排序方式: 共有73条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
浅海重磁电勘探由于其特殊性一直是物探工作困难区,但我国近海浅水面积大、资源丰富,在浅海开展重磁电方法研究具有重要意义。采用改进的仪器设备、借鉴前人经验,经多次试验研究,通过在渤海湾浅海地区开展的浅海重磁电方法的陆海联合数据采集工作,发展了相应的数据处理、解释方法,展示了浅海重磁电联合研究油气地质构造的效果。 相似文献
4.
面向对象分析技术在关系型数据库设计中的应用 总被引:3,自引:1,他引:2
介绍用面向对象的分析方法来设计关系型数据库,具体描述对象关系映射为关系型数据库的方法。 相似文献
5.
通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压,8V时即产生明显的相移量,在36GHz处15V驱动电压时相移量为118°,25V时为286°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为3×106次.为器件的实用化提供了重要保障. 相似文献
6.
级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化,来改变传输线的特性阻抗和相速,达到相移的目的.文中讨论了MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜,获得了较低的下拉电压.测试结果表明,相移器的下拉电压不大于40V,且当控制电压大于10V时,即有明显的相移.该MEMS相移器制备于电阻率大于4000Ω*cm的高阻硅衬底上,获得了较好的传输特性,在整个测试频段1~40GHz,S21均小于3dB,并在25V时获得了大于25°的相移量. 相似文献
7.
8.
9.
10.
多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明,在20μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1-30GHz范围内为1—40dB/cm;而在70μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65%。 相似文献