InAs／InP_（0．7）Sb_（0．3）热电子晶体管的电流增益及最高收集极电压

分析ＩｎＡｓ／ＩｎＰ（０．７）Ｓｂ（０．３）热电子晶体管的电流增益β及最高收集极电压Ｖ（ＣＭ）。计算结果表明，β超过２０，Ｖ（ＣＭ）接近１．５Ｖ。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...     

1．55μm InGaAsP／InPDH激光器中的0．95μm发光带与Auger复合

报道了在１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器中发现的０．９５μｍ波长高能发光峰的一系列实验结果，并通过分析肯定了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｓｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＨ激光器Ｔ０值的主要因素。     

集成区含阶梯缓变InGaAsP层的具有超高fmax,fT的双异质结双极晶体管

本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉｃ和集电极－发射极间电压ＶＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高频性能。结果表明，减小发射极宽度比减小其长度能更有效地提高ｆｍａｘ，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超高的ｆｍａｘ和ｆＴ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆｍａｘ的增加归结为基区电阻和降低了     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

High－field Nonlinear Perpendicular Transport in a GaAs／Al_（0．3）Ga_（0．7）As Short－period Superlattice

Ｈｉｇｈ－ｆｉｅｌｄＮｏｎｌｉｎｅａｒＰｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒＴｒａｎｓｐｏｒｔｉｎａＧａＡｓ／Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）ＡｓＳｈｏｒｔ－ｐｅｒｉｏｄＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ￥ＸｕＳｈｉｎｅ（徐士杰），ＬｉｕＪｉａｎ（刘剑），ＺｈｅｎｇＨｏｕｚ...     

In_（0．53）Ga_（0．47）A_S表面钝化及降低界面态密度的方法

采用ＰＥＣＶＤ技术，以ＴＥＯＳ为源，对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料进行表面钝化，研究了ＳｉＯ２／Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ的界面态，提出降低界面态密度的方法，使其降低到８．５×１０１０ｅＶ－１ｃｍ－２．     

InP衬底上的InGaAs／InP双沟道HEMT

本文讨论了一种新型ＨＥＭＴ沟这结构，它由ＩｎＧａＡｓ和ＩｈＰ组成，利用了低电场下ＩｎＧａＡｓ的高电子迁移率和高电场下ＩｎＰ的高漂移速率。０．６μｍ和０．７μｍ栅长的器件上获得了１２９０ｍＳ／ｍｍ的高跨导和６８．７ＧＨｚ的ｆ＿Ｔ。研究了器件的直流和射频特性。估计有效电子饱和速率为４．２×１０￣７ｃｍ／ｓ。     

P~＋－Ge_（0．3）Si_（0．7）／P－Si异质结内光发射红外探测器77K的特性

首次报导了一种改进结构的Ｐ＋—Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７／Ｐ—Ｓｉ异质结内光发射长波长红外探测器在７７Ｋ下的电学特性和光学响应特性。     

InGaAsP／InP异质结光电三极管的制备

介绍了ｎ－ＩｎＰ／ｐ－ＩｎＧａＡｓＰ／０－ＩｎＰ结构的异质结光电三极管制作过程，并获得了对１．３μｍ的入射光，光增益达２２０，用带尾纤的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ发光管测量，光学增益达１４７０。     

Si/SiGe/Si HBT频率特性的解析模型与模拟

用解析的方法模拟了T＝300K和77K时，fT和fmax与集电极电流密度Jc的关系，在大电流下考虑了异质结势垒效应的影响。模拟结果和用数值方法以及实验所得到的结果一致。同时，还建立了与之相应的Si／SiGeeb异质结和SiGe／Sibc异质结电容模型。     

S波段0.3W AlGaAs/GaAs HBT功率管

采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了S波段工作的非自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管．对于总面积为8×2μm×10μm的HBT器件,测得其直流电流增益大于10,电流增益截止频率fT大于20GHz,最高振荡频率fmax大于30GHz．连续波功率输出为0.3W,峰值功率附加效率41％．     

最大振荡频率为200 GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

本文报道了fmax为200GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）。外延材料结构采用了InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用了凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaN HEMT。器件饱和电流达到1.1A/mm,跨导为421mS/mm,截止频率（fT）为30GHz,最大振荡频率（fmax）为105GHz。采用了湿法腐蚀工艺将器件的Si3N4钝化层去除后,器件的Cgs和Cgd减小,器件截止频率提高到50GHz,最大振荡频率提高到200GHz。     

基于60 nm T型栅fT & fmax为170 & 210 GHz 的InAlN/GaN HFETs 器件

基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于再生长n GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm。此外,采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅。由于器件尺寸的缩小,在Vgs= 1 V下,器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm,峰值跨导达到462 mS/mm。根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz,该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值。     

最大振荡频率为200GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现了Ka波段AlGaN/GaNHEMT.器件饱和电流达到1.1 A/mm,跨导为421 mS/mm,截止频率(fT)为30 GHz...     

最大振荡频率640 GHz的70 nm栅长InAs PHEMTs器件

由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管（PHEMTs）器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13000 cm2/（Vs）。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管,器件采用双指,总栅宽为30 m,源漏间距为2 m。为降低器件的寄生电容,设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1440 mA/mm （VGS=0.4 V）,最大峰值跨导为2230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。     

射频Si/SiGe/Si HBT的研究

在Si／SiGe／SiHBT与Si工艺兼容的研究基础上，对射频Si／SiGe／SiHBT的射频特性和制备工艺进行了研究，分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si／SiGe/Si HBT的特征频率fT和最高振荡频率fmax的关系，成功地制备了fT为2．5CHz、fmax为2．3GHz的射频Si／SiGe／SiHBT，为具有更好的射频性能的Si／SiGe／Si HBT的研究建立了基础。     

基于MOCVD再生长n+ GaN 欧姆接触工艺fT/fmax＞150/210 GHz的AlGaN/GaN HFETs器件研究

基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN 欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs=2 V下, 器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm, 该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值, 器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明, 器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.     

W波段InGaAs/InP动态二分频器

采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60 ～ 100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62 ～ 83 GHz的工作范围.在-4.2V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.