用AAO为模板组装磁性金属Ni纳米线阵列

以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积的方法,制备了磁性金属Ni纳米线阵列。选用SEM、TEM、XRD等测试手段,对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明:制得的Ni纳米线阵列排列规整、长度一致、直径与模板孔径基本一致,约为250nm,而且是结构紧密的多晶体。研究了电沉积时间对Ni纳米线长度的影响,发现电沉积时间应不超过15h。     

直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征

为了制备结构规整的Fe纳米线阵列,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积法制备了Fe纳米线阵列,并利用SEM、TEM、XRD等测试手段对其微观形貌和结构进行了表征。结果表明:所得的Fe纳米线阵列结构规整、直径与模板孔径基本一致,约为250nm,是结构紧密的多晶体。     

HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究

研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。     

直流电沉积制备一维ZnSe半导体纳米材料

用二次阳极氧化法制备了多孔阳极氧化铝(AAO)模板。以AAO为模板,在ZnSO4、Na2SO4和H2SeO3的混合水溶液中进行直流电沉积了ZnSe半导体纳米线。SPM、TEM测试表明,模板表面形成模孔大小一致、排列规则的阵列。ZnSe纳米线的直径约为60nm,长度约为0.5μm并与模板的孔径和深度一致。在制备过程中,无需去除AAO的基底,喷金或预镀金属等处理,直接在AAO纳米孔内电沉积,制备纳米线。该方法简单、有效并且容易获得有序的半导体纳米线阵列。     

Fe纳米线的制备及其磁性能研究

采用电化学沉积法封装阳极氧化铝(AAO)模板,制备出不同直径的Fe纳米线阵列。Fe纳米线阵列的形貌、组成、晶型、磁学性能分别通过场发射扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDS)、X-射线衍射仪(XRD)、震动样品磁强计(VSM)进行表征。结果表明:电化学沉积法可以制备出直径为33~95 nm的Fe纳米线;纳米线排列有序,粗细均匀,具有明显的[110]择优取向。VSM测试结果表明纳米线的直径对其磁性能影响很大。当纳米线直径为33~40 nm时,纳米线具有明显的磁各向异性,垂直模板表面的方向为易磁化方向,该方向上矫顽力达112 745.4 A/m以上,矩形比达0.43以上;当纳米纤维直径为75~95 nm时,纳米线的磁各向异性较弱,轴向上矫顽力和矩形比也较小。     

线径调制Ni纳米线的制备及其磁性

实验基于非对称二次阳极氧化方法,通过在多种不同的电解液中交替阳极氧化制备了孔径大小调制的多孔氧化铝,并以此为模板,电化学沉积了线径调制的Ni纳米线。采用场发射扫描电镜对Ni纳米线进行了形貌表征,照片显示纳米线粗、细段的直径分别约为65和35 nm。X射线衍射分析结果表明Ni纳米线沿着<220>方向择优生长。采用综合物性测量系统测量了不同温度下纳米线阵列的磁滞回线。结果表明调制Ni纳米线的矫顽力随温度变化很小,其矫顽力主要取决于纳米线的形状各向异性。最后对Ni纳米线的反磁化过程进行了分析讨论。     

“镍纳米线／多壁碳纳米管／非晶碳纳米管”一维轴向异质结的结构与伏安特性

将电化学沉积方法和化学气相沉积（CVD）方法结合起来，以多孔阳极氧化铝（AAO）为模板，开发出一种用于制备一维金属／半导体轴向异质结阵列的普适性方法，成功制备多种不同种类的一维金属，半导体轴向异质结的整齐阵列。其中，由单晶Ni纳米线、多壁碳纳米管（MWCNT）和非晶碳纳米管（a-CNT）首尾连接而成Ni／MWCNT／a-CNT一维轴向异质结。     

热氧化方法制备直径可控的有序硅纳米线阵列

采用金属辅助化学刻蚀方法结合纳米球模板技术制备出了有序硅纳米线阵列.硅纳米线阵列经过高温热氧化形成一定厚度的氧化层,再使用稀释的HF溶液去除表面氧化层得到可控直径/周期比、低孔隙密度的有序纳米线阵列.主要研究了氧化温度、氧化时间对硅纳米线形貌的影响,并根据扩展的Deal-Grove模型计算了硅纳米线氧化层厚度与氧化时间的关系,讨论了氧化过程中应力分布的影响,理论计算结果与实验结果一致.最后,采用两步氧化的方法制备出了低直径/周期比(约0.1)、低孔隙密度的有序硅纳米线阵列.     

自组装制备硅纳米线阵列及其光致发光特性研究

用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列,通过扫描电镜(SEM)观察了样品的表面形貌.用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性,发现当激发波长增加时,有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移,发光强度也单调增强.对比多孔硅的发光机理和现有实验条件,对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论.     

