β"氧化铝中杂质的EPMA研究

用ＥＰＭＡ－ＥＤＳ组合仪,对β”氧化铝中的三种典型杂质进行了形貌观察和成分分析,并用电子束诱导离子迁移法,研究了杂质区及正常区的离子电导差异,讨论了不同杂质的特点及对β”氧化铝作用中的危害。     

钠硫电池用β″--氧化铝陶瓷的研制

β″-Al2O3陶瓷在钠硫电池中,兼具固体电解质和隔膜功能,其电阻对钠硫电池的性能影响很大。以氧化铝室的异丙醇悬浊液为电泳液,添加不同量的17-99号PVA作为成膜助剂,在30 V的电压条件下电泳沉积4 min,在1 580℃下烧结10 min制得β″-Al2O3陶瓷。结果表明PVA用量(质量分数)为0.3%时制得的β″-Al2O3结构紧密、电导率最优。     

Naβ″—Al_2O_3中离子交换和迁移的EPMA研究

用JCXA—733电子探针的背射电子成份像和特征X射线像,成功地显示出Ce~(+++)和Eu~(++)离子与NaB″—Al_2O_3中Na~+离子交换的非均匀性,用注入电子束诱导离子迁移的实验表明,在Ce~(+++)或Eu~(++)离子交换后的β″—Al_2O_3晶格中的Na~+离子仍为主要载流子,而Ce~(+++)或Eu~(++)为不可迁移离子。     

固体电解质的电子束照射损伤

EPMA、SEM、TEM和AES在研究固体电解质材料的显微结构和组成时,常由于这些仪器的入射电子束照射而引起试样损伤。这不但使形貌观察出现假象,而且使电子束照射区的组成也发生变化,有时使晶格遭到破坏。研究这种损伤过程对实验结果的解释及选择减小损伤的实验条件均具有一定意义。我们还通过电子束损伤过程研究了快离子导体的电化学损坏机理。固体电解质是一类高离子电导率的固体材料,可用作固体离子器件的离子传输隔膜,是近十几年来较活跃的一个研究领域。我们用JCXA—733电子探针研究了β—Al_2O_3、β″—Al_2O_3、Nasicon、Ag~-导体、Ⅰ型和Ⅱ型玻璃的电子束损伤特征。     

6082铝合金激光填丝焊热影响区的软化现象

采用激光填丝焊方法焊接了6082铝合金,研究了焊接速度对焊接接头热影响区软化的影响。结果表明,当温度为430～560℃时,接头热影响区会发生明显的β″强化相溶解,β″相的数量明显减少,接头的硬度和拉伸强度减小,发生了热影响区的深度软化效应,热影响区的软化区成为接头最薄弱的区域。当激光功率为4250 W,焊接速度为2.7 m·min~(-1)时,接头热影响区的局部深度软化现象得到有效抑制,其平均硬度值大于82 HV,抗拉强度增大至249 MPa,接头的拉伸断裂发生于焊缝。     

蓝色荧光粉的退化机理

ＰＤＰ中的蓝色荧光粉是ＢＡＭ单相和Ｂａ－β氧化铝的混合体。蓝色荧光粉的退化主要是位移氧附近的深能态电子陷阱。这种电子陷阱增加了非辐射发射,退化了发光强度维持系数。用大上离子像Ｓｒ＾２＋、Ｅｕ＾２＋来代替Ｂａ＾２＋离子,可以使发光亮度维持系数显著改进。     

高导热挠性铝基覆铜板用环氧胶粘剂的研究

采用高导热填料球形氧化铝填充环氧胶粘剂,并添加了适量离子捕捉剂有效地控制有害离子的离子迁移,利用该胶粘剂粘接铝箔和铜箔制备成挠性铝基覆铜板。文章中探讨了环氧胶粘剂的热固化温度和时间、球形氧化铝含量对胶膜热导率的影响,通过显微镜测试了导热填料在胶粘剂中的分散均匀性,最后确定最优配方制备出一种综合性能优异的挠性铝基覆铜板。     

金属杂质离子对电解水制氢的影响研究

本文就以碱性电解液中金属杂质离子对电解水制氢过程的影响作为核心话题,采用电化学方法研究了各种金属杂质离子对电解水有害的最低浓度,还有金属杂质离子沉积后对电解水制氢效率的具体影响。     

电子及杂质离子-LO声子耦合对柱形量子线中杂质态的影响

采用有效质量近似和变分方法,同时考虑电子-约束型体纵光学声子(LO)及杂质离子-LO声子耦合,计算了有限深柱形量子线中杂质的极化效应。计算得到杂质结合能及声子贡献随量子线半径的关系。结果表明由电子-LO声子相互作用引发的极化效应的行为与杂质离子-LO声子相互作用引起的屏蔽效应相反,两种效应最终使杂质的结合能降低。     

表面、微区杂质分析

本文重点介绍电子光学、离子光学新技术对半导体材料、器件表面、薄层、微区中横向与纵向杂质定性定量的测试分析原理和方法。     

纤锌矿应变GaN柱形量子点中离子受主束缚激子的带间光跃迁

在有效质量近似基础上,考虑强的内建电场效应,变分计算了纤锌矿结构的GaN柱形量子点中带电量为 的离子受主束缚激子(A?, X)的发光波长。结果表明,离子受主束缚激子发光波长强烈依赖于量子点的尺寸（高度和半径）、离子受主杂质的位置和垒中Al含量。随着量子点高度、半径及垒中Al含量的增加,离子受主束缚激子发光波长增大。随着离子受主杂质从量子点左边垒中沿z轴方向移至量子点左边界时,发光波长先增大,在量子点的左界面附近达到极大值;随着离子受主杂质在量子点内继续右移,发光波长减小,当杂质位于量子点的右边界附近时光跃迁波长达到极小值;进一步右移离子受主杂质至量子点的右边垒中时,发光波长增大。和自由激子光跃迁波长相比,当离子受主杂质位于量子点中心的左边时,杂质的引入使发光波长增大,当离子受主杂质位于量子点中心的右边时,杂质的引入使发光波长减小。     

