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| 关于S0I（SIMOX）材料在注入过程中粒子污染的研究 | |
| 引用本文： | 刘咸成,唐景庭,等.关于S0I（SIMOX）材料在注入过程中粒子污染的研究[J].集成电路应用,2003(3):53-55. |
| 作者姓名： | 刘咸成 唐景庭 等 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所410111 |
| 摘 要： | 本文描述注氧机在制作SOI（SIMOX）材料时，注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响。结合SIMS测试结果，从光路结构，电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理，并提出相应的解决措施。 |
| 关 键 词： | 注氧机 SOI SIMOX 溅射 电离 粒子污染 半导体材料 |
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