CMOS集成电路及其应用

<正> 一、概述 1.CMOS电路——八十年代的集成电路在半导体集成电路发展过程中,MOS电路与双极型电路一直在激烈竞争而又相互促进。对于MOS电路来说,主要的薄弱环节在于速度,CMOS电路就是MOS与双极型竞争的一种必然产物。七十年代大规模集成电路发展过程中,NMOS工艺成了“优选工艺”。微处理器、随机存取存贮器和只读存贮器等等大都采用NMOS工艺。到了七十年代后期,在NMOS工艺的基础上,CMOS工艺逐步完善,因而在速度、集成度和微功耗方面不断地创造新的纪     

金属-氧化物-半导体场效应晶体管存贮器电路

金属-氢化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)目前正广泛地应用于各种存贮器。存贮器的要求和金属-氧化物-半导体器件和工艺的特点导致出许多为此类应用的独特的电路。本文评论了存贮器系统的组织和设计考虑。举出了具体的电路例子进行分析,包括随机存取单元、移位寄存器、只读存贮电路和芯片上的外围电路;讨论了互补和非互补电路。     

微程序计算机高速存贮器三态逻辑

引言 微程序计算机设计者一直采用固态随机存取存贮器作为缓冲存贮器和用只读存贮器来存贮微指令和程序常数。由于TTL(晶体管-晶体管逻辑)集成电路速度快,经常选用这种电路。 TTL器件阵列通常通过与总线连接来简化数据传送结构并使系统组件化。为此,采用     

高性能单片存贮器

本文包括三篇译文: (1)“高性能单片存贮器”——介绍IBM360/85系统等应用的高速双极缓冲存贮器的系统考虑、逻辑型式以及外围电路和使用情况。 (2)“64位平面双扩散存贮器芯片”——介绍上述存贮器所用的双极存贮芯片、工艺结构,布线图形和器件性能。 (3)“一种新型高性能双极单片存贮单元”——介绍上述存贮器阵列单元的电路原理、工艺图形设计及性能参数。     

MOS静态读写存贮器在键盘字符终端中的应用

<正> 随着中,大规模集成电路的出现,电子工业已经获得了迅速的发展。对于如何正确而有效的使用这些组件,是当前正在继续解决的课题。鉴于上述原因,我们研制了一台键盘字符终端用于大型试验的监视和控制。它的主要部件均采用大规模集成电路。键盘电路采用了可编只读存贮器,并使用了固化微程序。字符库也采用了可编只读存贮器,     

MAS-ROM-可以用电的方法重新编存程序的带译码器的只读存贮器

简介——本文对在芯片上进行X-Y矩阵译码的金属一氧化铝-硅(MAS)只读存贮器的电特性和可靠性进行评价。MAS只读存贮器利用栅绝缘物薄膜中的所谓电荷存贮现象,是可以反复用电编存程序和不易失信息的集成电路存贮器组件,其中一位存贮单元。仅由一个N沟道增强型MAS晶体管组成。有选择地从沟道注入电子使晶体管阀值电压增大,而在栅极外加大的负电压使阀值电压减小。可靠性试验表明长期衰减对时间呈对数依赖关系,在150℃栅压为+10伏下,每10年存贮时间的衰减斜率为0.7伏。 使用由一台中型计算机、一个命令输入键盘、一组舌簧开关板和一台存贮型阴极射线管图解输出装置组成的人-机相互会话操作系统,对MAS只读存贮器进行鉴定。为证明MAS只读存贮器是切实可行的,以一个4 K字节的只读存贮器系统作为一台小型计算机微程序存贮器的样机进行了评价,其取数和周期时间为150毫微秒。     

五、语音处理中集成电路技术的影响

1、集成电路的特性 A 面积高密度只读存贮器在IC技术中,只读存贮器ROM是特别高效的。用一种动态读出电路和虚拟地参考系统,可使这种存贮器对每一位数据的绝对面积减少到最小值,即每一位仅要求一个晶体管,而该管的大小这样安排:用最小的扩散宽度和空间以及最小的表面来定义。由于处理的尺寸变小,ROM尺寸也自动变小,故在特性上保持了先进性,並超过随机逻辑电路。动态读出方法意味着对大阵列的存取时间将相对变长。这对于2~(13)位或更小的ROM来说不是主要问题,但当阵列达到2~(17)位范围时,要求的存取时间便上升到10至20倍逻辑周期时间。     

双极半导体熔丝型只读存贮器基本电路原理与逻辑应用

双极半导体熔丝型只读存贮器这几年在国外发展很快,美帝的所有大型集成电路工厂目前几乎都生产此种产品。集成度越来越高。据报道已出现每片4000单元的电路,熔丝型式也多种多样。但是,应用最普遍的仍是NiCr熔丝电路。     

