Cu上石墨烯的化学气相沉积法生长研究

利用自行搭建的化学气相沉积(CVD)设备在Cu箔衬底上成功的制备出石墨烯薄膜,并利用光学显微镜和拉曼光谱分析等手段对石墨烯薄膜的形貌和结构进行了表征.主要研究了Cu箔的表面处理和沉积过程的气体流量对石墨烯质量的影响,发现氨水处理Cu箔可以腐蚀Cu箔表面的各种杂质提高Cu箔的洁净度从而提高石墨烯的结晶质量,优化CH4和H2的气体流量可以提高石墨烯的单层性和均匀性.并最终在CH4∶H2=200∶0 sccm条件下,在氨水处理过的Cu箔上获得了面积1.5 cm×1.5 cm的均匀的单层石墨烯.     

利用赤眼蜂防治松梢螟实验

松梢螟病虫害对红松林种子的影响非常大,会导致种子的产量和质量出现下降的问题,严重的可绝产。常规防治方法对松梢螟的防治效果不太明显。作者对红松球果害虫松梢螟进行了详细的调查及研究,并成功利用赤眼蜂进行了生物防治实验,取得了良好的效果,对推广生物防治松梢螟有着重要的指导意义。     

呼兰河城区段堤防整治工程现浇混凝土板施工方案

介绍了现浇混凝土板护坡的结构型式,阐述了哈尔滨市呼兰河城区段河道及堤防整治工程现浇混凝土板施工方案及重量保证措施。     

水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型，研究了反应气体在反应室内的浓度场，讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响，并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明，厚度均匀性良好，直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660aresee。     

采用阳极氧化铝做掩膜生长氮化镓膜

采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜.采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极发光谱表征了截面上氮化镓层在不同位置的的发光性质,发现随着厚度的增加,其发光特性得到改善,而且由于掩膜结构的引入,外延膜中的压应力得到一定程度的释放.     

含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.     

GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究

研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用.通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO<,2>纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO<,2>/GaN模板上制备厚膜GaN材料.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明...     

富地营子水库大坝基础帷幕灌浆冬季施工

富地营子水库位于黑龙江省黑河市境内的公别拉河上游河段。水库大坝坝基座落于海西期花岗岩体上。坝基基础节理发育 ,并分布有数条较大的断层破碎带 ,岩石透水性强。基础帷幕灌浆主帷幕采用单排、直线悬挂式布置 ,基础孔距 2 0m。施工顺序采用分序钻灌逐渐加密的原则 ,灌浆采用孔口封闭 ,自上而下分段循环灌浆的方法施工。岩石完整性较差的地段 ,进行特殊的处理。     

含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对GaN膜生长的影响.结果表明,退火后的LT-AlN插入层表面形貌发生很大变化.在一定的退火条件下,AlN插入层能有效地改善HVPE生长的GaN外延层的结晶质量.     

纳米孔氮化镓材料的制备和研究

介绍了一种在氮化镓外延片表面制备得到孔径为纳米量级的多孔结构的工艺.用电化学方法制备出孔径为纳米量级的多孔阳极氧化铝模板作为掩模,经过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀制备得到纳米孔氮化镓材料.孔的大小和孔间距可以通过改变阳极氧化条件来控制,改变刻蚀时间可以控制孔深.刻蚀所用气体为氯气和惰性气体的混合物.扫描电镜照片显示,掩模图形能够很好地转移到GaN材料上.刻蚀后的材料经光荧光谱(PL Spectra)谱和Raman散射谱测试,显示出良好的光学特性,并在一定程度上释放了应力.