砷化镓在02^＋与Cs^＋离子轰击下二次离子发射的研究

本文研究了各种实验参数对O－SIMS和Cs-SIMS中GaAs二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对GaAs二次离子发射的增强效应。实验表明，与Ar-SIMS不同，O－SIMS和Cs-SIMS中随Ep增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：10^-3Pa，二次离子能量分布测量表明，对O－SIMS，二次离子强度在Vbias=30V左右达到最大值，对Cs-SIMS,二次离子强度在Vbias=-20V左右达到最大值。     

二次离子质量分析法(Ⅱ)关于二次离子质量分析法的基础及应用的诸问题

1.绪言前篇已介绍了有关二次离子放射机构的几个模型,叙述了基于这些模型的定量分析法。本文作为前篇的继续,叙述定量分析的最正统的方法——检量线法,接着关于深度方向的分析以基础事项为主加以叙述。进而介绍关于面分析、立体分析及极微量分析方面具体的应用例,对二次离子质量分析法(SIMS)应用范围的扩大也期望引起注视。SIMS 的将来发展,在很大程度上有赖于二次离子放射的基础研究以及对其放射机构能获得明确的解析。本文的最后部分以二次离子放射为主,叙述有关实验方面的基础研究。2.采用检量线法的定量分析     

砷化镓在O_2~＋与Cs~＋离子轰击下二次离子发射的研究

本文研究了各种实验参数对Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中ＧａＡｓ二次离子发射的影响，和样品室中氧分压对ＧａＡｓ二次离子发射的增强效应．实验表明，与Ａｒ－ＳＩＭＳ不同，Ｏ－ＳＩＭＳ和Ｃｓ－ＳＩＭＳ中随Ｅｐ增加二次离子的强度反而有所下降，而样品室注入氧可以提高正二次离子产额，但需要达到较高的氧分压：１０－３Ｐａ．二次离子能量分布测量表明，对Ｏ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝３０Ｖ左右达到最大值，对Ｃｓ－ＳＩＭＳ，二次离子强度在Ｖｂｉａｓ＝－２０Ｖ左右达到最大值．     

二次离子质谱中氧的作用

<正> 一、前言自从出现二次离子质量分析仪以来,已经有十几年的时间了。在初期研究阶段中,主要用Ar~+作为一次离子,样品室的真空度比较差,二次离子行为是不稳定的,也没有得到足够高的检测灵敏度,因此分析的适用范围受到限制,没有得到充分的实际应用。Andersen使用了O_2~+、O~-作为一次离子,这在SIMS历史上具有划时代的作用。可以认为从这个时候开始,SIMS进入了实用阶段,这是由于采用了氧离子使二次离子强度增大而且稳定了的缘故。即使是以Ar~+作为一次离子时,只要样品环境气氛有氧气,二次离子强度也将增加。作者使用自制的SIMS,在分析中一直应用这些现象,大约有5000个各种材料的样品使用体会,深     

红外半导体材料SIMS分析研究

介绍了二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometer, SIMS)的基本原理及其在焦平面红外半导体材料和器件制备工艺中发挥的重要作用。通过对掺砷碲镉汞和CdTe/InSb材料进行SIMS测试,研究了不同离子源和一次束流大小对测试结果的影响,为后续SIMS分析技术在红外探测器材料的进一步研究奠定了基础。     

微通道板防离子反馈膜性能的研究

介绍了微通道板（ＭＣＰ）防离子反馈膜在三代微光象增强器中的作用，测量了防离子反馈膜的电子透过特性和离子透过特性，比较了用带膜ＭＣＰ做成的二代薄片管和不带膜的ＭＣＰ做成的二代薄片管的脉冲幅度分布、寿命和阴极灵敏度衰减。实验发现，非晶态Ａｌ２Ｏ３防离子反馈膜能有效地透过电子，阻止反馈离子，降低闪烁噪声，延缓阴极灵敏度衰减，延长象管工作寿命。     

