分层协同进化免疫算法及其在TSP问题中的应用

为提高人工免疫算法求解TSP问题的效率,借鉴分层和协同进化的思想,构造了一种基于多子种群免疫进化的两层框架模型,在此模型的基础上提出了一种基于竞争一合作的分层协同进化免疫算法(Hierarchical Co-evolution Immune Algorithm,HCIA).HCIA通过对若干个子种群进行低层免疫操作:局...     

一起220kV变压器风冷回路误动分析

1引言为了解决因用电负荷和天气炎热等原因导致变压器温升高的问题,变压器一般配置风冷装置,它的投入和退出由其相应的二次回路控制。国家标准明确了其二次接线需满足的要求有:①运行中的变压器顶层油温或变压器负载达到规定值时,能使辅助     

仿人智能模糊控制在污水处理中的应用

基于化工过程中污水处理的严重非线性，时间延迟、非参数模型等特性，使得采用常规的控制技术如ＰＩＤ，对ＰＨ值进行精密控制难以取得理想效果，提出了仿人智能模糊控制应用于污水处理，系统具有较强的鲁棒性和自适应性，现场运结果表明该系统具有优良的控制性能。     

使用掺铒光纤放大器的光接收机特性的研究

本文从理论上对强度调制－直接检测ＷＤＭ光传输系统中使用掺铒光纤放大器做前放的光接收机灵敏度及功率恶化进行了分析和计算。采用近似方法导出了光接收机灵敏度的数学表达式。     

CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计

讨论了3种常用的CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路,分别介绍了它们的电路结构以及设计考虑,并用Hspice对其中利用晶体管延时的电源和地的保护电路在ESD脉冲和正常工作两种情况下的工作进行了模拟验证。结论证明：在ESD脉冲下,该保护电路的导通时间为380ns;在正常工作时。该保护电路不会导通．因此这种利用晶体管延时的保护电路完全可以作为CMOS集成电路电源和地之间的ESD保护电路。     

SOI硅膜厚度对RESURF LDMOS参数的影响

对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压等参数随SOI硅膜厚度的变化曲线,这些结果对实际器件的设计以及工艺生产具有参考意义.     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

FM—SCA无线寻呼系统

本文分析了ＳＣＡ无线寻呼系统的基本构成，着重阐述了在调频广播基础上开展ＳＣＡ无线寻呼所需增加的系统，指出了建立ＳＣＡ无线寻呼台的优势。     

射频电路PCB设计

介绍了采用PROTEL99SE进行射频电路PCB设计的设计流程。为了保证电路的性能，在进行射频电路PCB设计时应考虑电磁兼容性。因而重点讨论了元器件的布局与布线原则来达到电磁兼容的目的。     

一种新型偏置栅MOS 管漂移区表面电压 和电场的分析模型

本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型，借助数学推导得到该模型的计算方程，通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系，同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法。