HL—1M装置杂质VUV辐射及Te观测

本文介绍了ＨＬ－１Ｍ装置等离子体杂质真空紫外辐射观测的初步结果。用类Ｌｉ离子谱线强度比法估计出Ｔｅ≈４００ｅＶ。镀膜后遥ＣＥＭ探测器的灵敏度提高。杂质对装置放电有重要影响。     

等离子体与石墨及其涂层相互作用的研究

应用ＬＡＳ－２０００辐照设备、射频离子源设备及ＨＬ－１Ｍ装置对等离子体与石墨及其涂层的相互作用进行了系统研究,为进一步优化ＨＬ－１Ｍ装置原位处理工艺、杂质控制以及ＨＬ－２Ａ装置第一壁的选材和第一壁处理、杂质控制等提供依据。     

低混杂波电流驱动下注入杂质的输运

在欧姆放电和低混杂波电流驱动条件下,应用激光吹气技术注入金属杂质,用真空紫外谱仪测量了杂质线的辐射,给出了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆等离子体和低混杂波电流驱动等离子体杂质输运的研究结果。用杂质输运程序ＬＢＯ进行数值模拟,得出了等离子体中杂质的扩散系数Ｄ（ｒ） 和对流速度ｖ（ｒ）。在低混杂波电流驱动条件下,等离子体杂质的输运系数相对欧姆放电等离子体杂质的输运系数减小了５０％ 左右。结果表明,在ＨＬ－１Ｍ 装置上低混杂波电流驱动等离子体相对通常欧姆等离子体杂质的约束性能明显得到了改善     

HL—1M装置几种杂质谱线的特性

介绍了ＨＬ－１Ｍ装置真空紫外光谱区的杂质辐射观测结果。对器壁硅化后的杂质特性进行了分析，用激光吹气技术研究了杂质输运，分析了低混杂波电流驱动、弹丸注入实验中杂质谱线的变化。     

HL—1M装置边缘等离子体测量

本文研究了ＨＬ－１Ｍ装置运行初期第一壁材料对等离子体删削层杂质流通量及分布的影响，并与ＨＬ－１装置的结果进行比较。利用热通量探针测量，给出了ＨＬ－１和ＨＬ－１Ｍ装置删削层的热通量分布。在不同运行状态下，利用马赫探针组，测量了ＨＬ－１Ｍ装置边缘等离子体流的变化特性。     

二次离子质谱在HL－1托卡马克研究中的应用

应用ＬＡＳ－２０００二次离子质谱表面分析系统作了如下测量：（１）测出ＨＬ－１装置的总出气量以及其主要出气组分的出气量百分比和出气峰值温度等参数；（２）对等离子体－表面相互作用进行了ＳＩＭＳ／蒙特卡洛互补分析，测出等离子体边界层中氢气量径向特征长度和氢粒子注入硅片的特征深度，估算出氢通量平均动力温度；（３）对硅收集探针的ＳＩＭＳ／ＡＥＳ分析表明，ＨＬ－１等离子体删削层中主要杂质组分为Ｏ、Ｃ、Ｎｉ、Ｍｏ和Ｃｒ，同时给出原子密度相对百分比；在ＨＬ－１装置中用原位蒸钛来吸氧、碳杂质，从而提高了等离子体纯度和品质；（４）定期检测表明，装置的器壁表面污染呈减弱趋势，这说明ＨＬ－１真空系统的设计研制及运行维护技术措施等是合适的。     

HL—1装置的金属杂质沉积实验

采用立体探针与二次离子质谱计（ＳＩＭＳ）分析相结合，对ＨＬ－１装置刮削层空间的杂质沉积特性和分布规律进行了实验研究。测量了在石墨活动孔栏条件下，立体针表面杂质沉积特性和分布规律进行了实验研究。测量了在石墨活动孔栏条件下，立体探针表面杂质沉积的径向分布，纵向分布，极向分布和Ｈ＾＋剖面分布。并讨论了实验结果。     

LHCD期间HL—1M等离子体密度的锯齿现象

利用ＨＣＮ激光多道干涉仪,首次在ＨＬ－１Ｍ装置上在低混杂电流驱动期间观测到密度锯齿现象。分析表明,密度锯齿不是通常的ｑ＝１锯齿,而是低混杂波与杂质共同作用下的产生的ｑ〉１的锯齿。     

