三电极真空火花光源和高离化态原子谱线的产生与观测

本文敍述了我们新近建造的一台高电压、大电容、低电感三电极真空火花光源。用此光源与SGV-50真空紫外光谱仪相配合,分别用C、Al、Ti等元素作电极,进行了积分光谱的初步观测。在200A—2000A的波段区,辩认出高离化态谱线330条,其中C谱线174条,O谱线68条,N谱线44条,Al谱线24条,Ti谱线20条。实验表明,这种光源使用效果比较好。     

HL－1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

由杂质谱线强度确定等离子体电子温度

本文给出由氢等离子体中高次电离的碳、氧杂质离子的光谱线强度随时间的变化所确定的等离子体电子温度。对角向箍缩装置等离子体作5-950真空紫外光谱与紫外、可见光谱的诊断表明,在第二半周期的0.5,1.0,1.5,1.8μs时,电子温度分别为17,90,200,260eV。     

HL-1装置掠入射真空紫外杂质谱线观测

本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离子体杂质有一定效果。通过分析谱线、软X射线和m=2模式信号扰动之间的关系,指出杂质对等离子体不稳定性的影响。     

HL—1装置低杂波驱动,靶丸注入,ECRH实验的杂质行为研究

本文叙述了在ＨＬ－１装置上利用真空紫外光谱测量系统，通过观测低杂波驱动，靶丸注入，ＥＣＲＨ和高密度氦放电的杂质辐射，研究杂质的行为，产生和输运等特性。     

HL-1装置等离子体真空紫外光谱研究

本文叙述在HL-1装置上做的真空紫外区(300-2000A)光谱实验。用微通道板象增强器摄出了等离子体光谱,对光谱进行了辨认和分析;采用光电法测量了谱线随时间的变化和改变孔栏半径时杂质的变化情况,观察了等离子体发生小破裂时出现的光谱现象,对杂质的来源及某些性质作了分析研究;使用两条CⅣ谱线强度比,测出了放电初期的电子温度。     

C、N、O、AL的真空紫外光谱

我们用自制的三电极真空火花光源和真空紫外谱仪,在各种实验条件下,观测到大量C、N、O、Al的真空紫外光谱。本文发表240(?)至2300(?)范围内得到的高离化态原子光谱。     

用真空紫外谱线测量HL-1装置离子温度和观测等离子体不稳定性

本文叙述HL-1装置真空紫外光电测量。根据○Ⅵ1032A谱线多卜勒展宽的轮廓测量,估计离子温度约80—300eV。通过谱线强度的相对变化,对装置的稳定运行条件和等离子体的破裂不稳定性进行了分析。     

HL－1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后的ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响     

低气压空气放电中真空紫外线辐射的观测

本文叙述了用掠入射真空紫外谱仪对不同条件下低气压快脉冲放电所作的真空紫外线辐射测量。分析了60—1800波长区内的谱线,用光电方法得到了550—580波段光谱以及OV193谱线轮廓。