| PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计 |
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| 引用本文： | 陆生礼,孙伟锋,易扬波,谭悦,吴建辉,时龙兴.PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计[J].固体电子学研究与进展,2002,22(1):72-77. |
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| 作者姓名： | 陆生礼 孙伟锋 易扬波 谭悦 吴建辉 时龙兴 |
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| 作者单位： | 东南大学国家ASIC系统工程中心,南京,210096 |
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| 摘 要： | 设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作
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| 关 键 词： | 等离子平板显示驱动 高压CMOS 高/低压兼容 CMOS工艺 TSUPREM-4 MEDICI |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)01-072-06 |
| 修稿时间： | 2001年4月12日 |
High Voltage CMOS Design for Plasma Display Panel Data Driver IC |
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| LU Shengli,SUN Weifeng,YI Yangbo,TAN Yue,WU Jianhui,SHI Longxing.High Voltage CMOS Design for Plasma Display Panel Data Driver IC[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(1):72-77. |
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| Authors: | LU Shengli SUN Weifeng YI Yangbo TAN Yue WU Jianhui SHI Longxing |
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| Abstract: | A High Voltage CMOS(HV CMOS) compatible with 0.6 μm rule CMOS process has been designed. At the same time an idiographic process single well without epitaxy to realize the HV CMOS is given. The fabricating difficulty and cost will be reduced if we use this process. The process and characteristic of the HV CMOS are simulated with TSUPREM 4 and MEDICI respectively. The HV CMOS, which can work safely when the high voltage and current are 80 V and 40 mA respectively, will be applied to plasma display panel(PDP) data driver IC. |
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| Keywords: | PDP driver HV CMOS high voltage/low voltage compatible CMOS process TSUPREM 4 MEDICI |
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