| 一个新型CMOS电流模带隙基准源 |
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| 引用本文： | 幸新鹏,李冬梅,王志华.一个新型CMOS电流模带隙基准源[J].半导体学报,2008,29(7):1249-1253. |
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| 作者姓名： | 幸新鹏 李冬梅 王志华 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所，北京 100084;清华大学电子工程系，北京 100084;清华大学微电子学研究所，北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学科学基金;北京市科技发展基金 |
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| 摘 要： | 介绍了一个新型电流模带隙基准源，该带隙基准源的输出基准可以设计为任意大于硅材料的带隙电压（1.25V）的电压，避免在应用中使用运算放大器进行基准电压放大. 同时该结构消除了传统电流模带隙基准源的系统失调. 该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证. 在1.6V电源电压下，该带隙基准源输出145V的基准电压，同时消耗27μA的电流. 在不采用曲率补偿的情况下，输出基准的温度系数在30℃ 到150℃的温度范围内可以达到23ppm/℃. 在电源电压从1.6变化到3V的情况下，带隙基准源的输入电压调整率为2.1mV/V. 该带隙基准源在低频（10Hz）的电源电压抑制比为40dB. 芯片面积（不包括Pads）为0.088mm2.
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| 关 键 词： | CMOS 带晾基准源 电流模 CMOS bandgap reference current mode |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1249-05 |
| 收稿时间： | 1/5/2008 5:00:44 PM |
A Novel CMOS Current Mode Bandgap Reference |
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| Xing Xinpeng,Li Dongmei and Wang Zhihua.A Novel CMOS Current Mode Bandgap Reference[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7):1249-1253. |
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| Authors: | Xing Xinpeng Li Dongmei and Wang Zhihua |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Department of Electronic Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS bandgap reference current mode |
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