读取时间25ns的双极1K位TTLRAM

叙述一种快速简单的1024位TTL随机存取存贮器(RAM),立足于晶体管的非饱和工作,应用“数字式电阻”(“digital resistances”)的优点使具有小的但是稳定的电平和落差。它很好地配合了通常用来完成金属布线和扩散的非常精确的工艺版图。     

只读存贮器的某些使用方法

本发明的范围 本发明涉及只读存贮器,这是一种能读出但不能写入数据的存贮器。本发明详细涉及到的存贮器其存贮元件是晶体管排列成的阵列或矩阵。例如,“1”可用一通导晶体管来表示,则“0”用一截止晶体管来表示。     

100毫微秒周期时间的集成MOS晶体管联想存贮器系统

引言 自从采用MOS晶体管集成电路作为联想存贮器记忆单元的研究结果公布以来,128字每字48位的联想存贮器已经实验和设计。 本文讨论采用MOS晶体管工艺的全集成     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

MCM6830A MOS N沟硅栅1024×8位唯读存贮器

MCM 6830A是为总线结构系统而设计的掩膜可编程序字节结构存贮器。采用 N 沟硅栅工艺制造。为便于使用,器件从单电流工作,并能与 TTL 及 DTL 兼容,由于静态操作,故不需时钟或刷新。谈存贮器可与 M6800微计算机系列相容,并以字节增量形式提供唯读存贮。存贮器扩展可通过多级片选输入来实现。片选输入的有效电平和存贮容量可由用户确定。     

MCM 6832 MOS N沟低阈值2048×8位唯读存贮器

MCM 6832是为在母线结构系统使用而设计的掩膜可编程序字节结构存贮器。采用 N 沟硅栅工艺制造。为便于应用,器件与 TTL 及 DTL 兼容,由于静态工作,因此无需时钟和刷新。该存贮器与 M6800微计算机系列兼容,以字节增量形式提供唯读存贮。通过片选输入实现扩展。片选输入的有效电平和存贮器内容由用户确定。     

MCM6605A L/L1/L2 MCM6605A P/P1/P2 MOS N沟硅栅4096位动态随机存取存贮器

MCM 6605A 是高速动态随机存取存贮器,具有高性能、低成本,适用于主存贮器、缓冲存贮器和外部存贮器。是按一位4096字编排的,这些存贮器是采用选择氧化 N 沟边硅栅工艺制造的,以使器件的速度、功耗、集成度达到最佳性能。除单个高电平时钟外,所有地址和控制输入是与 TTL 兼容的。全地址译码可作在芯片上,为了使用方便,可与地址寄存器结合起来。整个存贮器的更新是由连续循环通过地址 AO—A4(32周期)的周期完成的。每次最大更新时间是2.0毫秒。     

TTL——CMOS电平转换器

<正> 在数字电路中,经常碰到把TTL 电平转换为GMOS 电平的问题。人们经常用晶体管来设计这种电平转换器。我们用TTL OC 门设计了一个电平转换器,经济实用,效果好。     

MCM68316E MCM68316E1 MOS N沟硅栅2048×8位唯读存贮器

MCM 68316E 是用于母线结构系统掩膜可编程序字节结构存贮器。采用 N 沟硅栅工艺。为便于应用,器件由单电源供电,与 TTL 及 DTL 相容。由于静态工作,不需时     

HDS—9大型数字计算机系统

HDS—9是一台主要用于数据处理的计算机系统,这个系统要求可靠性高,功能强、速度快,内存容量大。为适应这些要求,我们在系统结构上采用一些新思想,新技术,例如双处理机结构,流水线控制技术,虚拟存贮器技术,存贮器保护,存贮器交叉访问,处理机与主存间的速度匹配,RAS技术,统一标准接口的I/O系统;在工艺技术上采用高密度组装技术,用S—TTL电路组成单臂门闩触发器数字系统;在系统软件方面采用单一的操作系统等。     

TTL电路中一种新型的抗饱和结构的设计与分析

本文提出了一种新型的抗饱和结构的设计，它能以最小的代价来改善TTL门电路的性能。附加的反馈晶体管有效的控制了输出晶体管进入深饱和状态，因此在提高关断速度方面的成就与采用肖特基势垒二极管的成就相似，而且这种结构有更好的抑制噪声能力，同时能和任何双极型工艺兼容。     

