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1.
2.
张超 《北京印刷学院学报》2021,29(11):90-94
基层治理现代化是在基层社会的制度和程序约束下,规范各个参与主体的行为,维护公共秩序,发挥参与主体的作用,共同解决公共问题和增进公共利益.作为中国社会主义民主政策的独特形式和独特优势,协商民主的价值目标和基层治理现代化的价值追求存在一致性.基于政治实践的现实要求,基层协商与其他层面的协商略有不同,是关于基层公共事务的协商,是人民当家作主的重要体现.大力发展基层民主协商制度,推动基层治理现代化,有利于保障公民参与公共事务管理和决策的权利,进一步巩固社会主义民主政治的发展. 相似文献
3.
4.
地表不透气的覆盖层使土体表面蒸发受阻,引起水分在覆盖层下集聚,导致覆盖层下土体含水率升高的现象被称为“锅盖效应”。““锅盖效应””会引起一系列的工程病害。目前在计算“锅盖效应”水汽迁移量时,大多采用多场耦合的数值计算方法,计算繁琐不便于使用。根据工程实际条件,推导并得到了可以预测不同埋深位置土体温度的计算式;基于Fick定律,推导得出能反映气态水迁移量的计算式;进而提出一种简单的“锅盖效应”水汽迁移量计算方法。对该计算方法得到的计算值与现场试验的实测值对比显示,变化趋势较为接近;表明该方法能够反映出土体不同埋深位置含水率变化趋势,有效、可行。 相似文献
6.
为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。 相似文献
7.
电流/位移闭环控制能够有效抑制永磁机构分合闸时间分散性,提高断路器相控操作质量,延长开关使用寿命。可信的仿真模型能够在闭环控制系统设计验证阶段分析、比较、检验不同控制方法的动态特性和分散性抑制能力,指导实际控制器选型和设计,缩短研发周期。该文建立了永磁机构及其驱动控制系统多物理域联合仿真模型,实验分析并获得了关键敏感元件的温度效应数据库,同时考虑涡流效应的影响,论证了不同温度下联合仿真模型的可信性与有效性。在此基础上,设计了反馈线性化控制系统,通过联合仿真平台对比分析了该系统与现有典型控制系统的跟随特性、振荡超调以及分散性抑制能力。基于嵌入式系统的双闭环控制实验结果表明,多物理域联合仿真具备有效的控制器设计指导作用。 相似文献
8.
相较于在直流线路两端配置限流电抗器,多端直流电网(multi-terminal DC power grid,MTDC)在换流站出口安装限流电抗器可在抑制短路电流的前提下减少经济性投资。针对此类拓扑结构下基于边界效应的直流线路保护不再适用的问题,该文分析了多端柔直电网线路故障下行波复杂的折反射现象,推导了线路发生区内外故障时,两端保护安装处测量到的前两个电压行波的表达式,揭示了区内外故障时线路两端的电压行波的极性特征,在此基础上提出了基于电压极性比较的行波保护方案。该方案无需考虑阈值设定和采样不同步的影响,能够可靠识别出区内外故障。最后,基于PSCAD/EMTDC仿真平台,验证了该保护方案的有效性。 相似文献
9.
寒区河道凌汛灾害河势“弯道效应”的量化评估十分重要。基于分形理论提出河道横断面-纵剖面-平面多维度河势分形维数计算方法及其物理机制,并探讨黄河内蒙古段不同维度河势演变分形特征及其与凌汛灾害的关联关系。结果表明,黄河内蒙古段不同维度河势均具有多尺度自相似分形特征,且具有多年记忆周期的长程相关性;冰坝(严重性冰塞)发生频次与河道主槽弯曲分形维数呈正相关指数型函数关系,与河相系数、深泓点高程和河段平均底坡分形维数负相关,与水深-面积分形维数正相关,总体表明冰坝灾害更易发生于主槽偏移摆动大、蜿蜒曲折、河湾发育程度高的宽浅型弯曲河道,研究成果可为凌汛期冰塞冰坝灾害易发河段诊断及预测提供重要理论依据。 相似文献
10.
针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。 相似文献