WO3掺杂的La2/3Sr1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过溶胶-凝胶法制备了La2／3Sr1／3MnO3＋xWO3（x=0～25％）系列多晶陶瓷样品．结果表明。随着WO3掺杂量的增加，样品的电阻率增大，金属-绝缘体相变温度（Tp）值下降．在1．4T磁场下，当0≤x≤12．5％时，样品的室温磁电阻值从5％增大到15％，提高了200％．当12．5％〈x≤25％时，室温磁电阻值从15％降低到0．这对磁电阻材料在室温下的应用提供实验依据．     

表面弛豫效应对界面区域CBED的影响

对Al_2O_3颗粒增强铝复合材料与K_2Ti_5O_(13)晶须增强铝复合材料中的增强相/金属界面区域点阵位移场进行CBED研究,并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算,结果表明:表面弛豫效应对晶须/铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著,而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决CBED法测量界面应变场时遇到的表面弛豫效应问题是有意义的。     

掺杂TiO2的La2/3Ba1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过固相反应法制备了(1-x)La2/3Ba1/3MnO3 xTiO2(x=0％～5％)多晶陶瓷样品，实验发现，随着TiO2掺杂量的增加，电阻率明显增大，金属绝缘相转变温度Tp值下降．通过室温(300K)和低温(78K)下不同磁场的磁电阻计算表明，适量的TiO2掺杂会明显提高材料的磁电阻性能；在1T磁场下，TiO2掺杂量为1％的样品室温磁电阻达到12％，这是未掺杂La2/3Ba1/3MnO3相同条件下的3倍，为磁电阻传感器研究提供了实验依据。     

庞磁电阻材料Sr_2FeMoO_6的性能及其穆斯堡尔谱研究

应用传统的陶瓷制备方法 ,制备了烧结温度分别为 12 0 0℃和 12 5 0℃的双钙钛矿结构庞磁电阻(GMR)材料Sr2 FeMoO6样品 通过X射线衍射、室温磁阻和穆斯堡尔谱研究 ,发现较低温度烧结的样品晶粒相对较小而磁阻较大 ,从而暗示晶界上的自旋极化电子对磁电阻效应有明显贡献 同时 ,通过观察不同温度下的穆斯堡尔谱 ,看到了晶界上Fe离子磁状态的改变 ,这从另一角度证实晶界上的载流子散射是室温下电阻产生的主要原因 ,而晶粒之间自旋极化电子的跳动受到外加磁场的影响 ,产生了磁电阻效应     

WO3掺杂的La2/3Ba1/3MnO3电输运与磁电阻特性

在溶胶-凝胶法制备的La2/3Ba1/3MnO3（LBMO）微粉中掺入WO3，制备了La2/3Ba1/3MnO3＋xWO3（x=0～0．20）多晶陶瓷样品．实验发现，随x增加，样品的电阻率增加，金属-绝缘相变温度（Tp）由340K下降到26lK，在1T的磁场下，当0〈x≤0．05时，样品的室温磁电阻迅速上升，从4％增加到10．5％，当0．05〈x≤0．10时，样品的室温磁电阻从10．5％增加到11．5％，上升速度明显放缓，当0．10〈x≤0．20时，样品的室温磁电阻从11．5％降低到2％，这为磁电阻器件研究提供了实验依据．     

庞磁电阻材料Sr2FeMoO6的性能及其穆斯堡尔谱研究

应用传统的陶瓷制备方法,制备了烧结温度分别为1200℃和1250℃的双钙钛矿结构庞磁电阻（GMR）材料Sr     

(Sr,Ba)3MoO6添加剂对(Sr,Ba)2(Fe,Mo)2O6系统磁电阻性能的影响

通过固相反应法合成了一系列（Sr,Ba)2(Fe,Mo）2O6 x(Sr,Ba)3MoO6(O≤x≤1）陶瓷样品，结果表明，适量的（Sr,Ba）3MoO6添加剂能够使多晶（Sr,Ba)2(Fe,Mo)2O6材料的磁电阻效应△ρ/ρ得到明显提高，并且陶瓷样品的最佳烧结温度降低至大约860℃。     

Sr2FeMoO6庞磁电阻陶瓷材料的微结构分析

研究了在钙钛矿结构Sr     

Sr2FeMoO6庞磁电阻陶瓷材料的微结构分析

研究了在钙钛矿结构 Sr2 Fe Mo O6 陶瓷中存在的多种不同的有序晶格结构 .如 Fe- Mo离子在简单钙钛矿结构 ABO3中的 B位无序分布 ;Fe- Mo B位空间排列的 Na Cl型有序分布的钙钛矿结构及在 c轴方向具有 3倍简单钙钛矿结构周期的层状超结构等 .结果表明 ,通过正确选择 Sr2 Fe Mo O6 陶瓷材料的微结构 ,可望大大提高其磁电阻性能