共查询到16条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件.实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白光器件,获得了低压、高效有机叠层白光器件.叠层器件性能与单发光单元的器件相比较.其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了17cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.3倍.同时由于在叠层结构中引入了高导电性的载流子传输层,有效降低了器件的驱动电压,显著改善了白光器件的流明效率.叠层器件的流明效率相对于单发光单元器件提高了53%. 相似文献
2.
以Bphen:Li/WO3作为电荷产生层制备了低压、高效有机叠层白光器件. 实验中,首先在器件中引入高导电性的载流子注入和传输层,有效降低了器件的驱动电压,然后通过电荷产生层垂直堆叠两个低压白光器件,获得了低压、高效有机叠层白光器件. 叠层器件性能与单发光单元的器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了17cd/A,在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.3倍,同时由于在叠层结构中引入了高导电性的载流子传输层,有效降低了器件的驱动电压,显著改善了白光器件的流明效率.叠层器件的流明效率相对于单发光单元器件提高了53%. 相似文献
3.
以新型含氟三联芴(TPFF)作发光层,获得了深蓝色叠层有机电致发光器件.器件的电荷产生层由Li掺杂的电子注入层和高透明的WO3组成.研究发现叠层器件性能与单发光单元器件相比较,其亮度及效率均有大幅提高,叠层器件的最大电流效率达到了2.08 cd/A,器件的CIE色坐标为(0.156,0.078),在相同的电流密度下,叠层器件的效率约为传统器件的2.1倍,同时叠层结构也显著改善了器件的流明效率,在高亮度的情况下,叠层器件的流明效率显著高于传统器件.可见,采用叠层结构是制备高亮度高效率的深蓝色有机发光器件的一种有效方法. 相似文献
4.
采用C60/pentanece作为非掺杂电荷产生层,并在其两边各插入Al和MoOs薄层作为C60和pentanece的电子注入层和空穴注入层,在此基础上制备了结构为ITO/NPB/mCP∶8wt%Ir (ppy) 3/TPBi/Al/C60/pentanece/MoOs/NPB/mCP∶8wt%Ir (ppy) 3/TPBi/Cs2CO3/Al的双发光单元叠层绿色磷光有机发光器件(OLED).实验表明,增加Al和MoO3电荷注入层,可有效改善有机电荷产生层的电荷注入能力,提高叠层OLED器件的发光亮度和电流效率.叠层器件的启亮电压明显低于单个器件的1/2,但电流效率是单层器件的两倍以上.当Al/C60/pentanece/MoO3的厚度分别是3、15、25和1 nm时,叠层OLED器件具有最佳的光电性能,其最大亮度和最大电流效率分别是7 920.0 cd/m2和16.4 cd/A. 相似文献
5.
采用结构为LiF/Al/F4-TCNQ/NPB的电荷产生层,制备出了双发光单元叠层有机电致发光器件(OLED:Organic Light Emitting Device)。通过对比实验发现当F4-TCNQ层的厚度为8nm、Al层的厚度为5nm时,电荷产生层产生电荷的能力较强且具有良好的透光率。基于此,本文制备了发光层为CBP:6%Ir(ppy)3的叠层OLED,通过与单发光单元OLED的性能比较发现:采用LiF/Al/F4-TCNQ/NPB作为电荷产生层制备的叠层OLED的最大电流效率与功率效率分别为51.6cd/A、28.4lm/W,为单发光单元OLED的2.16倍、1.8倍,此外采用这种结构的电荷产生层有效解决了叠层OLED由于工作电压高而导致功率效率并未得到提升的问题;另一方面,采用有机材料F4-TCNQ代替传统无机金属氧化物作为电荷产生层中的电荷产生部分,能够避免无机金属氧化物高温升华对Al层薄膜的破坏,提升了器件的效率并且降低了器件的roll-off现象。 相似文献
6.
7.
研究了以NPB为空穴传输层、Alq3为发光层的双层异质结有机电致发光器件的薄膜厚度对器件性能的影响.制备了一系列具有不同NPB和Alq3厚度的器件并测试了其电致发光特性.结果表明,器件电流随Alq3与NPB厚度变化的关系并不相同.不同有机层厚度双层器件的电流机制符合陷阱电荷限制(TCL)理论,随外加电压的增大,器件电流经历了欧姆电导区、TCL电流区、陷阱电荷限制-空间电荷限制(TCL-SCL)过渡区三个区域的变化.当有机层厚度匹配为NPB(20nm)/Alq3(50nm)时可以获得性能优良的器件.器件的流明效率-电压关系曲线的变化规律是在低电压区较快达到最大值,然后随电压的增加逐渐降低. 相似文献
8.
9.
Nb2O5空穴注入层的引入对OLEDs性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在有机发光二极管典型的层状结构中,引入磁控溅射制备Nb2O5超薄膜作空穴注入层,制备了结构为ITO/Nb2O5/TPD/Alq3/A1的器件.Nb2O5层的引入,降低了空穴注入势垒,增强了空穴注入,同时有效阻挡了ITo中ln向有机层的扩散,减少了发光猝灭中心的形成,提高了器件的亮度和效率.研究了不同厚度Nb2 O5层对器件光电性能的影响,发现:当引入Nb2O5层厚度为2 nm时,亮度提高了近2倍,效率由3.5 cd/A增加到了7.8 cd/A,较好地改善了器件的性能,并且性能优于含有CuPc常规注入层的器件. 相似文献
10.
11.
By utilizing a two-step process to express the charge generation and separation mechanism of the transition metal oxides (TMOs) interconnector layer, a numerical model was proposed for tandem organic light emitting diodes (OLEDs) with a TMOs thin film as the interconnector layer. This model is valid not only for an n-type TMOs interconnector layer, but also for a p-type TMOs interconnector layer. Based on this model, the influences of different carrier injection barriers at the interface of the electrode/organic layer on the charge generation ability of interconnector layers were studied. In addition, the distribution characteristics of carrier concentration, electric field intensity and potential in the device under different carrier injection barriers were studied. The results show that when keeping one carrier injection barrier as a constant while increasing another carrier injection barrier, carri- ers injected into the device were gradually decreased, the carrier generation ability of the interconnector layer was gradually reduced, the electric field intensity at the interface of the organic/electrode was gradually enhanced, and the electric field distribution became nearly linear: the voltage drops in two light units gradually became the same. Meanwhile, the carrier injection ability decreased as another carrier injection barrier increased. The simulation re- sults agree with the experimental data. The obtained results can provide us with a deep understanding of the work mechanism of TMOs-based tandem OLEDs. 相似文献
12.
13.
采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alq3)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-tin-oxide(ITO)/tris-(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(TCLC)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TCLC区到TCLC-空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq3层厚度较高的单层器件,Alq3层中的陷阱机构增多,导致电流-电压曲线的SCLC区域消失. 相似文献
14.
15.