HL—1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

HT－6M托卡马克蒸钛硼化实验的可见辐射测量

给出了在蒸钛和硼化实验中碳氧杂质以及中性氢的朝内通量的变化。在蒸钛实验中，碳氧杂质朝内通量减小２倍以上，中性氢的朝内通量减小４０％，粒子循环系数由０．９５降到０．８５．在硼化实验中，碳氧杂质朝内通量减小６０％左右，中性氢的朝内通量减小２０％，粒子循环系数由０．９５降到０．９１左右．充分表明钛和硼化能有效地控制碳氧杂质的来源，改善粒子循环和杂质循环。     

HT－6M托卡马克蒸钛硼化实验的可见辐射测量

给出了在蒸钛和硼化实验中碳氧杂质以及中性氢的朝内通量的变化。在蒸钛实验中，碳氧杂质朝内通量减小２倍以上，中性氢的朝内通量减小４０％，粒子循环系数由０．９５降到０．８５．在硼化实验中，碳氧杂质朝内通量减小６０％左右，中性氢的朝内通量减小２０％，粒子循环系数由０．９５降到０．９１左右．充分表明钛和硼化能有效地控制碳氧杂质的来源，改善粒子循环和杂质循环。     

利用可见轫致辐射计算EAST有效电荷数

利用弦积分的可见轫致辐射计算了先进实验超导托卡马克(EAST)的有效电荷数。对比分析EAST硼化前后的杂质含量,硼化后有效电荷数减小约40%,碳杂质含量减小约50%。统计分析了2009年EAST春季实验的有效放电,显示有效电荷数与碳杂质线辐射量存在很强的线性关系,得到的拟合系数是3.4~5.8,与等离子体电流和低杂波辅助加热功率都有明确的依赖关系。利用近紫外可见波段全谱对主要杂质的含量进行比较后显示,碳是最主要的杂质,大于其它轻杂质含量。同时,还介绍了新建成的多道轫致辐射诊断系统。     

掺杂金刚石薄膜的缺陷研究

利用多普勒增宽谱和电子顺磁共振研究了掺硼和掺硫金刚石薄膜的缺陷状态.多普勒增宽谱的结果表明，不同杂质元素掺杂的金刚石薄膜，其中使正电子湮没的缺陷种类是相同的；正电子与不同杂质元素硼、硫之间的相互作用不明显；少量硼可使金刚石膜中的空位浓度减少.EPR结果表明，各掺杂样品的顺磁信号主要来自于金刚石的碳悬键. 关键词： 金刚石 掺杂 多普勒增宽谱 电子顺磁共振     

IC用高纯试剂中金属杂质分析

对ＨＣｌ，ＨＦ和ＨＮＯ３三种ＭＯＳ级高纯试剂中１８种金属杂质用发射光谱进行分析研究，取２０ｍｌ样品，加入适量甘露醇络合硼杂质，在有机玻璃防尘罩内低温挥发基体富集杂质，最后将杂质溶液转移到一对平头电极上，用电弧光谱进行测定。检测限为０．２－４．０（ｎｇ／ｍｌ），加入标准的回收率绝大部分在９０％以上。     

腐蚀和沉积对偏滤器靶板寿命的影响

讨论了偏滤器铍靶在聚变堆工况下的腐蚀问题，被物理溅射和辐射增强升华等过程腐蚀了的铍原子经电离后，部分将沉积到铍靶上，分析计算的结果表明，铍靶材被腐蚀后的自沉积将大大降低铍靶的净腐蚀率，在此基础，研究了一定浓度的硼杂质的沉积对铍靶的腐蚀率的影响，结果发现，铍靶前很低浓度的硼杂质即可大大降低了铍靶的腐蚀率，并且铍靶的腐蚀率随硼杂质浓度的增加而减少，这对聚变堆的稳态运行是有利的。     

HL—1M托卡马克中的硼化

用碳硼烷加氢直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０－７０ｎｍ硼碳比约为１：６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻能力。硼化显著了改善了等主子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。     

磷化硼单晶和外延层

在氢气氛中使乙硼烷与磷化氢混合料热分解和在氢气中加热还原三溴化硼与三氯化磷混合料,已经在六角晶型的碳化硅基面上淀积起磷化硼。在热分解过程中,为把气相反应的影响减到最小,基底温度必须维持在900℃以下,此时,磷化硼层刚露出择优取向。热还原过程是在一个宽的温度区间内完成的;用光学显微镜和反射电子衍射观察发现,在1050℃—1150℃碳化硅表面上沉积的磷化硼层是单晶体,而且是按基底外延的。卤化物还原反应制备外延的磷化硼,无特意掺杂时是P型的,室温载流子浓度约为10~(19)cm~(-3)。在300—1000°K温度区间内电阻率的测量指出存在着两种杂质能级,它们的激活能分别约为0.22和0.66电子伏特。用卤化物还原反应也获得了针状磷化硼晶体,它们是长轴沿着<111>方向的P型单晶,在室温时电阻率约为20欧姆·厘米。     

高纯硅中补偿性杂质的光热电离光谱

首先测量了高纯n型硅样品在接近液氦温度区域内随温度变化的光热电离光谱，确定了硅样品的最佳光热电离温度范围. 在该温度范围内，在有本征带隙光照射条件下，测量了样品的高分辨率光热电离光谱，同时观察到了来自主要浅杂质施主磷以及补偿性杂质硼的正信号. 随后，应用外加磁场，对硼的光热电离光谱进行了研究，发现来自硼的光热电离信号，在外加磁场作用下，发生了由正向负信号的转变. 通过对该现象进行分析讨论，排除了该现象是温度效应的可能，指出普遍用来解释补偿性杂质光热电离响应的Darken模型存在不足，而少数载流子快速复合模     

THE IMPURITY TRANSPORT IN HT-6B TOKAMAK

The quasi-stationary profiles of the impurity ionization stages in HT-6B Tokamak were absolutely determined by monitoring the VUV and visible line emissions. An impurity transport code was set up. The impurity transport coefficients and other parameters about impurities were determined. From the changes of impurity emission profiles, it was concluded that the impurity confinement was improved and the impurity recycling was reduced by the slow magnetic compression along the minor radius. Some characteristics about the impurity transport in this small device are discussed.     

