化学镀镍铜磷在钕铁硼表面处理上的应用研究

为提高钕铁硼表面镀层的耐蚀性,使其具有更高的经济附加值,采用在化学镀镍磷合金液中添加适量的铜离子及其复合络合剂,制得镍铜磷三元合金。研究了镍离子、铜离子、次亚磷酸钠、复合络合剂添加量,沉积温度、pH值对合金镀层沉积速度的影响。利用中性盐雾试验比较了其与电镀镍、化学镀镍磷合金的耐蚀性能。结果表明：化学镀镍铜磷合金能明显提高钕铁硼表面处理后的耐蚀能力。     

铝上化学镀镍层耐蚀性研究

采用中性盐雾腐蚀试验方法对铝上化学镀镍层的耐蚀性进行了研究，重点比较和讨论了镀层厚度和镀层含磷量以及镀覆工艺对化学镀Ni—P合金层耐蚀性的影响。     

镀镍光纤抗拉强度及其影响因素

针对以硫酸镍为主盐所得镀镍光纤表面质量较差、镀层内应力大和抗拉强度低等问题,采用氨基磺酸镍为主盐在化学镀镍后的光纤表面电镀镍。对比研究了两种工艺所得镀镍光纤的表面质量和抗拉强度,与FiberGuide所售镀金光纤进行了对比。结果表明:以氨基磺酸镍为主盐所得镀镍光纤表面比以硫酸镍为主盐所得镀镍光纤表面更加光滑致密;氨基磺酸镍镀镍光纤的抗拉强度(877.20 MPa)比硫酸镍镀镍光纤的抗拉强度(511.11 MPa)提高41.73%,与FiberGuide所售镀金光纤的抗拉强度(718.99 MPa)相当;光纤表面有机物涂层的去除方法,包括光纤钳和化学浸泡去除方法,可能影响最终镀层表面质量。     

PTCR元件化学镀镍电极的最优工艺条件

采用正交试验法研究了络合剂浓度、镀液 pH值、施镀温度与时间对BaTiO3 陶瓷PTCR元件化学镀镍电极的影响 ,得到制备化学镀镍电极的最优工艺条件。重复试验证明 ,在该工艺条件下获得的以Ni镀层为底层电极的PTCR元件 ,其耐电压和耐工频电流冲击性能良好。     

镍镀层对微波组件用铝合金壳体激光焊接的影响

研究了镍镀层对铝合金壳体激光焊接工艺的影响。采用不同的焊接参数和不同的镀镍类型分析了镍对铝合金的激光焊接影响;然后通过X-ray荧光厚度测试仪、金相显微镜、扫描电子显微镜、切片分析及显微硬度等手段对镀镍铝合金壳体激光焊接的焊缝形貌、焊缝与基体的硬度变化进行了分析。研究结果表明,在合适的焊接参数下,镀镍的铝合金壳体可以实现激光焊接。不同类型的镍镀层对激光焊接影响不同,电镀氨基磺酸镍和磷质量分数小于10%的化学镍对铝合金壳体激光焊接影响较小,均可实现激光焊接。而镍镀层中磷质量分数大于10%易使焊缝产生裂纹、气孔等缺陷,影响铝合金壳体的密封性能。金相分析也显示,镀镍铝壳体的焊缝熔深大于0.5mm,焊缝形貌致密,内部无裂纹等缺陷。显微硬度结果显示,硬度沿着热影响区方向由大逐渐变小,说明镍元素对焊缝的强度起到了增强作用。可靠性验证结果显示,在温湿度和机械应力作用下,电镀镍和化学镍(磷质量分数小于10%)样品的密封性能无恶化。     

化学镀镍及其在测试转台中的应用

详细介绍了化学镀镍的特点，应用范围以及镀层的特性，针对其特点介绍了化学镀镍在天线测试转台中的应用，并着重介绍利用化学镀镍控制齿轮侧隙的办法。     

金属化光纤光栅内应力的分析和实验研究

通过化学镀的方法,在光纤光栅表面得到了不同厚度的均匀金属镍镀层。由于材料热膨胀系数的差异,金属镍镀层将会在光栅内部形成内应力,这种内应力将随着镀层厚度的改变而改变。理论上分析了金属镀层的厚度对光栅中心波长漂移的影响,获得相关的理论曲线;实验上通过对化学镀镍全过程光纤光栅反射光谱的在线监测,获得了不同镀镍层厚度的光纤光栅中心波长的改变量,实验数据与理论分析结果吻合较好。     

