干式腐蚀

现在,以半导体集成电路为代表的微电子元件所用的微细图形,是由以照相技术和化学腐蚀为中心的工艺完成的。但是,化学腐蚀具有如下的问题:(1)最近,由于图形向微细化发展,既使已用到此项极限技术,要进行十分良好的腐蚀也还是相当困难的。(2)工艺带来了腐蚀表面的氧化、表面对水分的吸附、侧向腐蚀等现象,这些都是使用水溶液腐蚀剂所不可避免的本质困难。(3)药品的水溶液将发生公害。干式腐蚀技术,能够解决以上问题,它是一种利用离子轰击构成的溅射腐蚀和活性     

电子束作图装置HL—600系列

随着集成电路器件微细化的进展,采用电子束作图装置就越来越显得必要了。这种装置以往用来制作集成电路图形原版的掩模和一次版,其微细性和高精度已被人们所重视。最近,它作为直接在圆片上曝光制作集成电路图形的装置,与QTAT以及尖端器件的一部分微细图形加工用的装置——缩小投影曝光装置等混合使用了。为了探讨电子     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用.为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar 干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小.     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率，并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果，分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分，并制作了单元可见盲器件，测试其反向漏电流，发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。     

有关微细加工的几个问题

随着微波集成电路、声表面波器件、超导电子元件等固体器件的发展,特别是大规模集成电路、超大规模集成电路的发展,微细加工技术成了世界上发达国家发展微电子技术的重中之重,我国也将其列为重点攻关项目之一。化学气相沉积、热扩散掺杂、光学系统曝光、湿法刻蚀战功地解决了2～3微米以上线宽图形的制作,称为第一代微细加工技术。以真     

刻蚀技术的进展

1.前言 刻蚀技术是这样一种工艺,即在硅片之类的基板表面涂敷感光膜或者光致抗蚀剂,在其上面复制微细图形,并通过显影处理残留适应图形微细形状的光致抗蚀剂。把这种光致抗蚀图作为保护层,实施基板表面的蚀刻和有选择添加杂质等的加工工序,利用这种技术能制作微细器件和电路。因此,刻蚀技术是决定集成电路微细尺寸首要的基础技术。     

激光直写系统制作掩模和器件的工艺

激光直写系统是国际上９０年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用，可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺，并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例     

超微细加工与等离子体技术

等离子体刻蚀是基于辉光放电低温低电离等离子体中的激活中性粒子(基团)与固体表面产生化学反应。由于原子团在等离子体中作随机运动,所以成为各向同性刻蚀,难以得出高精度的微细图形。在用平行平板型刻蚀装置在低气压下工作的情况下,反应性离子被电极表面附近形成的自偏压所加速,产生物理反应与化学反应,可以产生各向异性和选择性刻蚀。用这种方法,可能形成高精度的微细图形。     

半导体、绝缘体和导体的溅射腐蚀工艺

溅射腐蚀又可称为逆溅射、反溅射,离子腐蚀、溅射清洗等,这一工艺可广泛地用于半导体、绝缘体和导体材料,特别适用于多层布线的集成电路工艺、浅结工艺非常有用。溅射腐蚀的优点为。1.一般的化学腐蚀,在腐蚀窗总要产生钻蚀或侧向腐蚀,而溅射腐蚀穿过抗蚀剂窗孔可作垂直壁腐蚀。2.在浅结工艺中,可以达到只腐蚀几埃的深度要求,做到可控,这在化学腐蚀中,或者是办不到,亦或达不到可控要求。3.不需用化学腐蚀剂就达到腐蚀目的。4.可以作小孔的深腐蚀。5.这种技术还可用于作表     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率，并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果，分别利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和俄歇电子能谱（AES）对比Ar^＋干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分，并制作了单元可见盲器件，测试其反向漏电流，发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。     

理化学研究所采用激光开发微细沟道加工技术

<正>据日本《O Plus E 》1991年第142期报道,日本理化学研究所开发新的无抗蚀剂腐蚀技术,通过激光在GaAs衬底上加工微细沟道。利用激光在衬底上产生表面等离子波及其干涉,成功地制成了线性图形。今后可望应用于制作量子线器件等高性能半导体激光器。     

溅射SiO_2膜的剥离图形

<正>日本电气公司武藏野电气通信实验室最近报导了溅射SiO_2膜的剥离作图方法,他们用这种方法成功地作成了具有斜侧壁的SiO_2图形,与过去用的湿法化学腐蚀和圆筒形等离子体腐蚀方法相比,没有侧向腐蚀而产生的钻蚀,图形精度高。该实验分以下几个步骤(见图):(a)使用一般光刻法在Si衬底上形成正性抗蚀剂(AZ-135)图形,在140℃下进行后烘,这些图形为微米厚,并有60°斜侧壁。(b)用平面rf磁控管溅射装置,在衬底上淀积SiO_2膜。(c)用缓冲氢氟酸轻微腐蚀(30℃,30s),除去淀积     

本期显示术语——光刻(photo etching)

光刻(photo etching)是利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术,在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所知,但长期以来由于缺乏     