数理科学与基础理论

Z99-51340 00105821998国际二次离子质谱学研讨会暨第二届中国二次离子质谱学会议论文集〔会〕/中国真空学会.—226页(C)本文集收录了国际二次离子质谱学研讨会暨第二届中国二次离子质谱学会议上发表的48篇论文。内容涉及了当代二次离子质谱学的所有重要领域,综述了香港和台湾地区二次离子质谱学的发展现状,SIMS     

二次离子质谱法及其在薄膜和表面层研究中的应用

用二次离子质谱法(以下称 SIMS)做固体分析时,样品装在质谱仪中并用3～15千电子伏能量的一次离子轰击。从样品溅射出来的粒子(如二次离子被发射出来)表征样品的化学组分,通常可用它来做样品的定量质谱分析。本文简要地讨论了目前解释二次离子发射的各种模型。对于用 SIMS 分析薄膜的基本参量,即各种离子的产额、检测极限和材料消耗做了研究。文中还将叙述应用于分析薄膜和表面层的各种方法,并指出恰当的 SIMS 方法的选取对于给定的问题的解决是极重要的。     

增强吸杂的研究

研究了增强吸杂技术，它利用淀积在硅片背面的多晶硅的晶格无序和晶粒间界而起杂质吸除作用，同时它又能增强硅中的内吸杂。本文介绍利用ＰＬＣＶＤ淀积多晶硅制备吸杂硅片的工艺。并通过ＯＳ法，ＭＯＳ产生寿命和二次离子质谱的测试结果，显示了此增强吸杂的吸杂效果。     

Paul阱中射频源倍频作用下囚禁离子运动特性

基于以前的研究结果，采用函数级数展开法，研究了Paul阱中在非理想射频囚禁场作用下、考虑二次谐波φ=U-V1cosΩt-Vscos2Ωt时囚禁离子运动特性，得到了单个囚禁离子运动Mathieu方程的解析解和z方向离子运动的特征频率（宏运动，微运动）随倍频参数的变化规律。     

紫外防护品的防紫外光谱特性检测

讨论了紫外防护品(眼镜、防晒护肤品、织物)的防紫外检测原理,建立了实用的检测装置,对样品旋转不同的角度进行测试,测试结果与日本岛津UV-3150紫外分光光度计的测量结果比较,具有良好的一致性.检测11种不同类型的镜片,结果表明大多数镜片均能限制UVB(280～320 nm)的透过,但UVA(320～400nm)的透过率较高,镜片的防紫外线能力不理想.采用紫外吸光度法检测6种防晒护肤品,根据吸光度A值的大小,评价产品的性能,3种化妆品实测防紫外效果与产品标定的SPF值不相吻合,并且UVA的透过率较高.检测14种织物,计算得到织物防紫外指数UPF值,发现染色深及较厚的织物防紫外效果较好,纯棉及亚麻防紫外线效果较差.三种紫外防护品对UVB的防护效果都优于对UVA的防护,但UVA对人体同样造成伤害,应引起人们的重视.     

基于校园网的虚拟电工实验模式的研究

电工实验是大学电路理论、电工技术基础课程教学中必不可少的一环。针对传统开设的实验课程中存在实验仪器陈旧,教学方法单一,学生缺乏学习主动性和创造性等问题,结合培养应用型人才的目标,本文研究了基于校园网虚拟电工实验教学的新模式。该模式将仿真设计与实际操作、虚拟仪器技术和网络技术结合,进行网上虚拟电工实验,实验结果和设计内容可以在校园网上发布。文中详细介绍了这一模式的具体内容和实验方式。该实验模式充实了我校电工实验手段,提升了电工实验水平,激发了学生的实验兴趣,为培养应用型人才打下良好基础。     

