基于μCOS-Ⅱ的蓝牙音频应用系统设计

论文介绍了一种基于μC/OSⅡ嵌入式操作系统的蓝牙音频应用系统设计.硬件方面,采用Andes N9处理器开发平台,蓝牙芯片采用RDA5876;软件方面,完成了μC/OS-Ⅱ操作系统在硬件平台上的移植,实现了蓝牙协议栈应用程序.     

千兆以太网卡芯片A/D转换电路的设计与实现

介绍了一种用于千兆以太网卡芯片的8位125 MS/s CMOS流水线A/D转换电路的设计,包括体系结构设计、电路设计与仿真、版图设计。该A/D转换电路经过TSMC 0.13μm 1P8MCMOS工艺验证,工作电压为1.5 V/2.7 V。芯片测试结果表明,设计的A/D转换电路能够满足千兆以太网卡芯片的性能要求。     

PTCR陶瓷化学沉积镍电极的工艺及结构

用化学沉积法在ＰＴＣＲ陶瓷上制作镍电极可形成良好的欧姆接触，且成本较低。通过实验，优选出了合适的镀液成分、浓度及施镀条件。用扫描电镜分析了镍层的结构和成分，探讨了镀层的生长机理，并描述了核生长机理的模型。     

电子陶瓷材料的纳米尺寸效应和纳米技术

电子陶瓷材料的纳米尺寸效应、纳米技术以及代表纳米特征的相关特征技术变得日益重要。本文讨论了电子陶瓷材料领域的纳米技术研究进展以及将来的发展趋势。首先阐述了纳米氧化物陶瓷的尺寸效应，然后讨论纳米结晶陶瓷的制备方法和应用，最后叙述在纳米技术与半导体技术发展中并驾齐驱的集成陶瓷薄膜技术的发展趋势。     

拖曳线列阵声纳护套用聚氨酯的声学性能及材料体系

流噪声是影响拖曳线列阵声纳信噪比的一种主要自噪声。首先通过介绍湍流边界层脉动压力的产生及其对护套的作用方式，探讨了拖曳线列阵声纳护套内流噪声的产生机理；其次通过分析聚氨酯（PU）的透声和降噪机理，讨论了PU的声学性能；最后从PU单一体系和互穿聚合物网络（IPN）两个方面，分析比较了护套用PU的材料体系。     

工艺条件对PTCR热敏陶瓷喷雾造粒粉体性能的影响

采用压力喷雾造粒的方式对BaTiO3系PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明：喷雾造粒过程中浆料粘度过高,雾化条件控制不当,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程度增加,影响粉体的松装密度和流动性,对生坯成型及材料烧结不利,考虑到料浆中粘合剂含量、固体物含量的综合影响,添加适量的分散剂可以降低料浆的粘度,控制适当的雾化压力,选用合适的喷雾直径与涡旋片组合可以获得理想的粉体。     

化学镀铜液中铜离子型体分布和络合剂的作用

用热力学平衡方法研究了ＢａＴｉＯ３系陶瓷作了ＰＴＣＲ化学沉积金属电极时在酒石酸盐－铜郭子和乙二胺四乙酸钠盐－铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布状况。结果表明,酒石酸盐和乙二胺四乙酸钠盐络合剂会使化学镀铜速度明显下降,其可能的原因是空间的位阻。研究表明,选择合适的络合剂对于化学镀铜的稳定操作十分重要。     

不同络合剂对化学镀镍过程的影响

用热力学平衡的方法研究了在ＢａＴｉＯ３ 系陶瓷ＰＴＣＲ 上进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐 镍离子、甘氨酸 镍离子和柠檬酸盐 镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。研究结果表明,加入络合剂会影响化学镀镍的速度,醋酸盐会使化学沉积速度升高,而甘氨酸和柠檬酸盐会使化学镀镍速度明显下降,这可能和混合电位及空间位阻、化学键合力等因素有关。选择合适的络合剂对于化学镀镍的稳定操作有着十分重要的意义。     

InP胶体量子点的合成及光谱性质

以三辛基氧化膦(TOPO)作为溶剂,利用无水InCl3和P(Si(CH3)3)3之间的脱卤硅烷基反应合成了InP胶体量子点.其中,TOPO既作为反应溶剂又作为量子点的包覆剂和稳定剂,在反应后期加入十二胺作为表面活性剂.利用粉末X射线衍射仪及透射电子显微镜测量了量子点的结晶性、晶格结构、晶粒尺寸、表面形貌以及晶粒尺寸分布,利用光致发光(PL)光谱仪和紫外可见分光光度计分析了其光学性质.测试结果显示,量子点具有较好的结晶性及一定的尺寸分布,平均直径为2.5nm,标准偏差为7.4%,表现出明显的量子限制效应.     

Si(001)外延ZnSe薄膜界面原子的结合与成键

基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对Si(001)和氮化Si(001)表面单层Zn/Se原子结合的方式,模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式,从单层原子结合能、界面原子电子得失、共价结合成键的角度解释了Zn/Se原子在衬底表面的黏附性问题,阐述了薄膜生长初期界面无定形Se出现等现象,分析了氮化Si(001)表面对薄膜二维均匀生长的作用,结果显示N的引入缓和了Si衬底的非极性共价结合与ZnSe原子间的极性离子键结合之间的异质差异。