硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究 |
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引用本文: | 吴丽君,韩艳,李美玲,张林.硅和锗纳米线的原子排布和电荷分布的密度泛函紧束缚方法研究[J].原子与分子物理学报,2021,38(5):052005. |
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作者姓名: | 吴丽君 韩艳 李美玲 张林 |
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作者单位: | 沈阳理工大学,沈阳理工大学,沈阳理工大学,东北大学 |
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基金项目: | 辽宁省科技厅自然科学基金博士启动项目 |
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摘 要: | 低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值。采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm~0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm~0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究。硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变。纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响。纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关。纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响。
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关 键 词: | 纳米线,表面重构,密度泛函紧束缚,Mülliken电子布居数 |
收稿时间: | 2020/9/28 0:00:00 |
修稿时间: | 2020/10/22 0:00:00 |
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