| 一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 幸新鹏,李冬梅,王志华.一个电压接近1V 10ppm/℃带曲率补偿的CMOS带隙基准源[J].半导体学报,2008,29(1):24-28. |
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| 作者姓名： | 幸新鹏 李冬梅 王志华 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子研究所，北京 100084;清华大学电子工程系，北京 100084;清华大学微电子研究所，北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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北京市科委科研项目 |
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| 摘 要： | 介绍了一个带曲率补偿的低电压带隙基准源.由于采用电流模结构,带隙基准源的最低电源电压为900mV.通过VEB线性化补偿技术,带隙基准源在0到150℃的温度范围内的温度系数为10ppm/℃.在电源电压为1.1V时,电源电流为43μA,低频的PSRR为55dB.该带隙基准源已通过UMC 0.18μm混合信号工艺验证,芯片面积为0.186mm2.
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| 关 键 词： | CMOS带隙基准源 低电源电压 曲率补偿 CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation |
| 文章编号： | 0253-4177（2008）01-0024-05 |
| 收稿时间： | 7/9/2007 9:41:01 PM |
| 修稿时间： | 8/25/2007 9:38:21 PM |
A Near-1V 10ppm/℃ CMOS Bandgap Reference with Curvature Compensation |
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| Xing Xinpeng,Li Dongmei and Wang Zhihua.A Near-1V 10ppm/℃ CMOS Bandgap Reference with Curvature Compensation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1):24-28. |
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| Authors: | Xing Xinpeng Li Dongmei and Wang Zhihua |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Department of Electronics Engineering,Tsinghua University,Beijing 100084,China;Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS bandgap reference low voltage curvature compensation |
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