| 标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现 |
| |
| 引用本文： | 李强,王俊宇,韩益锋,闵昊.标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现[J].半导体学报,2005,26(2):238-242. |
| |
| 作者姓名： | 李强 王俊宇 韩益锋 闵昊 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I-V,C-V和S参数,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压.最后给出了可用于SPICE仿真的模型.
|
| 关 键 词： | CMOS 肖特基二极管 集成 |
Design and Fabrication of Schottky Diode with Standard CMOS Process |
| |
| Li Qiang,Wang Junyu,Han Yifeng,MIN Hao.Design and Fabrication of Schottky Diode with Standard CMOS Process[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(2):238-242. |
| |
| Authors: | Li Qiang Wang Junyu Han Yifeng MIN Hao |
| |
| Abstract: | Design and fabrication of Schottky barrier diodes (SBD) with a commercial standard 0.35μm CMOS process are described.In order to reduce the series resistor of Schottky contact,interdigitating the fingers of schottky diode layout is adopted.The I-V,C-V,and S parameter are measured.The parameters of realized SBD such as the saturation current,breakdown voltage,and the Schottky barrier height are given.The SPICE simulation model of the realized SBDs is given. |
| |
| Keywords: | CMOS Schottky diode integration |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
