| 提高SOI器件和电路性能的研究 |
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| 引用本文： | 海潮和,韩郑生,周小茵,赵立新,李多力,毕津顺.提高SOI器件和电路性能的研究[J].半导体学报,2006,27(13):322-327. |
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| 作者姓名： | 海潮和 韩郑生 周小茵 赵立新 李多力 毕津顺 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029 |
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| 摘 要： | 在分析SOI器件的浮体效应、击穿特性、背栅阈值、边缘漏电、ESD及抗辐照特性的基础上，提出了提高SOI器件和电路性能的技术途径. 体接触是防止浮体效应的最好方法；正沟道和背沟道的BF2/B离子注入可以分别满足阈值和防止背栅开启的需要；SOI器件栅电极的选取严重影响器件的性能； 源区的浅结有助于减小寄生npn双极晶体管的电流增益；而自对准硅化物技术为SOI器件优良特性的展现发挥了重要作用. 研究发现，采用综合加固技术的nMOS器件，抗总剂量的水平可达1E6rad(Si).
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| 关 键 词： | SOI 浮体效应 沟道 抗辐照 |
Study of Improved Performance of SOI Devices and Circuits |
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| Hai Chaohe,Han Zhengsheng,Zhou Xiaoyin,Zhao Lixin,Li Duoli and Bi Jinshun.Study of Improved Performance of SOI Devices and Circuits[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):322-327. |
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| Authors: | Hai Chaohe Han Zhengsheng Zhou Xiaoyin Zhao Lixin Li Duoli and Bi Jinshun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI floating body effect channel radiation hardness |
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