双极型存贮器单元的一种新隔离方法

钝化隔离可使集成电路同时具有双极型的速度和MOS的密度,并且具有简化掩模和自校准等特点,从而提高成品率降低成本。     

高性能单片存贮器

本文包括三篇译文: (1)“高性能单片存贮器”——介绍IBM360/85系统等应用的高速双极缓冲存贮器的系统考虑、逻辑型式以及外围电路和使用情况。 (2)“64位平面双扩散存贮器芯片”——介绍上述存贮器所用的双极存贮芯片、工艺结构,布线图形和器件性能。 (3)“一种新型高性能双极单片存贮单元”——介绍上述存贮器阵列单元的电路原理、工艺图形设计及性能参数。     

高速双极型逻辑集成电路——ECL、TTL近况

前言 随着电子数字设备在高速大容量方面不断提出新的要求,对单元逻辑电路速度要求也越来越高。半导体集成工艺技术的飞速发展,已使毫微秒、亚毫微秒逻辑电路的生产和使用成为现实可能。 当前,双极型晶体管逻辑电路主要仍然是分饱和型和非饱和型两大类。市埸大量供应的半导体逻辑集成电路基本型式有:(1)二极管-晶体管逻辑电路(DTL),(2)晶体管-晶体管逻辑集成电路(TTL),(3)射极耦合电流开     

双极熔丝型只读存贮器(PROM)综述

(一)PROM的概况 (一)引言 随着微程序技术在数字控制和数据处理系统中的广泛应用,对只读存贮器(ROM)的要求出越来越多。据报导曾研制过例如电阻、电容、变压器等各种型式的ROM,有些至今仍在一些机器系统中应用,但从60年代末期开始,由于半导体大规模集成工艺飞速发     

双极半导体熔丝型只读存贮器基本电路原理与逻辑应用

双极半导体熔丝型只读存贮器这几年在国外发展很快,美帝的所有大型集成电路工厂目前几乎都生产此种产品。集成度越来越高。据报道已出现每片4000单元的电路,熔丝型式也多种多样。但是,应用最普遍的仍是NiCr熔丝电路。     

位片微处理器的整机应用

<正> 前言 半导体大规模集成电路(LSI)在70年代得到飞速发展。在MOS电路方面,由于工艺结构简单、以及硅栅工艺、多层布线技术的成功应用,使MOS型存贮器、微处理机的集成度不断提高。到1980年,市场上已开始售出16位单片微处理机,64K RAM,64K EPROM。不过,尽管目前MOS型单片微处理机已普遍     

DJS184-B机微程序ROM模拟器

用高速RAM构成的微程序ROM模拟器,作为微程序设计支持设备,为184-B机的样机调试带来很大方便。本文介绍了该模拟器的系统结构、设计特点和使用效果。     

PROM编程器的设计和研制

近年来同际上LSI飞跃发展,微处理器迅速兴起,半导体只读存储器PROM、EPROM得到了广泛应用。对于采用PROM、EPROM的任何数字系统,PROM编程器都是必不可少的编程工具,同时它又是微型机开发系统(MDS)中的一种组成设备。     

高速双极只读存贮器的设计考虑

本文描述一种完全用双极工艺制造的高速集成电路只读存贮器的设计发展和性能。讨论两种电路结构。第一种是以1024×1存贮器机构为基础的,第二种是第一种加上可变存贮器格式,三状态输出电路和芯片具有启动功能构成的。列举性能参数证实在已验证的集成电路工艺范围内,只读存贮器(ROM)具备在芯片上全译码,输入输出与标准集成逻辑电路(IC)相适应,1024位存贮器达到小于50毫微秒(ns)的取数时间。     

ROS设计中一种减少存贮单元的技术

引言 一台n个输入端(n位地址)和m个输出端(m位字)的只读存贮器存贮2~n×m位信息、简称为2~n×m位ROS。将单片阵列用作为ROS要依赖于一有效的存贮(写一次)程序(或ROS的定型(Personalization)。通常考