SIL验证与安全仪表系统的优化设计

安全仪表功能(SIF)回路是为了降低特定场景的安全风险而设置的,定级报告中SIF回路的功能描述是工艺设计的完整逻辑要求,包含关键动作及附件动作。安全完整性等级(SIL)验证属于概率学领域研究范畴,影响失效率的因素多且复杂。如果SIL验证无法通过,将造成大量的设计变更,浪费工程投资,影响工期。设计人员应关注SIL定级报告中关键动作的识别、要求平均失效概率以及SIF回路架构的约束。按照文中方法优化测量元件、逻辑控制器、执行元件及辅助元件的设计,可增加通过验证的概率。在没有预验证及安全要求规格书时,可以参考文中典型可通过SIL验证的SIF回路的经验架构进行优化设计,以减少工程变更。     

倾斜角影响下磁悬浮双转子系统的振动分析

针对倾斜角影响下磁悬浮双转子系统的转子振动问题，建立系统10 自由度力学模型，并推导系统的微分方程。通过MATLAB仿真软件中四阶龙格库塔法对系统微分方程进行求解，研究表明转速比和倾斜角的增大均会增大转子到达平衡位置的偏移距离，不同的是，前者会使转子的轴心轨迹变得更为复杂，而后者会增大转子的最大振动幅值。从非线性角度分析发现，转速比的增大会降低转子进入混沌运动的转速，降低系统的稳定性，而倾斜角的存在会使系统产生复杂的运动状态，但倾斜角的增大对系统的稳定性无影响。研究结果可以为磁悬浮双转子系统的设计提供一定的理论指导。     

梯度铝蜂窝夹芯板的力学行为

梯度分层铝合金蜂窝板是一种有效的吸能结构,本工作在梯度铝蜂窝结构的基础上根据梯度率的概念,通过改变蜂窝芯层的胞壁长度,设计了4种质量相同、梯度率不同的铝蜂窝夹芯结构。通过准静态压缩实验,并结合非线性有限元模拟准静态及冲击态下梯度铝蜂窝夹芯结构的变形情况及其力学性能,分析对比了相同质量下梯度铝蜂窝夹芯结构在准静态下的变形模式以及冲击载荷下分层均质蜂窝结构和不同梯度率的分层梯度蜂窝结构的动态响应和能量吸收特性。结果表明:在准静态压缩过程中,铝蜂窝梯度夹芯板的变形具有明显的局部化特征,蜂窝芯的变形为低密度优先变形直至密实,层级之间的密实化应变差随芯层密度的增大而逐渐减小;在高速冲击下,梯度蜂窝板并非严格按照准静态过程中逐级变形直至密实,而是在锤头冲击惯性及芯层密度的相互作用下整体发生的线弹性变形、弹性屈曲、塑性坍塌及密实化;另外,在本工作所设计的梯度率中,当梯度率为γ₁=0.0276时,梯度蜂窝夹芯板的吸能性达到最好,相较于同等质量下的均质蜂窝夹芯板,能量吸收提高了10.63%。     

基于Matlab的量子激光雷达稳频通信模拟系统设计

传统通信模拟系统设计较为复杂,导致模拟过程消耗能量较大,不能准确模拟稳频通信质量。因此,提出基于Matlab的量子激光雷达稳频通信模拟系统。由于振荡器是雷达形成初始信号源的基础,通过分析振荡电路与相位噪声,获得相位噪声函数与通信频率存在的关系;为确保通信过程的稳定,将准确性与稳定性作为信号质量的评价指标,并采用锁频环稳频技术计算频率偏移程度,根据PID控制算法控制频率,量子激光雷达稳频通信;利用Matlab确定激光器、探测器等硬件组成结构,通过时序与数字阵列的设置完成模拟系统设计。仿真结果表明所提系统结构简便、性能稳定,能够真实模拟出稳频通信的信号质量。     

咔唑基二阶非线性光学生色团的设计与合成

为了探究不同给电子体与共轭桥和受体的匹配效应,以咔哇为共轭桥,以久洛尼定(GLN)为电子给体,2-[(3-氰基-4,5,5-三甲基呋喃-2(5H)-亚烷基)]丙二腈(TCF)作为电子受体,通过Wittig和Vils meier等反应合成了一种新型生色团.采用核磁共振氢谱(1HNMR)对其结构进行了表征,并通过热重分析、紫外吸收光谱以及密度泛函数理论(DFT)计算对分子的稳定性以及微观非线性光学性能进行了研究.结果表明,新型生色团展现了良好的非线性光学性能以及热稳定性.     

发明与专利

本发明公开了一种用于无人载具控制器的传感器高频震动传导阻隔减震方法,是包含似不限十利用无人载具控制器外壳与高频震动传导阻尼材料柱相连,并通过高频震动传导阻尼材料柱紧扣住传感器电路板,将传感器电路板悬空置于控制器内,同时通过无人载具控制器外壳锁紧时压缩高频震动传导阻尼材料柱,将高频震动传导阻尼材料柱内部的空气进行压缩。     

新能源汽车整车控制器的MOSFET振铃抑制

汽车电子产品中电源电路的设计会直接影响整个产品功能的稳定性和EMC性能.新能源汽车整车控制器应用基础电源管理芯片FS8510设计电源模块电路时,其外围MOSFET产生了严重的振铃现象.为解决这一问题,提出更换外围MOSFET及增加Snubber缓冲网络两种改善措施,并给出了选择MOSFET的影响参数和有效的Snubber缓冲网络RC配比算法.整车控制器传导发射-电压法的测试结果表明:两种措施都可以有效抑制MOSFET的振铃,提高产品的EMC性能.