图案化铜纳米线阵列的制备

采用紫外光刻法制得图案化的阳极氧化铝模板。在模板上蒸镀金膜后,采用电化学沉积法制备了铜纳米线,用扫描电子显微镜观察,研究了最佳电化学沉积时间。结果表明,铜纳米线阵列的图案与掩膜的图案完全一致,呈直径约5μm的圆形。铜纳米线的长度随沉积时间的增加而增长,沉积时间20min,即可制得长度约5μm的铜纳米线阵列结构。在此基础上可研制微器件。     

AAO模板浸渍法制备Au纳米线

用模板浸渍法成功地在多孔阳极氧化铝(AAO)模板里制备了Au纳米线。在这种方法中,AAO模板的孔壁在HAuCl4里浸湿,取出后通过热处理形成Au纳米线。使用扫描电子显微镜和X射线对Au纳米线的微观形貌和结构进行了表征。扫描电镜图片表明在AAO孔中形成了直的并且表面粗糙的金纳米线,纳米线直径约50 nm。X射线衍射图表明,金纳米线具有面心立方(FCC)结构。最后,研究了Au纳米线的形成机理。     

Direct electrodeposition of highly ordered magnetic nickel nanowires on silicon wafer

Highly ordered nickel nanowire (50 and 12 nm in diameter) arrays were successfully deposited into the nanoporous alumina template film on a gold-coated silicon wafer. The electrodeposited nickel nanowires have a preferred (220) fibre texture, that is the [110] direction parallel to the wire axis. With electropolishing, nanoporous alumina template with ordered and uniform pores was prepared by anodisation. By complete removal of the barrier layer and careful control of electrodeposition procedures, nearly 100% pore filling of uniform nanowires can be directly deposited onto the Au-coated silicon substrate, therefore no pattern transfer is necessary and incorporation of these nanowires into silicon-based devices is readily possible     

Synthesis and Room‐Temperature Ultraviolet Photoluminescence Properties of Zirconia Nanowires

This paper reports the synthesis of tetragonal zirconia nanowires using template method. An as‐prepared sample was characterized by scanning and transmission electron microscopy. It was found that the as‐prepared materials were tetragonal zirconia nanowires with average diameters of ca. 80 nm and length of over 10 μm. The Raman spectrum showed peaks at 120, 461, and 629 cm^–1, which are attributed to the E_g, E_g, and B_1g phonon modes of the tetragonal zirconia structure, respectively. The UV‐vis absorption spectrum showed an absorption peak at 232.5 nm (5.33 eV in photon energy). Photoluminescence (PL) spectra of zirconia nanowires showed a strong emission peak at ca. 388 nm at room temperature, which is attributed to the ionized oxygen vacancy in the zirconia nanowires system.     

Ni/AAO纳米复合薄膜的制备及其光学性能

采用交流电化学沉积方法,以经过阶梯降压处理的多孔氧化铝(AAO)为模板,制备出Ni/AAO纳米复合薄膜。研究了薄膜的结构及光学性能。结果表明:Ni/AAO纳米复合薄膜中Ni呈线状均匀分布在AAO纳米孔隙中,直径与AAO孔径一致,约80nm,并沿[111]方向择优生长,具有面心立方结构。光谱分析表明,该复合薄膜的光学带隙为3.18eV,较AAO模板(3.38eV)自身红移;光致发光峰位于465nm,与AAO模板相同,发光强度较模板自身减弱。     

氧化铝模板法制备Ge纳米线

采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米线 .采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对 Ge纳米线进行了分析 .Ge纳米线的直径约为 30 nm,长度超过 6 0 0 nm.对 Ge纳米线的生长机理进行了探讨 .     

Cu 纳米线的制备及其力学性能的研究

采用购买的直径为40～50 nm的AAO模板,利用直流电沉积方法在AAO模板上制备了Cu纳米线.TEM观察发现,Cu 纳米线的直径为(45±5)nm,与AAO模板的内孔 直径一致.利用碳膜卷曲的方法,在JEOL 2010F型场发射透射电子显微镜中对单根 Cu 纳米线进行了原位弯曲变形实验.实验发现,存在于纳米线内部的孪...     

Oriented Growth of Self‐Assembled Polyaniline Nanowire Arrays Using a Novel Method

A novel method for fabrication of highly oriented polyaniline (PANI) nanowires without removal of the template was developed by combining self‐assembly and template synthesis techniques. By using a self‐assembly process under inhibition conditions, oriented arrays of PANI nanowires growing out of the nanoporous template were obtained, with nanowire diameters ranging from 110 to 190 nm and lengths of several micrometers. The lengths of these wires can be roughly controlled by the polymerization time.     

CdTe纳米线/纳米管薄膜电沉积法制备研究

使用电沉积方法,在碱性体系中Ni箔表面制得直径约为100 nm的CdTe纳米线/纳米管薄膜,并系统研究了电位、镀液浓度及热处理对于该材料微观形貌的影响。XRD结果证明,未经退火处理的薄膜由CdTe相和单质Cd相组成,经300℃N2气氛保护条件下退火4 h后得到的薄膜仅含CdTe相,并有效提高结晶度。SEM结果显示薄膜的微观形貌为纳米线结构,TEM结果进一步证明CdTe纳米线内部为中空结构,形成纳米线/纳米管结构。另外,电沉积实验结果表明,沉积电位对于CdTe纳米线/纳米管结构的形成具有决定作用,表现为阴极电位越正越有利于纳米线结构的形成。