中子探测晶体Li6Gd(BO3)3:Ce的光谱特性研究

文章用提拉法生长出Li₆Gd(BO₃)₃:Ce晶体,并对其光谱性能与发光过程进行了探索. 借助于真空紫外-紫外透过光谱测试,发现晶体的透过光谱中存在Ce³⁺离子和Gd³⁺的特征吸收峰,同时还存在与Ce⁴⁺离子相关的电荷迁移带. 对晶体的真空紫外-紫外激发发射光谱进行研究发现,在晶体存在着Ce³⁺离子的5d→4f辐射跃迁发光与Gd³⁺离子的4f→4f辐射跃迁发光,而且存在着Gd³⁺→Ce³⁺之间的能量传递. 对Li₆Gd(BO₃)₃:Ce晶体的X射线与γ射线激发发射光谱研究可知,晶体在高能射线激发下的闪烁光主要是Ce³⁺离子的发光. 关键词： 6Gd(BO₃)₃:Ce晶体')" href="#">Li₆Gd(BO₃)₃:Ce晶体 真空紫外-紫外透过光谱 真空紫外-紫外激发发射光谱 能量传递     

多元随机序列泛函的强偏差定理

利用熵密度和样本偏差率的概念,建立了多元随机序列泛函关于条件期望的用不等式表示的强极限性质(称之为强偏差定理),在推论部分得到了非齐次马氏链的强偏差定理和随机条件概率的调和平均值的极限性质等相关结论.证明中给出了将条件矩母函数应用于研究多元随机序列泛函的强极限性质的一种途径.     

这不只是有钱人的游戏，你也可以!

我们不能理解我们不了解的东西，除非我们开始对它感兴趣。 作为心理学范畴的信念激励，总是有太多的致富励志书籍泛滥而过度的引用此类说法，以至于讲了一大堆“只要你相信，就能成功”诸如此类较为悬乎的无限信念增强法，最后却总是不免沦为空洞的口号。     

对任意离散信源相对熵密度普遍成立的极限性质

利用相对于无记忆信源熵密度偏差的概念,给出对任意离散信源相对熵密度普通成立的一个用不等式表示的极限性质(称之为强偏差定理).     

分布电感对脉冲电源充电T型保护回路的影响

在使用基于高频开关变换充电技术的充电机对脉冲电源充电时,由于充电回路中分布电感的存在,在高频电流充电过程中,会在充电机T型保护回路两端产生高于充电电压的过电压,存在损坏T型保护回路半导体功率器件的风险;为解决此问题建立充电机及脉冲电源回路仿真模型,通过仿真分析得到充电回路分布感变化对T型保护回路影响的初步规律,然后通过实验进一步验证该规律。为了减少充电回路分布电感对T型保护回路影响,针对性地提出了减少充电回路的分布电感解决方案,主要方法是改变输出线缆类型、长度等措施,并通过仿真与实验来验证该方案的有效性,为脉冲电源工程化应用提供可靠的参考依据。     

4-吡啶-NH-1,2,3-三唑构筑的两个Zn（Ⅱ）配合物的合成、结构和荧光性质

以4-吡啶-NH-1,2,3-三唑（L）为配体与ZnCl₂·H₂O分别在溶剂热和室温挥发条件下得到了配合物[Zn₂（L）₂Cl₄]（1）和[Zn（L）₂ Cl₂]·2H₂O（2）,并进行了红外、元素分析、单晶衍射、粉末衍射等表征。2个配合物中,超分子相互作用对于配合物的结构有很大影响。其中,配合物1由氢键和π-π相互作用形成3D堆积结构,配合物2通过氢键作用形成堆积结构。同时,在常温下研究了配体以及2个配合物的固体和液体荧光性质。     

复合二项过程风险模型的精细大偏差及有限时间破产概率

讨论基于客户到来的复合二项过程风险模型.在该风险模型中,假设索赔额序列是独立同分布的重尾随机变量序列,不同保单发生实际索赔的概率可以不同,则在索赔额服从ERV的条件下,得到了损失过程的精细大偏差;进一步地,得到了有限时间破产概率的Lundberg极限结果.     

81Zr和85Mo的β延迟质子衰变

运用p-γ符合测量技术，详细研究了T     

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍）基带。采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ（钇稳定二氧化锆）阻挡层。X射线衍射分析表明，YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织要。扫描电镜观察表明，YSZ阻挡层连续致密无裂纹。