硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究

低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料，是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一，有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布，纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。     

ON A PAIR OF NON-ISOMETRIC ISOSPECTRAL DOMAINS WITH FRACTAL BOUNDARIES AND THE WEYL-BERRY CONJECTURE

ＯＮＡＰＡＩＲＯＦＮＯＮＩＳＯＭＥＴＲＩＣＩＳＯＳＰＥＣＴＲＡＬＤＯＭＡＩＮＳＷＩＴＨＦＲＡＣＴＡＬＢＯＵＮＤＡＲＩＥＳＡＮＤＴＨＥＷＥＹＬＢＥＲＲＹＣＯＮＪＥＣＴＵＲＥＳＬＥＥＭＡＮ，Ｂ．Ｄ．ＣＨＥＮＨＵＡＭａｎｕｓｃｒｉｐｔｒｅｃ...     

一类非线性抛物型变分不等方程的全局吸引子及弱近似惯性流形

对由一类非线性抛物型变分不等方程所描述的无穷维动力系统，给出了存在全局吸引子及弱近似惯性流形的充分条件．     

关于完备Riemann流形的本性谱

本文证明一类具非负截曲率完备Riemann流形的Laplace算子的本性谱为(0,+∞)。     

赤道不是轨道弧的n次多项式向量场的Poincaré紧化场之拓扑结构

本文证明了赤道不是轨道弧的n次多项式向量场的Poincare紧化场之拓扑结构包含赤道是轨道弧的n-1次多项式向量场的Poincare紧化场之拓扑结构;当n=2时,这种包含关系是相等的,且其Poincare紧化场有五种不同的拓扑结构;当n=2k+1(k=1,2…)时,这种包含关系是真子集。     

具Hardy-Sobolev临界指数的奇异椭圆方程多解的存在性

运用变分方法研究了下面问题-Δpu=μupx(s)s-2u f(x,u),x∈Ω,u=0,x∈Ω,多重解的存在性,其中Ω是一个具有光滑边界的有界区域.     

几类非对称典型域的扩充空间

本文引入了一类齐性复解析流形,可以看作 Grassmann 流形及[4]、[5]中引入的复流形(?)(r_1,…,r_p;s_1,…s_p)和(?)更一般的形式,并利用它来实现作者在[1]中给出的几类非对称典型域的扩充空间.     

Locale的仿紧完全正则反射

1972年, Isbell利用locale中由正规覆盖构成的一致结构的完备化, 证明了仿紧完全正则locale范畴是locale范畴的满反射子范畴. 本文通过在locale的补零元理想格上做核映射的方法, 给出locale的仿紧完全正则反射的明确构造, 并证明locale的仿紧完全正则反射是locale的 Stone-Čech紧化的子locale.     

从 ${\cal B}^0$ 到 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$ 空间的复合算子

设 $\varphi$ 是单位园盘 $D$ 到自身的解析映射, $X$ 是 $D$ 上解析函数的 Banach 空间, 对 $f\in X$, 定义复合算子$C_\varphi $ : $C_\varphi (f)=f\circ \varphi$. 我们利用从 ${\cal B}^0$到 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$ 空间的复合算子研究了空间 $E(p,q)$ 和 $E_0(p,q)$, 给出了一个新的特征.