日电东芝情报系统用全干法腐蚀技术的1微米工艺试制成功1K位静态RAM

日电东芝情报系统,是日本超大规模集成电路研究机构之一。它采用全干法腐蚀1微米工艺试制成功了1K位静态RAM,这一研究结果已在今年8月举行的电子通信学会半导体与晶体管研究会上发表。 随着超大规模集成电路的研制,2微米以下的图形的加工技术已成为必不可少的;而在腐蚀工艺方面,将以往的湿法腐蚀改为干法化也提到议事日程上来了,各种干腐蚀技术也迅速地在器件制造中得以广泛的应用。特别是光刻胶图形的形成方法与横向腐蚀少的腐蚀方法变得很重要。最近,以可以进行各向异性腐蚀的反应性溅射腐蚀为中心的平行极板型腐蚀方法,最为引人注目。     

电子束离子束的微细加工

应用于固体器件的电子学自从诞生之日起便把小型化、高集成化和提高频率做为一贯的努力目标。如果回顾一下固体器件电子学的发展过程,不难看到每一种新技术的出现必定成为它向前发展的先导。制造集成电路或者大面积集成电路的主要技术是杂质热扩散、照像制作掩膜图形、化学腐蚀和外延生长单晶薄膜等。可以说这些技术构成了目前的固体电子学。然而,这些技术必竟有一定的精度界限,再进一步寻求超高速超小型已非常困难。譬如,用于计算机逻辑电路高速动作的标准P、t乘积(P是耗散功率,t是演算时间)愈小,计算机愈能高速工作。图1示出了从电子管开始经过合金型晶体管,向TTL(晶体管和晶体管偶合)、     

等离子体刻蚀对CdTe太阳电池性能的影响

采用不同干法腐蚀条件下的CdTe薄膜制成器件, 通过I-V、C-V和光谱响应等测试 了电池性能参数。结果表明,溅 射时间太短和功率太小时不能完全去除氧化层,溅射时间过长和功率过高会对薄膜表面造成 损伤, 影响器件性能。 通 过选择器件性能较好的电池、 找出适合等离子束溅 射工艺的条件,所制成的电池转化效率 达 到10.99%;而湿法腐蚀所 制成器件的转化效率为 10.26%。由此可以认为,等离子束轰击溅射的 腐蚀方法较湿法腐蚀更适用于CdTe太阳电池的制备。     

半导体器件制造技术(八)

在半导体器件和集成电路中,需要应用多种金属薄膜和介质薄膜,金属膜用作器件内部电极的欧姆接触和延伸引出,集成电路各组元件之间的低电阻连接等。介质膜用作集成电路中多层布线的介质绝缘等。这些薄膜一般都采用真空淀积的方法制作。因为此淀积过程在真空中进行,可以得到器件所需要的高纯膜,也可避免器件表面被沾污。同时,淀积可以在低温下实现,因此,淀积过程不至引起器件内部结构的变化。一般地说,真空淀积可分成蒸发和溅射两种不同的方法。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

石英音叉微细加工若干问题探讨

采用基于半导体工艺的光刻、化学腐蚀等微细加工方法在石英晶体基片上批量制作石英音叉。化学腐蚀石英音叉时，叉指的一个侧面中央有棱角，腐蚀速率先慢后快有利于棱角的消除，但去掉棱角的主要方法是增加腐蚀时问；实验探索了能够耐受长时问腐蚀液浸泡的Cr／Au掩模的制作方法和工艺，成功地腐蚀出石英音叉样品；选用黑白反相的十字套准标记进行石英音叉图形的双面光刻套准可以减小人为对准误差，腐蚀出的双面音叉图形的套准精度可小于3μm。石英晶体结构的三角对称性和Cr／Au掩模的耐腐蚀性是限制微细加工制作石英音叉达到理想形状的关键。     

一种新的铝和铝-铜-硅的干法腐蚀技术

本文介绍一种新的干腐蚀技术,即铝的“反应掩蔽溅射腐蚀”技术。这种工艺技术可刻蚀微细线条的铝和铝-铜-硅合金膜图形,没有目前通用的反应溅射腐蚀方法存在的许多麻烦问题。这种技术把淀积和腐蚀包含在一个工艺过程之中,在三氧化二铝、铝和铝-铜-硅合金被腐蚀的同时,所有其他材料表面却被涂敷上一层SiOx膜。这在本质上产生特别大(铝/掩模和铝/衬底)的腐蚀速率比。此外,腐蚀气体不含有通常会产生浸蚀和钻蚀现象的氯。事实上,这种腐蚀技术兼有反应溅射腐蚀和非反应溅射腐蚀的优点。本文介绍的腐蚀气体是四氟化硅/氧混合气体。研究结果表明,大多数添加的杂质气体对腐蚀的影响非常小。但是,添加水或氢气则可明显地影响腐蚀特性。文章示出了用光致抗蚀剂作掩蔽层采用四氟化硅/氧/氢混合气体进行反应掩蔽溅射腐蚀的典型腐蚀剖面。