ，ＸＵＺｈｏｎｇｙａｎｇ，ＺＯＵＸｕｅｍｅｉ，ＺＨＡＯＢｏｆａｎｇ，ＤＡＩＹｏｎｇｂｉｎｇ，Ｗ...     

Dependence of Threshold Voltage of a-Si:H TFT on a-SiNx:H Film^①

The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiNx:H)films is investigated.It is observed that the threshold voltage,Vth,of a-Si:HTFT increases with the increase of the thickness of a-SiNx:H film,and the threshold voltage is reduced apparently with the increase of NH3/SiH4 gas flow rate ratio.     

瞬态电荷收集法研究a—Si：H／a—SiN：H界面处的电子积累＊

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10~(11)/cm~2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。     

塑料基底a-Si∶H TFT制备技术

采用PECVD工艺,在300℃下在50μm厚的Kapton E高分子塑料片上制备了底栅结构a-Si∶H TFT阵列(20×20)。用傅里叶变换红外光谱仪表征了a-Si∶H薄膜的结构,用二探针法和四探针法分别表征了a-Si∶H薄膜和n+a-Si∶H薄膜的电导率。a-Si∶H薄膜中的H(原子数分数)约为15.6%,H主要以Si H和Si H2基团的形式存在,其电导率为8.2×10-7~8.8×10-6S/cm;n+a-Si∶H薄膜的电导率为3.8×10-3S/cm。所制备的TFT具有以下性能:Ioff≈1×10-14A,Ion≈1×10-9A,Ion/Ioff≈105,Vth≈5V,μ≈0.113cm2/(V.s),S≈2.5V/dec,满足TFT-LCD等平板显示器件的开关寻址电路要求。     

H2稀释比对RF-PECVD制备a-Si:H/nc-Si:H薄膜的光电特性的影响

研究了H2稀释比对a-Si：H/nc-Si：H薄膜光电特性及微结构的影响。采用RF-PECVD法,以高纯SiH4及H2/SiH4混合气体为反应气源交替反应制备样品,并通过紫外-可见光分光光度计、椭偏仪及Keithley 4200、XRD对样品进行分析测试。实验表明：在纳米级厚度的a-Si：H薄膜基础上,随着第二反应气H2/SiH4混合气中H2比率(99%、97%、95%、92%、80%)的升高,沉积速率持续下降,薄膜消光系数、禁带宽度以及电导率呈现先增大后减小的趋势。针对实验现象,结合薄膜生长机理对实验结果原因进行了分析。     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.