干膜与阻焊油墨对化镍金厚度的影响

感光阻焊与干膜析出物,是化镍金表面工艺金、镍缸控制寿命的原因之一,旨在改善黑焊盘缺陷。由于阻焊、干膜种类繁多,且阻焊、干膜与化镍金药水属于不同公司或厂家,鉴于配方专利等原因,单方对其相互影响原理甚至现象鲜有研究,此方面文献更是屈指可数。本文简述了"黑焊盘"发生的基本原理,并利用干膜以及不同阻焊油墨进行试验,通过测量镍金层厚度评估干膜与油墨对化镍金工艺的影响。通过机理验证试验,验证阻焊油墨析出物抑制化镍反应,而非目前业界所认知的加速反应。本实验一则为PCB厂家提供经验数据,利于生产控制;二则抛砖引玉,促进阻焊油墨、干膜、化镍金药水及PCB厂家对其进一步研究。     

化学镍金生产中的问题探讨简

文章主要探讨了化学镍金生产中所遇到的问题,如渗镀、漏镀、金面粗糙问题,结合我公司实际情况,进行的解决和改善的过程,为化学镍金生产积累了宝贵的经验,提高了我公司化学镍金的生产水平。     

化学镍/化学钯/浸金的表面涂覆层的可焊性和可靠性

概述了化学镍/化学钯/浸金(ENEPIG)表面涂(镀)覆层的优点。它比化学镍/浸金(ENIG)有更好的可焊接性和焊接可靠性。化学镍/化学钯/浸金表面涂(镀)覆层应该是有发展前景的。     

半导体晶圆化学镍/金UBM工艺与设备

介绍了半导体晶圆化学镍金UBM的工艺流程及其自动控制生产线,包括设备材料的要求及设备内部结构。在200mm的半导体晶圆上成功制作5μm化学镍/金UBM和18μm化学镍金凸点。在光学显微镜、表面轮廓仪和SEM下检测了化学镍/金镀层的表面形貌。通过EDX分析化学镍/金UBM中的镍磷含量。3D自动光学检测了200mm晶圆上化学镍/金凸点的高度和共面性,讨论了镍/金凸点的剪切强度和失效模式,分析了生产中化学镍/金UBM的两种常见缺陷及成因。     

印制板化学镍金工艺研究

本文通过正交实验设计,对化学镍金的工艺参数进行研究,提出了化学镍金的工艺设计方案,为建线生产做好了准备工作。     

化学沉镍金板线路阻焊剥离的原因探讨

作为印制电路板表面处理的一种方式,化学沉镍金能起到保护焊接镀层并提供可导电、可焊接界面的功能,因而得到广泛应用。然其本身仍有一些难以消除的问题,其中就包括线路阻焊剥离。本文讨论导致化学沉镍金板线路阻焊剥离的因素,包括阻焊后固化的温度(T)和时间(t)、油墨厚度(H)、油墨特性、沉镍金参数和沉镍金药水特性的影响。文章最后讲述一些基于作者经验的消除化学沉镍金板线路阻焊剥离的相对有效的措施。     

黑焊盘有关问题探讨及失效案例分析

本文从化学镍金的原理出发,探讨了黑焊盘的形成机理、影响因素及控制措施,并结合实际案例详细介绍了有关黑焊盘失效分析的思路和方法.     

选择性沉镍金与RISTON W250干膜

随着印制线路板的不断发展,重量轻、厚度薄、体积小、线路密度高已经是未来发展的主要趋势,板厚的减小使得热风整平(HAL)受到新的挑战,较薄的板经过HAL后容易翘曲或变形,为保证好的可焊性、导电性和抗氧化性,沉镍金工艺越来越受到同行的青睐.沉镍金工艺在经过多年的发展后,目前工艺技术已相当成熟,生产控制也较容易,原来主要是温度的控制、催化剂等添加剂加入量的控制较难,致使其在生产应用中受到一定的限制.全板沉镍金,金层沉积太厚和面积太多都会导致成本增加,于是在不断优选工艺参数的同时,减少沉镍金面积的选择性沉镍金成为大家的共同选择,杜邦生产的RISTON(R)W250干膜专为此用途设计,并且已经广泛的应用于选择性沉镍金上.根据全球众多厂家的多年验证,认为W250干膜在选择性沉镍金方面具有卓越的性能.     

