一种用于地面和有线接收机的宽带低噪声放大器

提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.     

CMOS与双极型运算放大器:哪种工艺更适合应用?

如今,有许多运算放大器（运放）可供系统设计人员选择。3家最大的运放制造商总共推出超过1,600种可供选择的产品,这还不包括专用放大器!那么如何在浩如烟海的器件中进行筛选呢？一种将选择范围缩小的方法是从选择最佳制造工艺开始。大多数制造商清楚地将运放标记为CMOS、双极型或是BiCMOS,但这在实际应用中又代表什么含义呢？     

基于0．5μmCMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计

为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点。在s_Edit中进行“BiCMOS运放设计”电路设计,并对其电路各个器件参数进行调整,包括M0s器件的宽长比和电客电阻的值。完成电路设计后,在Tspice中进行电路的瞬态仿真,插入CMOS,PNP和NPN的工艺库,对电路所需的电源电压和输入信号幅度和频率进行设定调整,最终在W—Edit输出波形图。在MCNC0．5μm工艺平台上完成由MOs、双极型晶体管和电容构成的运算放大器版图设计。根据设计的版图,设计出BiCMOS相应的工艺流程,并提取各光刻工艺的掩模版。     

一种新式SEU加固PD SOI SRAM单元

本文提出了一种新式SEU加固的10管PD SOI静态存储单元。通过将互锁反相器中的上拉和下拉管分割成两个串联的晶体管,该单元可有效抑制PD SOI晶体管中的寄生BJT和源漏穿通电荷收集效应,这两种电荷收集效应是引起PD SOISRAM翻转的主要原因。通过混合仿真发现,与穿通的浮体6T单元相比,该单元可完全解决粒子入射单个晶体管引起的单粒子翻转。通过分析该新式单元的翻转机制,认为其SEU性能近似与6T SOI SRAM的单粒子多位翻转性能相等。根据参考文献的测试数据,粗略估计该新式单元的SEU性能比普通45nm 6T SOI SRAM单元提升了17倍。由于新增加了四个晶体管,该单元在面积上增加了43.4%的开销,性能方面有所降低。     

恩智浦新一代硅锗碳BiCMOS QUBIC4技市促进射频创斯

恩智浦半导体（NXB Semiconductors，由飞利浦成立的独立半导体公司）近日推出业界领先的QU—BIC4BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本优势。恩智浦承诺将进一步加大对QUBIC4 BiCMOS技术的投入，使未来的射频（RF）产品，如手机和通信基础设施设备所用的低噪声放大器、中功率放大器和LO发生器等，能够具有更强的性能特性。     

BiCMOS工艺的高线性度下变频混频器设计

利用BiCMOS工艺设计了一种高线性度下变频混频器.在此变频混频器的设计中结合了双极型工艺在射频段的高性能以及MOS工艺的高线性度,并利用其对传统的吉尔伯特单元进行了优化.基于JAZZ 0.35μm标准BiCMOS SBC35工艺设计参数对混频器进行了设计和仿真,仿真结果表明该混频器获得了良好的性能指标,转换增益为9.3 dB,输入3阶互调点达到了16 dBm,在5 V单电源下消耗1.9 mA的电流.     

基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响.本文同时分析了CMOS和BJT压控振荡器设计思路的不同.本设计中,采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能.该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器.测试结果表明,当中心频率为2.5GHz时,在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc/Hz和-116dBc/Hz.工作电压为3V时,VCO核心电路的电流消耗为8mA.据我们所知,这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器.     

亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。     

基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的2GHz功率放大器设计

采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个2GHz功率放大器. 该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点. 通过在管子基极和匹配电感中串联电阻,实现了全频段稳定. 键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作. 在VC=3.5V, VB=6V, f=2.0GHz时,小信号增益为20.8dB,输入输出反射系数分别小于-17和-16dB, Pout-2dB约为24dBm. 而在输出功率为25.1dBm时,功率附加效率达到21.5%,二次和三次谐波分别小于-45和-52dBc,因而具有较好的线性度.