低噪声掺Pr^3＋氟化物光纤放大器

研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。     

1.3μm InGaAsP/InP应变多量子阱部分增益耦合DFB激光器

本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部分增益耦合ＤＦＢ激光器，器件采用全ＭＯＶＰＥ生长，阈值电流１０ｍＡ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ，在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高     

低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长

本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件

本文在已经报道的采用直接集成方法制作的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准１４脚蝶型管壳对集成器件进行了封装．封装后的发射模块阈值电流约为２０～３０ｍＡ,边模抑制比大于４０ｄＢ,耦合输出光功率大于２ｍＷ,在３Ｖ的反向调制电压下消光比约为１７ｄＢ．我们还在２．５Ｇｂ／ｓ波分复用系统上对集成器件进行了传输实验．经过２４０ｋｍ普通单模光纤传输后,在误码率为１０－１０的情况下功率代价小于０．５ｄＢ．     

2～18GHz超宽带射频放大器

采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

1．3微米掺Pr~（3＋）光纤放大器的增益计算和设计考虑

本文描述１．３微米掺镨光纤放大器（ＰＤＦＡ）增益计算的理论模型。在考虑激发态吸收（ＥＳＡ）和放大的自发辐射（ＡＳＥ）频谱特性的情况下，计算得出数值孔径为０．１９的掺镨光纤，泵浦效率为０．０２５ｄＢ／ｍＷ，有效光纤长度为２０ｍ，并给出了掺杂浓度与信号增益的关系。以及镨离子的最佳掺杂半径。     

多层梯度层InGaAs（P）InPSAGM雪崩光电二极管

本文报道采用液相外延（ＬＰＥ）生长和传统光刻制管工艺研制出引入多层（三层或三层以上）中间能带隙过渡的吸收区、倍增区分离的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ雪崩光电二极管（简称ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰＳＡＧＭＡＰＤ），其技术指标为：击穿电压ＶＢ＝４０～９０Ｖ；０．９ＶＢ时的暗电流Ｉｄ最小可小于１０ｎＡ；１．３μｍ时光响应度Ｒｅ＝０．６～０．８Ａ／Ｗ，倍增因子Ｍ≥２０（Ｍｍａｘ＞４０），过剩噪声因子Ｆ≌５和较宽频带响应特性。     

采用啁啾光栅的色散管理孤子传输

我们采用啁啾光纤光栅（ＣＦＢＧ）补偿１．３μｍＳＭ光纤传输线路的色散以后,成功地以１０Ｇｂｉｔ／ｓ速率进行了３,０００ｋｍ光孤子转输。实验中一个中继间隔由５２ｋｍ左右的１．３μｍＳＭＦ构成,经ＥＤＦＡ放大后采用ＣＦＢＧ进行色散补偿。     

1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合分布反馈式激光器/电吸收调制器集成器件

本文首次报道一种结构简单的１．５５μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ部份增益耦合ＤＦＢ激光器与电吸收调制器的单片集成器件．该器件采用脊波导进行横模限制，阈值电流范围为３０～６０ｍＡ，典型边模抑制比大于４０ｄＢ，反向偏压３Ｖ时的消光比为１１ｄＢ．     

在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。     

高功率1.31μmAlGaInAs应变多量子阱DFB激光器

采用金属有机化学汽相淀积工艺和脊型波导结构,同１．３１μｍＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱分布反馈激光器高功率输出。在２５℃时,管芯最大输出功率超过５０ｍＷ,阈值电流范围在１３－２０ｍＡ之间,发光面斜效率高于０．４５ｍＷ／ｍＡ,边模抑制比超过３５ｄＢ,室温中值寿命大于３＊１０＾５小时。     

基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺

利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器．并实现了激光器在室温下的脉冲激射，、器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性．     

梁式引线GaAs混频二极管对

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底,选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒,ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１,结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ,正向微分电阻为３～６Ω,分布电容较小,结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ,正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中,中频带宽为４～８ＧＨｚ,混频器的变频损耗低于２０ｄＢ,本振功率为１３ｄＢｍ。     

双频/GSM 3.6 V集成功率放大器

Ｍ ｏｔｏｒｏｌａ公司的 ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源（３．６Ｖ）ＲＦ集成功率放大器,设计用于ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于３频ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００装置。３．６Ｖ下的典型特性是：ＧＳＭ：Ｐｏｕｔ＝３５．８ｄＢｍ, ＰＡＥ＝５３％;ＤＣＳ： Ｐｏｕｔ＝３４ｄＢｍ, ＰＡＥ＝４３％。它具有一个宽频带（９００－１８００ＭＨｚ）内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经２级缓冲器放大后的ＲＦ整流（见图１）。这种方法消除了采用ｄｃ／ｄｃ…     

1.3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器

本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。     

分布反馈式半导体激光器耦合系数计算与垂向结构设计

本文推导出增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器ＴＥ、ＴＭ模耦合系数Ｋ的计算公式．分析了ＤＦＢ激光器的横模，讨论了ｋ与ＤＦＢ激光器横模、光栅级数、占空比及吸收光栅层厚的关系．最后得出含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ增益耦合型ＤＦＢ激光器在采用三级光栅时的优化设计结果为：占空比０．１６，吸收层厚５０ｕｍ．     

1．27μm吸收型部分增益耦合MQW－DFB激光器

采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的．宽接触（ｂｒｏａｄａｒｅａ）脉冲电流大范围单纵模工作，条型器件室温连续直流工作阈电流为２２ｍＡ至３５ｍＡ，单模成品率高，边模抑制比（ＳＭＳＲ）超过３７ｄＢ，没有观察到饱和吸收现象．     

质子注入平面掩埋条形高频DFB激光器

报道了采用质子注入制作平面掩埋条形高频ＤＦＢ激光器。质子注入提高了限制层对电流的限制作用,并减小了限制层的寄生电容;ＤＦＢ激光器的斜率效率由注入前的０．１４７ｍＷ／ｍＡ提高到０．２１６ｍＷ／ｍＡ;电容测试结果表明：质子注入使ｐｎｐｎ结构的势垒电容明显减小,激光器的寄生电容由注入前的约１００ｐＦ降至注入后的６ｐＦ;激光器的３ｄＢ调制宽带由注入前的５００ＭＨｚ提高到５．６６ＧＨｚ。高温老化筛选结果表明