化学镀Ni层中的添加剂对焊料接合可靠性的影响

概述了化学镀镍层中的微量添加剂(PDIS)浓度对化学镀Ni/Pa/Au镀层的析出速度、耐蚀性、焊料湿润性和焊料接合可靠性的影响。     

电子陶瓷表面化学镀Ni-B合金的研究

研究采用以硼氢化钠为还原剂的化学镀镍溶液，在电子陶瓷基体上镀覆了Ｎｉ－Ｂ合金镀层。测试结果表明：该镀层的可焊性极好，与陶瓷基体的结合强度较高     

电子陶瓷表面化学镀Ni-B合金的研究

研究采用以硼氢化钠为还原剂的化学镀镍溶液，在电子陶瓷基体上镀覆了Ｎｉ－Ｂ合金镀层。测试结果表明：该镀层的可焊性极好，与陶瓷基体的结合强度较高     

图电板线路缺口开路改善

缺口开路属图电板第一大报废项目,对图电板整体品质影响极大,是图电板品质改善的重点方向,通过对图电板在图形工序加工过程的全程跟进与研究,发现图电板的缺口开路主要因脏物和碎膜造成,经分析,这些脏物和碎膜主要来自于四个方面,文章将对此分别进行阐述和改善。     

选择性化学镍/金工艺的应用

本文主要通过对选择性化学镍／金的生产应用，就流程中的二次干膜、退膜、化学镍金、OSP的相关生产控制进行总结。     

以氮化铝陶瓷为基板的倒装式封装工艺研究

详细比较了氮化铝的各各上金属化工艺。分别研究化学镀镍与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明,两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于１０ＭＰａ。同时对这身份钟方法的特点与适用范围进行概述。     

以氮化铝陶瓷为基板的倒扣封装工艺研究

研究了以氮化铝为基板的倒扣封装的工艺。详细比较了氮化铝的各种金属化工艺。分别研究化学镀与激光诱导淀积实现金属化的方法。测量表明两种方法制备的金属层与氮化铝的粘附力均大于 10 MPa。同时对这两种方法的特点与适用范围进行概述     

以酒石酸钠钾为络合剂的常温化学镀铜液研制

常温化学镀铜溶液具有反应温度低、甲醛自我分解少、维护费用低等优点。为了寻找合适添加剂并确定各组份最佳含量,获得一种反应活性好,维护简单的沉铜液,文中通过设计七因素三水平正交实验的方法,综合研究了沉铜液中各组份对沉积速率、溶液稳定性、镀层外观的影响,确定了一种以酒石酸钠钾为络合剂,甲醛为还原剂,稳定性较好、沉积速率较高、镀层外观较好的常温化学镀铜配方。     

在Ag导电胶上化学镀铜工艺

概述了由Ag导电胶形成的Ag导电膜上的化学镀铜工艺,其特征在于采用新的活化工艺取代传统的Pd催化剂,可以在Ag导电膜上形成均匀致密,无镀层扩展和优良附着性的化学镀铜层,特别适用于印制板的Ag导电胶上选择性化学镀铜。     

取代化学镍金用于线宽线距小于30μm高密度印制板的新技术

化学镀镰/金具有优良的性能,已在印制电路板上获得广泛应用。但随着线路的线宽线距越来越小耙催化剂会夹杂在线路之间造成化学镀镖经常出现超镀现象,使化学镀腺/金工艺无法应用。为了解决此问题,我们发现用0.2μm厚的微碱性化学镀银层具有化学镀镖/金层相同的可焊性和打线功能,证明微碱性化学镀银工艺可以取代超高密度PCB的化学镀牒/金工艺。     

点状孔壁分离影响因素之探讨

文章通过单因素试验方法探讨了导致点状孔壁分离的影响因素,包括对膨胀过程的高锰酸钠浓度,镀铜后水洗温度,新旧镀液等影响因素的对比测试,统计出不同影响因素下的不合格率,优选出孔壁分离少的镀液参数。结果表明,化学镀铜后水洗温度为30℃和使用新配镀液对点状孔壁分离有很大改善作用。     

CoWBP capping barrier layer for sub 90 nm Cu interconnects

Electroless cobalt films have been obtained by deposition using a plating bath containing two reducing agents: dimethylamineborane (DMAB) and sodium hypophosphite. This formulation allows spontaneous activation on copper followed by auto catalytic electroless plating. CoWBP and CoBP films are proposed as diffusion barriers and encapsulation layers, for copper lines and via contacts for ULSI interconnect applications. The crystalline structure, chemical composition and oxidation states of the elements were studied, as well as the electrical resistivity, topography and morphology of the films. The film composition was characterized as a function of the solution composition; the barrier properties of the films were tested and an oxidation resistance study was conducted. The films were characterized and the results show that they can be applied as capping layers for ULSI copper metallization.