双极型半导体存贮电路

<正> 近十年来,半导体集成电路得到迅速发展,集成电路存贮器作为计算机的重要部分的存贮部件,尽管还处于幼年时期,但已占有显赫的地位。在电路研制和系统应用的研究方面都得到人们十分注意。从高速缓冲存贮器到大容量的主存贮器都在逐步采用。其主要特点是速度快,工艺简单,便于生产的自动化,有利于减轻工人的劳动强度。随着大规模集成电路的研制和工艺的逐步成熟,高速度、低功耗、高密度的半导体存贮器,     

FAMOS只读存贮器模型实验报告

我们用中国科学院上海冶金所研制的P沟256×8的FAMOS只读存贮器组件(仿1702A),做了一个FAMOS只读存贮器模型。模型的容量是1024×8。周期是2微秒,在电源电压 5伏及-9伏分别变化±10%,以及温度从-10℃至70℃范围内均能正常工作,能抗一般性干扰。模型在室温、正常电压下稳定工作了1700多小时,工作正常无故     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

金属氧化铝半导体晶体管只读存贮器

最近,由于信息量不断增加,对计算机的大容量化、高密度、高速化、低成本的要求越来越高。为此,除了使用写入和读出重复性几乎相同的暂存器外,还研制成了只读存贮器,其用途是把固定信息多次重复读出,目前这种存贮器颇受重视。只读存贮器的特点是,写入时间此读出的取数时间长,写入用的外围电路简单,所以其造价低,而且由于只读出,故可缩短运算时间。只读存贮器不仅可做为数字表     

三种大规模集成电路组成微型机LSI-11/23的中心处理单元

双总线和组合程序可控逻辑和只读存贮器的芯片为 LSI-11/23提供了速度及可扩充的微指令存贮器。     

三种LSI组成LSI-11/23微型机的CPU

双重总线、可编程逻辑和只读存贮器组合成一个芯片为LSI—11/23提供快速及可扩充的指令存贮器。     

伊利阿克Ⅳ的只读存贮器

引言 由于伊利阿克Ⅳ计算机操作速度高,指令库大和控制集中,所以使用了一个只读存贮器将指令翻译成控制信号。这些控制信号撒播到并联处理机阵列,逐步控制各处理机的操作。有260条指令,每一条都译成一个微序列(微程序)用于选取只读存贮器。每个微序列由1到69个微步(微指令)组成。 只读存贮器是一个晶体管交点矩阵并且是用分离晶体管配置在大型多层板上。存贮器容量是720字(微步)×280位(控制信号),周期时间是50毫微秒。     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

H-MOS工艺

一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多晶硅工艺,并多结合局部氧化等平面隔离工艺及耗尽型负载 E/D 技术耒提高电路性能,从而形成了标     

只读存贮器的几种特殊应用

众所周知,只读存贮器(ROM)通常用作计算机的程序存储器。但它还有一些特殊用法,有时显得十分巧妙,能起到简化电路、降低成本的作用。因为只读存储器本质上是一种具有"映象"功能的逻辑元件。对于输入(地址线)的每种逻辑状态它都有且只有一种对应的输出(数据线)。这种映象关系是任意的,只要能以表格方法来表示即可,它们可以在制造元件时直接固化,对于较大的批量将有较低的成本。对于可电擦除的只读存贮器(EP ROM),则可以任意改写。下面仅以几个典型的实例介绍两类具体应用。一、逻辑门阵列对于输入、输出线较多,逻辑关系复杂的逻辑变换,使用门电路实现是比较麻烦的,而用ROM则简单而     

TTL中规模集成电话及其应用(第八讲)

<正> 二、只读存贮器(一)结构与参数1.结构因为双极型只读存贮器(ROM)的信息是预先写入的,一旦写入后,其内容就不能改变了,所以工作时只能读出信息。它不象随机存贮器那样,要用较复杂的双稳态电路作为存贮单元,而ROM可用熔丝、三极管、二极管等作为存贮元件。它是通过究竟是设置还是不设置存贮元件来表示存入的信息是“0”还是“1”的。这样,ROM的结构就要比RAM简单得多。其价格也比RAM要便宜。ROM一般采用多位结构     

微程序控制的主存自检系统

<正> 一、概述大规模集成电路存贮器的发展,给存贮器系统带来了巨大的影响,现在不论是计算机的主存,还是超高速缓存以及输入输出设备的缓存都逐渐地使用半导体存贮器,尤其是 MOS 半导体存贮器在主存领域里正在取代磁心存贮器而居于主流。因此不论是对电路的设计、制造者来说,还是对系统设计者来说,需要了解大规模集成电路(LSI)存贮器的可靠性是完全必要的。LSI 存聍器具有体积小、集成度高、速度快、可靠性高等特点,尤其是存取速度高是半导体存贮器区别于磁心存聍器的一个显著特点。