Low-leakage soft error tolerant port-less configuration memory cells for FPGAs

As technology scales the area constraint is becoming less restrictive, but soft error rate and leakage current are drastically increased with technology down scaling. Therefore, in nano-scaled CMOS technology, the reduction of soft error rate and leakage current is the most important challenge in designing field programmable gate arrays (FPGA). To overcome these difficulties, based on the observations that most configuration bit-streams of FPGA are zeros across different designs and that configuration memory cells are not directly involved with signal propagation delays in FPGA, this paper presents a new family of configuration memory cells for FPGAs in nano-scaled CMOS technology. When zeros are stored in the cells, the injected glitch due to particle strike is removed from the stroked node by pull-up or pull-down network of the cells. Thus, our proposed cells are completely hardened and cannot flip from particle strikes at the sensitive cell nodes when zeros are stored in the cells. Furthermore, in the proposed cells, when zeros are stored, the sub-threshold leakage current components are reduced by using stacks of transistors in series. These new cells are port-less and the storage nodes of cells are manipulated through the transistors which apply the supply voltages to the cell. Simulation results show that the proposed cells are working correctly during their configuration and idle cycles and that our cells have a lower soft error rate and leakage current in 22-nm, as well as 65-nm technologies.     

效率、功率因数及其关系的讨论

效率和功率因数是电气与电子工程中的两个重要参数.它们既是两个不同的概念,又有密切的联系.但在目前的电路分析及模拟电子技术的部分教材中,关于效率、功率因数及其关系问题仍然存在一些错误概念,或者对这些重要的问题言之甚少.本文针对上述问题作了详细地讨论.并通过一个例子分析了效率及功率因数之间的关系,纠正了对这些问题的模糊认识,使这些概念更加明确.笔者认为文中的分析和讨论对电类各专业的学生掌握这些基本问题是有益的.     

自动排片机在IC芯片分选中的应用研究

介绍了针对排片机(又称挑粒机)将IC芯片与蓝膜分离并置于片盒中的过程中,如何控制拾取与放置的动作,以及芯片取放过程中的时间、真空和压力控制.     

导电聚苯胺在铝电解电容器中的应用

导电高分子在电子元件中的应用十分广泛。比较了几种用于铝电解电容器中的固体电解质:二氧化锰、TCNQ、聚吡咯、聚苯胺,其中聚吡咯、聚苯胺的性能优势明显,尤其是聚苯胺的电导率和热稳定性最好。介绍了聚苯胺结构特征、合成方法以及聚苯胺铝电解电容器的制造方法和性能,展望了聚苯胺的应用前景。     

混合法在二维导体目标散射中的应用

本文介绍了以高频渐近法和矩量法为基础的一种求解复杂散射体的混合法，并结合计算实例分析了该方法的特点，准确性以及目前存在的缺点。     

运动等离子体中电磁波的相对论效应

本文给出了组成关系的Ｅ、Ｂ表示，导出运动介质中的波动方程及场量Ｅ、Ｈ纵分量满足的方程。对于电磁波垂直入射于向运动的等离子体介质表面，求得了反射波，透射波以及透射波的色散关系和频率关系，讨论了透射波的截止和反向及频率移动。对于脉冲波，演算得到了反射脉冲脉宽压缩和脉冲放大。     

数字水印的应用及需求分析

给出了一个完整的数字图像水印通信系统模型，对其中各个功能模块进行了分析。从应用的角度给出了数字水印的分类方法，给出了包括数字版权保护，数字指纹在内的数字水印技术的几个典型应用，在这些应用环境下对水印算法的具体要求进行了详细的分析。研究具体的数字水印技术的应用及其环境，分析其对数字水印技术的要求，对设计相应的数字水印算法将具有一定指导作用。     

基于SPW的雷达系统建模与仿真

总结了雷达系统仿真的发展经历和技术现状，指出了基于传统仿真软件建模与仿真的缺点；对基于SPW的雷达系统仿真平台、仿真模型库结构进行了阐述，指出了其在雷达系统仿真中的优势；最后介绍了基于SPW的雷达系统模型库开发的步骤方法，并给出了基于SPW的脉冲多普勒雷达系统仿真模型及仿真结果。