HL－1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

激光吹气技术在HL—1M等离子体中的应用

本文叙述了在ＨＬ－１Ｍ中用激光吹气技术进行的金属杂质实验及杂质输运特性的研究。     

氮ECR微波等离子体的电子能量分布研究

为了对ＧａＮ薄膜低温生长提供更多的活性氮，在一个腔耦合电子回旋共振（ＥＣＲ）半导体加工装置上，用朗谬探针和二次微分理论，研究了氮ＥＣＲ等离子体的实际电子能量分布。发现它们都是非麦克斯韦分布，含有高能电子，而且随着放电气压的下降和微波功率的增加，高能电子成分增加。     

HL—1M装置的真空进展

总结了１９９４ 至１９９８ 年度ＨＬ－１Ｍ 装置的真空进展，包括真空壁条件、真空运行参数、放电进展、影响壁条件的主要因素及其控制指标等     

KT—5C托卡马克射频波加热实验用回路天线的负载阻抗测量

针对ＫＴ－５Ｃ托卡马克装置等离子体的射频离子回旋波加热实验，本文给出一种回路天线负载阻抗的简便测量方法和测量结果。该方法的特点是，只涉及射频电流相对比值的测量，不要求专用设备，因此使物理量的标定、数据记录和处理都变得简单易行。     

HL—1M装置的密度极限研究

描述了ＨＬ－１Ｍ 装置欧姆加热状态下的密度极限,该密度极限是放电破裂前的最高密度值。通过比较氘、氢放电,硅化前后的放电,超声分子束注入、冰弹丸注入和脉冲送气放电,发现ＨＬ－１Ｍ装置的壁条件、加料方式以及氢同位素对ＨＬ－１Ｍ 装置的密度极限影响很大。产生密度极限破裂的原因主要是等离子体约束变差,总体辐射损失与欧姆加热功率平衡被破坏     

用于长脉冲大功率微波系统的高压调制电源

为ＨＬ－１Ｍ装置上的ＬＨＣＤ和ＥＣＲＨ长脉冲大功率微波系统研制的主调制电源,已达到了－７０ＫＶ、３５Ａ的输出指标。应用该电源首次实现了ＴＭ－７０３Ｆ型大功率调整管在１ｓ长脉冲下的运行和双大功率高压调制器的并联运行,在没有ＣＲＯＷＢＡＳＲ保护系统的情况下采用有效的快速保护措施实现了长期的稳定可靠运行。     

KGK-2-type detector of gamma-radiation power for diagnosis of nuclear reactor radiation fields within the range from 1 µGy/s to 100 Gy/s

The construction of the KGK-2-type detector of γ-radiation power is briefly described. The diagnostic possibilities of the detector are shown by the example of results of the dose rate measurement in the energy start-ups of the BR-K1 and BR-1M reactors implemented in the mode of generating fission pulses on delayed neutrons. The possibilities of using the KGK-2 detector for postpulse γ diagnostics are demonstrated by the example of results of measurements in the fission pulse on prompt neutrons of the BR-1M reactor.     

HL-1M装置边缘参数测量

在HL－1M装置上利用马赫／郎缪尔探针分别在欧姆放电,低杂波注入,中性束注入,离子回旋加热和电子回旋加热等情况下测量下刮离层和等离子体边缘的极向流速度和电场,得到了它们的径向分布,研究了LHW,NBI,ICRH和ECRH对改善等离子体约束性能,边缘粒子的径向传输的影响。     

A feasibility study of the time reversal violation test based on polarization of annihilation photons from the decay of ortho-Positronium with the J-PET detector

The Jagiellonian Positron Emission Tomograph (J-PET) is a novel device being developed at Jagiellonian University in Krakow, Poland based on organic scintillators. J-PET is an axially symmetric (M. Mohammed) has been affiliated to affiliation 6. Please check if correct, otherwise, provide the correct affiliation.and high acceptance scanner that can be used as a multi-purpose detector system. It is well suited to pursue tests of discrete symmetries in decays of positronium in addition to medical imaging. J-PET enables the measurement of both momenta and the polarization vectors of annihilation photons. The latter is a unique feature of the J-PET detector which allows the study of time reversal symmetry violation operator which can be constructed solely from the annihilation photons momenta before and after the scattering in the detector.     

Substrate removal for improved performance of QWIP–LED devices grown on GaAs substrates

Pixelless infrared imaging can be accomplished by epitaxially integrating a light emitting diode (LED) with a quantum well infrared photodetector (QWIP) large area device. The device acts as an infrared image converter by detecting a mid-to-far infrared (M/FIR) signal using the QWIP and outputting a near-infrared (NIR) signal via the integrated LED. By removing the device substrate, the detector performance can be significantly improved. This paper describes a substrate removal process, which uses a combination of mechanical polishing and chemical selective wet-etch. The choice of a suitable optical adhesive and the control of carrier/device parallelism are the two most important factors determining the success of the process.