CT-6B托卡马克等离子体的真空紫外光谱

用一米掠入射真空紫外光谱仪拍摄了CT-6B托卡马克等离子体的杂质光谱,波长区为1580—550?和460—43?。观察到限制器材料钼的谱线MoⅧ234.314?,235.510?和237.215?,以及低Z杂质C,N,O的谱线。它们的最高电离阶分别为MoⅧ,OⅦ,CⅣ和NⅤ。在这些杂质光谱中,OⅤ和OⅥ谱线出现得多而且强,说明氧是CT-6B等离子体的主要杂质,它的线辐射在CT-6B辐射损失中占主要部分。观察到的最短波长为OⅦ 21.6020?和21.804?的二级谱。由MoⅧ和OⅦ谱线的出现可以估计出CT-6B等离子体平均电子温度约为140eV。在所观察波长区内,未发现真空室壁材料Fe,Ni,Cr,Ti等杂质的谱线。 关键词：     

Full-torus impurity transport simulation for optimizing plasma discharge operation using a multi-species impurity powder dropper in the large helical device

The transport of impurities supplied by a multi-species impurity powder dropper (IPD) in the large helical device (LHD) is investigated using a three-dimensional peripheral plasma fluid code (EMC3-EIRENE) coupled with a dust transport simulation code (DUSTT). The trajectories of impurity powder particles (Boron, Carbon, Iron, and Tungsten) dropped from the IPD and the impurity transport in the peripheral plasma are studied in a full-torus geometry. The simulation reveals an appropriate size of the impurity powder particles and an optimum operational range of the dust drop rates for investigating the impurity transport without inducing radiation collapse. The simulation also predicts a favourable plasma discharge condition for wall conditioning (boronization) using the IPD in order to deposit boron to high plasma flux and neutral particle density areas in the divertor region in the inboard side of the torus.     

HT-6M杂质通量和杂质循环

 利用多道光学分析仪和可见多道光谱探测系统测量了HT-6M两种主要杂质的朝内的通量, 分析了它们产生的机制和循环途径。     

含有杂质的托卡马克等离子体输运的数值研究

应用一维输运模型数值研究杂质及中性粒子对托卡马克放电的影响,对含氧杂质的ST和HT-6B放电进行计算模拟,结果与实验符合很好。     

极紫外波段Ar光谱分析在EAST偏滤器杂质屏蔽效应研究中的应用

在托卡马克偏滤器区域充入杂质气体是检验偏滤器杂质屏蔽效应的重要手段。利用快速极紫外EUV光谱仪对EAST托克马克装置上开展的偏滤器Ar杂质注入实验进行观测。结合NIST原子光谱数据库对2～50 nm范围内不同电离态Ar的线光谱进行了谱线识别,识别出Ar Ⅳ,Ar Ⅸ-Ⅺ,Ar ⅩⅣ-ⅩⅥ等若干个电离态的谱线。为了同时观测等离子体不同区域的Ar杂质行为,在杂质注入实验时重点监测Ar ⅩⅥ35.39 nm(Ar ⅩⅥ电离能918.4 eV,主要分布在等离子体芯部)和Ar Ⅳ44.22 nm(Ar Ⅳ电离能9.6 eV,主要分布在等离子体边界)这两条谱线。利用该两条谱线强度随时间演化的结果初步分析了偏滤器杂质屏蔽效应。在同一充气口不同等离子体位形下的实验结果表明偏滤器对于从偏滤器区域注入Ar杂质的屏蔽效果优于从主等离子体区域注入,并且下偏滤器及内冷泵的综合粒子排除能力优于上偏滤器。     

HT-6M托卡马克边界杂质循环的研究

利用多道可见光谱探测系统测量了Hα、CⅢ(464.7nm)和OⅡ(441.5nnm)谱线的时间行为,得出了碳、氢和氧元素的入射通量。在简化模型下算出了氧碳间的化学溅射率,结果表明HT-6M托卡马克边界杂质产生机制主要是氢氧间的化学溅射和氧碳间的化学溅射,因此控制氧杂质尤其重要。     

平行速度剪切驱动湍流引起的粒子输运

通过离子温度梯度及平行速度剪切的准线性湍流理论，得到了由杂质离子及抵频E×B湍流所驱动的径向离子流及相应的输运系数．理论分析表明，主要离子和杂质离子的径向离子流具有相反的方向，并随着平衡流速剪切以及杂质离子的密度梯度的变化而改变．增强平行速度剪切对主要离子的约束可产生有利影响 关键词：     

HT-6M托卡马克等离子体紫外-可见谱

利用光学多道分析仪(OMA)拍摄了HT-6M托卡马克等离子体近紫外可见谱.系统分析了杂质行为,给出了主要杂质碳和氧的朝内的通量,在简化模型下计算了碳氧的化学溅射率,并由此得出碳氧杂质产生机制和可能的循环途径.结果表明,氧杂质在循环途径中起关键性的作用,控制氧杂质尤其重要.     

HT–6M托卡马克表面加热实验中的光谱现象

 HT–6M表面加热实验中实现了H模式放电。分析了Ha 谱线，C III和O II谱线在L-H和H-L模转化过程中的变化情况，讨论了边界条件、粒子循环、杂质循环对L-H和H-L转化以及对H模的影响。