PCB生产中的化学镍金浅谈

本文针对目前市场PCB厂家化学镍金应用广泛的最终表面处理。化学镍金工艺具有高度的平整性、均匀性、可焊性或耐腐蚀性等,正日益受到广大客户的青睐,本文就实际生产中遇到一些常见品质问题的原因及对策进行探讨。     

选择性沉镍金与RISTON(R)W250干膜

随着印制线路板的不断发展,重量轻、厚度薄、体积小、线路密度高已经是未来发展的主要趋势,板厚的减小使得热风整平(HAL)受到新的挑战,较薄的板经过HAL后容易翘曲或变形,为保证好的可焊性、导电性和抗氧化性,沉镍金工艺越来越受到同行的青睐.沉镍金工艺在经过多年的发展后,目前工艺技术已相当成熟,生产控制也较容易,原来主要是温度的控制、催化剂等添加剂加入量的控制较难,致使其在生产应用中受到一定的限制.全板沉镍金,金层沉积太厚和面积太多都会导致成本增加,于是在不断优选工艺参数的同时,减少沉镍金面积的选择性沉镍金成为大家的共同选择,杜邦生产的RISTON(R)W250干膜专为此用途设计,并且已经广泛的应用于选择性沉镍金上.根据全球众多厂家的多年验证,认为W250干膜在选择性沉镍金方面具有卓越的性能.     

化学沉镍金工艺稳定性研究——化金工艺稳定性研究课题总结

文章讨论了PCB化金生产制作工艺遇到的相关问题，指出影响PCB化金生产稳定性的各种因素和解决方案，从实践的角度探讨了稳定化金工艺的管理手段和途径。     

黑盘与化镍金PCB焊点失效模式

文章通过多个化镍金PCB焊接失效案例,探讨了黑盘与化镍金PCB焊点失效模式之间的关系。     

前处理对化学沉镍金金面外观影响的研究

前处理方式对印制电路板化学沉镍金工艺的金面外观影响很大,借助SEM及台阶测试仪,从铜面的微观结构及粗糙度两方面分析了尼龙刷磨刷、火山灰磨刷、喷砂、化学微蚀等前处理方式对铜面的粗化效果。研究了组合前处理方式对铜面粗化效果的影响及铜面粗化效果与金面外观的关系。结果表明,化学微蚀或喷砂+化学微蚀的组合前处理方式有利于获得较好的金面外观。     

硝酸法控制FPC基材渗镀化学镍金的研究

化学镍金工艺会产生基材渗镀的问题。讨论了FPC基材渗镀化学镍金的形成机理,采用硝酸法研究了基材渗镀化学镍金的控制要点,应用正交实验优化了硝酸处理FPC基材渗镀化学镍金的工艺参数。结果表明硝酸法可有效控制基材吸附镍金层,获得了最佳硝酸处理的工艺参数:活化时间90 s,温度30℃,硝酸浓度3 mol/L,反应时间30 s。     

耐电镀光致抗蚀干膜对化学镀镍镀层的影响

文章从FPCB生产案例金裂问题出发,研究讨论了耐电镀光致抗蚀干膜对化学镀镍药水pH值、镀层厚度、表面形貌和脆性的影响,并采用弯折法定性研究了干膜对化学镀镍镀层脆性的影响。结果显示干膜在化学镀镍药水中长时间浸泡使溶出物大量积累会增大化学镀镍镀层脆性。     

Interfacial reaction and joint reliability of fine-pitch flip-chip solder bump using stencil printing method

This study was focused on the formation and reliability evaluation of solder joints with different diameters and pitches for flip chip applications. We investigated the interfacial reaction and shear strength between two different solders (Sn-37Pb and Sn-3.0Ag-0.5Cu, in wt.%) and ENIG (Electroless Nickel Immersion Gold) UBM (Under Bump Metallurgy) during multiple reflow. Firstly, we formed the flip chip solder bumps on the Ti/Cu/ENIG metallized Si wafer using a stencil printing method. After reflow, the average solder bump diameters were about 130, 160 and 190 μm, respectively. After multiple reflows, Ni₃Sn₄ intermetallic compound (IMC) layer formed at the Sn-37Pb solder/ENIG UBM interface. On the other hand, in the case of Sn-3.0Ag-0.5Cu solder, (Cu,Ni)₆Sn₅ and (Ni,Cu)₃Sn₄ IMCs were formed at the interface. The shear force of the Pb-free Sn-3.0Ag-0.5Cu flip chip solder bump was higher than that of the conventional Sn-37Pb flip chip solder bump.     

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金(ElectrolessNickel&ImmersionGold;简称ENIG)沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。     

T/R组件基板电极区的互连可靠性

采用化学镀Ni/Pd/Au新工艺制作了T/R组件基板电极区,对比研究了在化学镀Ni/Au基板和Ni/Pd/Au基板上引线键合和钎焊的性能。结果显示:化学镀Ni/Pd/Au基板经过200℃烘烤处理6 h后,φ25μm金丝的引线键合强度大于0.08 N(8 gf),0402元件的焊点剪切强度大于4.9 N(500 gf),引线键合和钎焊性能均优于化学镀Ni/Au基板,有效地提高了T/R组件互连可靠性。