| SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用 |
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| 引用本文： | 朱西安,左雷,李震.SIMS在碲镉汞红外焦平面探测器工艺中的应用[J].激光与红外,2006,36(11):1013-1015. |
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| 作者姓名： | 朱西安 左雷 李震 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 文章介绍了二次离子质谱仪的结构及其基本工作原理，并通过对典型应用的分析，介绍了二次离子质谱分析技术在高灵敏度碲镉汞红外焦平面探测器材料和器件制备工艺中的作用，特别是在结探监测和微量杂质监控方面所发挥的重要作用。
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| 关 键 词： | 二次离子质谱 碲镉汞 红外焦平面阵列 结深 杂质 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）11-1013-03 |
| 收稿时间： | 2006-08-17 |
| 修稿时间： | 2006-08-17 |
The Applications of SIMS Technology in the MCT IRFPA Processing |
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| ZHU Xi-an,ZUO Lei,LI Zhen.The Applications of SIMS Technology in the MCT IRFPA Processing[J].Laser & Infrared,2006,36(11):1013-1015. |
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| Authors: | ZHU Xi-an ZUO Lei LI Zhen |
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| Affiliation: | North China Research Institute of Electro-optics, Beijing 100015, China |
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| Abstract: | In the paper the structure and principle of the secondary ion mass spectrometry(SIMS) are reported,and its typical applications in the HgCdTe material and devices processing,especially in the measurement of the junction depth and the quantity analysis of trace impurity are introduced. |
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| Keywords: | secondary ion mass spectrometry(SIMS) HgCdTe IRFPA junction depth impurity |
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