表面光电压法研究氧化工艺铁离子沾污

表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙烯中含有的微量杂质是氧化工艺中Fe离子沾污的主要来源。通过对氧气、氮气进行进一步纯化处理、减少三氯乙烯杂质质量分数到1.0×10-8、更换传输气体的不锈钢管路等措施,将氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级。     

多级时效对Al-Mg-Si(Cu)合金力学性能和显微结构的影响

本文通过透射电镜观察、差示扫描量热分析(DSC)和硬度测试等方法研究了6061铝合金在多级时效处理过程中力学性能和显微结构演变的规律.其中,T6I6热处理为先进行固溶处理,淬火后进行180℃预时效,然后在65℃中断时效,最后在180℃再次时效,120/T6I6热处理则将预时效温度改为120℃.结果表明,T6I6热处理不会明显提高合金的峰值硬度,合金强度与析出相类型、尺寸和分布有关系.120℃预时效后中断时效时继续形成GP区或β″前驱相,而180℃预时效后中断时效对显微结构的影响较小.120/T6I6的中断时效过程析出的主要是尺寸较小的GP区或β″前驱相,它们在再时效阶段不能成为析出相的形核点.T6I6在中断时效前GP区和β″前驱相基本全部析出.T6I6热处理和120/T6I6热处理均没有使峰值硬度明显增加,而且120/T6I6会拖延峰值时间.     

锂镧锆钽氧改性对固态锂离子电池的性能影响

利用无水乙醇离心洗涤法对LLZTO进行预处理,对LLZTO与PVDF溶液凝胶变色的原因进行了研究,通过XRD,FTIR,ICP测试手段对LLZTO中碱性杂质的成分进行了研究,对洗涤前后的LLZTO的离子电导率、固态电解质膜的离子电导率和SEM照片进行了对比,并对分别使用洗涤前后的LLZTO的固态锂离子电池的电化学性能进行了对比测试。结果表明,使得LLZTO与PVDF溶液凝胶变色的原因为LLZTO中的碱性杂质,其主要成分为LiOH。通过无水乙醇离心洗涤能对碱性杂质做到良好的去除,可以将LLZTO的离子电导率提高约1.668×10~(-4) S·cm~(-1),固态电解质膜的离子电导率提高约1×10~(-4) S·cm~(-1)。去除碱性杂质的固态电解质膜成膜性更好,并且其电池的循环稳定性更好,循环200圈过后比使用未洗涤的LLZTO的电池容量高约50 mAh·g~(-1)。     

自组织多孔阳极氧化铝膜的研究进展

主要介绍了几种不同多孔氧化铝膜的制作,氧化铝膜的光致发光性质及来源,最后介绍了多孔氧化铝膜在钠米材料中的应用,并对阳极氧化铝膜发展前景进行了展望。     

SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用

文章介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理,并通过对典型应用的分析,介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用,特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。     

杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响

在分析SiC中杂质部分离化时,考虑了Frenkel-Pool效应,通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程,提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷(charge-sheet)数值模型.对SiC中杂质不完全离化的研究表明,杂质原子较大的离化能、高的掺杂浓度以及低温会使不完全离化的影响增强,对于SiC MOSFET,杂质不完全离化的影响主要在亚阈区.     

用作集成电路密封胶的改性室温硫化硅橡胶

<正> 在所有有机和无机聚合物材料工业产品中,室温硫化硅橡胶是集成电路元件中防潮和防机械损伤最有效的密封胶。本文叙述了室温硫化硅橡胶的一般概念及其工业制备方法和固化机理。用掺入杂环聚醚作为杂质离子接受体,以固定杂质离子Na~+、K~+、Cl~-而改进室温硫化硅橡胶的电性能。看来,在电子工业中采用杂质离子接受体以防止杂质离子的迁移是有应用潜力的。     

YAG激光工作物质的掺杂

掺钕的钇铝石榴石是目前晶体激光器主要的工作物质。但是由于晶体结构的原因,Nd~(3 )离子掺入YAG晶体中的浓度很低,这是YAG激光器进一步提高效率的重要障碍。围绕这一问题,国外进行了大量的研究工作,这些工作包括:1.在晶体生长的熔体中掺入其他稀土元素,通过改变YAG的点阵常数或大小离子之间的尺寸补偿作用,达到提高YAG晶体中Nd~(3 )的浓度,从而提高效率的目的;2.采用杂质敏化以提高效率。所谓杂质敏化是指在基质晶体中引入第二或第三种附加杂质离子,这些离子可以把所吸收的泵浦光能无辐射地转     

关于氧化铝涂层绝缘性能的探讨

众所周知,氧化铝涂层内含杂质多、涂层龟裂、受到严重污染,都会降低涂层的绝缘性能。对于绝缘性能要求较高的电子管,氧化铝涂层绝缘性能差会引起灯丝与阴极间漏电、击穿、短路,使电子管早期失效。以前电子管普遍使用的氧化铝标准,其杂质只控制Fe_2O_3、SiO_2、Na_2O、Cl~-。对于灯丝与阴极间绝缘性能要求较高的电子管来说,很难满足要求。本文针对上述存在的问题进行