MCM 68308 MOS N沟硅栅1024×8位唯读存贮器

MCM60308是为母线结构系统而设计的掩膜可编程序字节结构存贮器,采用 N 沟硅栅工艺制造,为方便应用,器件以单电流工作,并与 TTL 及 DTL 兼容,由于静态工作,因此不需时钟或刷新。谈存贮器可与 M6800微计算机系列相容,以字节增量形式提供唯读误存贮。通过多级片选输入实现存贮器扩展,片选输入作用电平及再贮器容量由用户确定。     

直接驱动系统中晶体管的可靠性

随着晶体管击穿电压和所能承受功率的不断提高,在磁心存贮器中,二极管引导直接驱动的方案已被广泛采用。在直接驱动中,晶体管处于什么工作状态,直接驱动对晶体管有什么要求,这是值得研究的问题。本文将就这问题谈点初浅认识,并从使用角度探讨晶体管工作的可靠性。     

用微程序控制的通用计算机

通用数字计算机 SD-2有一个存取时间为20微秒的磁心存贮器和一个存贮微程序的二极管存贮器。机器的字长为19位,指令系统有31条指令;程序存放在磁心存贮器中。每条指令中的地址码用14位,其中12位用作主地址,一位用作变址地址,另一位作间接地址。第32条指令是无地址指令,用来完成不需要地址的操作。机器采用晶体管逻辑电路。这台用微程序     

取数时间很短的数字计算机存贮器(阿特拉斯计算机固定存贮器)

(1)前言大家知道,快速取数存贮器对快速计算机具有重大意义。实现快速取数存贮器有许多方法,其中包括穿孔卡片读取装置及矩形磁滞回线磁心的绕线系统(2,3)。随着超高速晶体管计算机线路的最新发展,计算机存贮器取数时间已成为决定整个计算机速度的主要因素。因而,有必要加快存贮器的取数时间,特别是加快永久存贮器及半永久存贮器的取数时间。     

限幅电压开关理论及三值TTL电路的开关级逻辑设计

本文根据作者对CMOS电路的研究经验,在分析二值与三值TTL反相器工作过程的基础上,讨论了TTL电路中晶体管开关元件与信号之间的相互作用过程,并由此建立了适用于TTL电路的限幅电压开关理论,设计实例表明,该理论不仅可用于指导三值TTL电路的设计,而且还可用于指导二值TTL电路的设计,由此显示出该理论的实用意义。     

全晶体管磁心存贮器

最近曾对利用小铁氧体磁心作为存贮元件的中型高速磁心存贮器进行了一些工作。为了进行这项工作,必须对高重复频率下铁氧体磁心的性质进行厂泛的测试,共试验结果使得有可能建立一套应用线选择或电流重合法选择技术的准则。高速晶体管推动的存贮器中所采用的特殊小的铁氧体磁心的特性将在本文中加以讨论,同时也考虑了运用全晶体管方法时所引起的附属问题。     

伊利阿克Ⅳ的只读存贮器

引言 由于伊利阿克Ⅳ计算机操作速度高,指令库大和控制集中,所以使用了一个只读存贮器将指令翻译成控制信号。这些控制信号撒播到并联处理机阵列,逐步控制各处理机的操作。有260条指令,每一条都译成一个微序列(微程序)用于选取只读存贮器。每个微序列由1到69个微步(微指令)组成。 只读存贮器是一个晶体管交点矩阵并且是用分离晶体管配置在大型多层板上。存贮器容量是720字(微步)×280位(控制信号),周期时间是50毫微秒。     

STTL甚高速数字集成电路

<正> STTL是肖特基势垒二极管抗饱和的晶体管耦合逻辑电路,是在标准TTL电路向高速发展而派生出来的一个新型系列。门的典型传输延迟时间为3ns,触发器的翻转频率可达125MHz。它和标准TTL、     

带肖特基的TTL双与非门集成电路的特点

<正> TTL数字电路按其工作状态大致可分为饱和型和非饱和型电路两种。标准型的TTL电路如图1所示,即国外的54/74系列,是典型的饱和型逻辑电路。在这种电路中,为了确保晶体管进入饱和状态,缩短晶体管的导通时间,基区必须注入大量的电流。由于大量的空穴注入晶体管的基区,使管子的BC结由反向偏置转为正向偏置,晶体管的基区和集电区内就存在着大量的少数载流子,产生了所谓饱和现象。由于这种饱和现象而产生的电荷积累,使晶体管由导通转为截止时必须设法使这个大量的少数载流子消灭或用外电路将其流出,这就需要一定的时间,这个时间叫