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| 0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模 | |
| 引用本文： | 张书霖,陈磊,严琼,张伟,刘盛富,苏杰,赖宗声,石艳玲,徐世美,杨飞.0.5μm SOI CMOS工艺开发与器件建模[J].微电子学,2011,41(4):582-586. |
| 作者姓名： | 张书霖 陈磊 严琼 张伟 刘盛富 苏杰 赖宗声 石艳玲 徐世美 杨飞 |
| 作者单位： | 1. 华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海,200062 2. 华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062;上海贝岭股份有限公司,上海200233 3. 上海贝岭股份有限公司,上海,200233 |
| 摘 要： | 对0.5 μm SOI CMOS工艺进行了开发,得到一套完整良好的工艺流程参数.根据流片测试结果,进行SOI CMOS器件的建模；利用BSIMproPlus软件中的BSIMSOI MOS模型,根据MOS管宽长比进行器件分类和建模,得到模型参数.对于部分耗尽SOI器件的固有浮体效应和kink效应,采用体接触方法来缓解其负... |
| 关 键 词： | 绝缘体上硅 CMOS 器件建模 浮体效应 |
Development of a 0.5 um SOI CMOS Process and Its Device Modeling |
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| ZHANG Shulin,CHEN Lei,YAN Qiong,ZHANG Wei,LIU Shengfu,SU Jie,LAI Zongsheng,SHI Yanling,XU Shimei,YANG Fei.Development of a 0.5 um SOI CMOS Process and Its Device Modeling[J].Microelectronics,2011,41(4):582-586. | |
| Authors: | ZHANG Shulin CHEN Lei YAN Qiong ZHANG Wei LIU Shengfu SU Jie LAI Zongsheng SHI Yanling XU Shimei YANG Fei |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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