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Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer
A GaN vertical light emitting diode(LED)with a current block layer(CBL)was investigated.Vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL were fabricated.Optical and electrical tests were carried out.The results show that the light output power of vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL are 40.6%and 60.7%higher than that of vertical LEDs without a CBL at 350 mA,respectively.The efficiencies of vertical LEDs without a CBL,with a non-ohmic contact CBL and with a silicon dioxide CBL drop to 72%,78%and 85.5%of their maximum efficiency at 350 mA,respectively. Moreover,vertical LEDs with a non-ohmic contact CBL have relatively superior anti-electrostatic ability. 相似文献
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众所周知,钛合金组织对其制品的物理机械性能及使用性能具有至关重要的影响.在制订具有规定性能的大型车成品的热冲压工艺时,如何预测组织是一个非常迫切的问题.预测组织的方法包括组织形成过程中主要多数(变形温度、变形率、变形速度等)的计算以及这些条件在试样上的模拟,例如,通过高温塑性实验机试验模拟.实施这种方法的会出现一系列问题,如何模拟加热和冷却规范、加载历程、应力状态、高速加教时的材料发热等.因此,为了获得可靠的组织预测结果,就必须完善试验方法并积累实际数据.俄罗斯研究人员引用了多晶转变温度为1050℃… 相似文献