一种新式SEU加固PD SOI SRAM单元

本文提出了一种新式SEU加固的10管PD SOI静态存储单元。通过将互锁反相器中的上拉和下拉管分割成两个串联的晶体管,该单元可有效抑制PD SOI晶体管中的寄生BJT和源漏穿通电荷收集效应,这两种电荷收集效应是引起PD SOISRAM翻转的主要原因。通过混合仿真发现,与穿通的浮体6T单元相比,该单元可完全解决粒子入射单个晶体管引起的单粒子翻转。通过分析该新式单元的翻转机制,认为其SEU性能近似与6T SOI SRAM的单粒子多位翻转性能相等。根据参考文献的测试数据,粗略估计该新式单元的SEU性能比普通45nm 6T SOI SRAM单元提升了17倍。由于新增加了四个晶体管,该单元在面积上增加了43.4%的开销,性能方面有所降低。     

东芝开发43nm CMOS的16Gb NAND闪存

东芝宣布成功开发出专用于16GbNAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43nm工艺技术制造。新型芯片大小约为120mm^2.存储单元聚集在平行排列的64单元NAND串中，并且受其控制，存储单元的数量是56nm产品的一倍，两端均配有一个虚设的字线单元，用于避免程序干扰。同时，通过在电路中加入高压开关，减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。     

塔河油田奥陶系油藏存储单元的定义和划分——以塔河油田4区为例

目前对于塔河油田缝洞型碳酸盐岩储集体的宏观分布,总体来看都是进行大尺度的宏观描述.基于Hartmann,D.J和Beaumont,E.A.提出的分层次认识油藏的系统思想,以塔河油田四区为研究对象,提出了存储单元的概念,并且根据单井的动态产量曲线和缝洞储集体对存储单元进行了划分,利用存储单元的概念表征岩溶缝洞储集体,进一步细化了研究单元,对深化认识缝洞型碳酸盐岩油藏的动态连通关系、为二次采油提供了全新的研究思路,具有较大的实际意义.     

Few-Layer Graphene Modified by Bridge-Like Defects as Li-Storing Cells

The paper presents some results of computer simulations and density functional theory calculations of the energetic and structural characteristics of few-layer graphene nanostructures as storing cells for Li. Modeling and calculations allow to reveal some peculiarities in such systems, which can be considered as causes of known dimension instabilities and shortening of the life-time of Li- based electrical power devices. Results of the computational study and calculations predict, that all these problems can be in significant measure solved by modifying of few-layer graphene nanostructures by bridge -like defects, which make them much more stiffer and stable against the deformation.     

可用于高密度高速度领域的一种新型两端静态存储单元的设计

A vertical two-terminal silicon PNPN diode is presented for use in a high-density memory cell. The device design for high-speed operations was studied with experiments and calibrated simulations, which proves that the proposed memory cell can be operated at nanosecond range. The static and dynamic power dissipations were also studied, which indicated the availability of the proposed memory cell for VLS1 applications. Moreover, the memory cell is compatible with CMOS process, has little impact from process variation, and has good reliability.     

半浮栅晶体管将引发芯片革命

正最近,上海复旦大学微电子学院张卫教授带领的科研团队,成功地研制出半浮栅晶体管(SFGT:Semi-Floating-Gate Transistor),有望让电子芯片的性能实现突破性的提升。该成果发表在2013年8月9日的《科学》杂志上,这也是我国科学家在《科学》上发表的首篇有关微电子器件的研究论文。金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)和浮栅晶体管是广泛应用于当前主流芯片的两种器件。     

A Low Power SRAM/SOI Memory Cell Design

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元. 基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析，设计单元结构并选取结构参数. 该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOS SRAM单元中的pMOS元件，具有面积小、工艺简单的优点. 该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作，与6管单元相比，该单元瞬态响应正常，功耗只有6管单元的1/10，满足低压低功耗的要求.     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

铁电存储器原理及应用

本文介绍铁电存储器(FRAM)的一般要领和基本原理，详细分析了其读写操作过程及时序。将FRAM与其他存储器进行了比较，分析了在不同场合中各自的优缺点。最后以FM1808为例说明并行FRAM与8051系列单片机的实际接口，着重分析了与使用一般SRAM的不同之处。