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1.
一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器   总被引:9,自引:3,他引:6  
提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2~2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.  相似文献   
2.
提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2~2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.  相似文献   
3.
应用层次化设计的方法,设计出具有低电源电压探测功能和长复位时间的上电复位电路。通过改变MOS电容的大小和施密特触发器的阈值电压,调节复位时间,产生的复位信号持续时间长。设计中嵌入了低压检测电路,外界干扰导致供电电压降低时,同样会产生复位信号。电路运用MOS管设计,版图面积大大缩小。在Cadence Spectre下采用0.5μm BCD工艺对设计电路进行仿真:5 V电源电压、典型工艺角及常温下,复位时间持续19.623 ms;供电电压降至3.8 V以下,产生的复位信号持续时间为20.079 ms,该设计提高了芯片工作的可靠性。  相似文献   
4.
标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I-V,C-V和S参数,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压.最后给出了可用于SPICE仿真的模型.  相似文献   
5.
黄晨灵  刘圆  韩益锋  闵昊 《计算机工程》2007,33(13):230-232,235
提出了一种全新的射频识别(RFID)数字接收机的实现方案。针对RFID系统实时性的要求,该设计采用简化的相关算法取代数字锁相环结构,快速准确地捕获频率范围在31.2kHz~780.8kHz内的突发信号,并实现接收数据解码。与采用过零检测方案的数字接收机相比,本设计具有更强的抗干扰能力。该数字接收机在Altera Stratix II EP2S60上验证通过,取得了良好的性能。  相似文献   
6.
在分析RFID系统接收数据的特征的基础上,提出一种基于相关操作的数字解调器设计.该解调器可对低信噪比且具有较大频偏的接收数据完成频偏估计并进行解码.仿真结果显示,该解调器可对信噪比≥6dB、频偏+/-22%之内的数据进行正确解调,FPGA测试结果表明,应用该解调电路后阅读器和标签的通讯距离可达4米以上.本文采用的设计思想亦可拓展到除RFID系统外其他低接收信噪比、大频偏信号的接收机设计中.  相似文献   
7.
一种高精密CMOS带隙基准源   总被引:6,自引:1,他引:5  
王彦  韩益锋  李联  郑增钰 《微电子学》2003,33(3):255-258,261
设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路。该电路实现了一阶PTAT温度补偿,并具有好的电源抑制比。SPICE模拟和测试结果表明,其电源抑制比可达到60dB,在20—70℃范围内精度可达到60ppm/℃。  相似文献   
8.
文章分析了射频电子标签芯片电源的特点,根据电源低电压和低成本要求,讨论了传统的带隙基准源和全CMOS的基准电压源电路方案,设计并实现了一种适合电子标签芯片应用的全CMOS的基准电压源电路。该电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,电源电压范围为1~5 V,电源敏感度为1~3%/V,输出电压的温度特性为3~20.7 ppm/℃,符合射频电子标签的设计要求。  相似文献   
9.
提出了一种新结构发射电路,适用于10/100MHz Base TX以太网,兼容10MHz Base TX和100MHz Base TX两种工作模式,并能在这两种模式间自由切换.电路采用了波形整形,斜率控制,复用线驱动器等技术,使所有参数符合IEEE802.3标准.芯片在SMIC的0.18μm CMOS工艺流片测试,电源电压为3.3V.  相似文献   
10.
一种适用于10/100MHz Base TX以太网的新型发射电路   总被引:3,自引:2,他引:1  
提出了一种新结构发射电路,适用于10/100MHz Base TX以太网,兼容10MHz Base TX和100MHz Base TX两种工作模式,并能在这两种模式间自由切换.电路采用了波形整形,斜率控制,复用线驱动器等技术,使所有参数符合IEEE802.3标准.芯片在SMIC的0.18μm CMOS工艺流片测试,电源电压为3.3V.  相似文献   
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