一种用于三电平逆变器的SVPWM调制方法研究

本文从二极管箝位型三电平逆变器的基本结构出发，分析其输出状态，推导出六角形空间电压矢量图。然后从一种改进的，可以减小开关损耗，避免高的dv／dt三电平空间矢量PWM调制策略出发，建立了基于Matlab的详细仿真方案，验证了方案的可行性。文章给出了扇区判断的算法流程图，脉冲生成模块的内部结构图，其中的扇区判断的算法和脉冲生成方法对于用DSP实现三电平SVPWM具有重要的参考价值。     

飞兆半导体推出1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

1200V IGBT能够降低微波炉、电磁电饭煲和其它电磁炉的系统工作温度飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高     

适用于混合动力汽车的二极管

英飞凌科技推出全新650VCoolMOSTMCFDA,扩大其车用功率半导体产品阵容。650VCoolMOSTMCFDA尤其适用于混合动力汽车和纯电动汽车的电池充电、直流／直流转换器和HID（高强度放电）照明等谐振拓扑。 该方案兼具快速开关超结MOSFET的优点：更高的轻载效率、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更易使用以及高的可靠性等。可满足汽车应用对于更高能效的要求,它具备更低的单位面积通态电阻和易于控制的开关行为,以及较好的体二极管耐用性。体二极管重复换向时更低的Qrr和Qoss值可降低开关损耗和缩短开关延迟时间。     

模块化多电平变换器全桥型子模块优化均压控制方法

模块化多电平变换器(MMC)子模块(SM)的数量与直流侧电压成正比,当SM增加时,会导致MMC的开关损耗急剧增加,因此降低功率器件的开关频率一直是MMC的重要研究方向之一。采用最近电平逼近调制(NLM)方式,提出一种基于全桥型SM的改进均压排序法,旨在降低MMC中功率器件IGBT的开关频率,该方法实现相对简单,无需额外的控制器,且易于扩展。最后,通过在MATLAB/Simulink平台搭建了19个全桥SM的仿真模型,验证了该方法的有效性。验证了所提全桥型SM优化均压策略,可以有效避免IGBT不必要的反复投切,降低IGBT的开关损耗,同时对外部输出特性不会产生负面影响。     

新型双BUCK恒流源的研究

为解决电源设计中片面追求高频化所带来的一系列问题,设计了一种双BUCK拓扑结构的开关恒流源。分析了其工作原理,并用Saber软件对电路进行仿真分析,再通过实验验证了其正确性、可行性和有效性。     

大功率三电平PWM整流器无权值系数预测控制

针对传统预测控制算法中成本函数的权值系数设计复杂的问题,提出了一种大功率三电平PWM整流器无权值系数预测控制算法。在引入目标跟踪误差容许界限区间的基础上,计算电流指令跟踪与中点电位调节多目标满意优化控制的Pareto优解集:当Pareto优解集为空集时,利用基于控制偏差程度衡量函数的电流指令跟踪与中点电位调节目标成本函数,消除了传统预测控制中成本函数的权值系数;当Pareto优解集不为空集时,设计了一种新型开关损耗成本函数,实现了整流器低开关频率控制。仿真结果验证了该算法的有效性及动态性能。     

模块化多电平变换器功率模块的电流与损耗

为了便于对电压源变换器功率器件进行系统设计以及对其参数、冷却装置进行有效选择,需要对电流与损耗进行有效估算.通过介绍新型模块化多电平变换器（MMC）的工作模态,对其电流分布进行了详细分析,给出一种基于电流分布和元件特征曲线线性拟合的简单MMC损耗计算方法,并在此基础上分析了开关频率、功率因数等对MMC损耗的影响.仿真计算结果表明,该方法能简单有效地对不同工况下各个元件的损耗进行计算,其计算结果对功率器件及其散热装置的选择有一定的指导作用.     

基于S/SP补偿的整流性负载等效阻抗精确计算方法及逆变器开关损耗优化

基波等效法是无线电能传输(wireless power transfer,WPT)技术的主要研究方法,该方法将整流性负载的基波阻抗等效为某一纯电阻,为系统的建模和分析提供基础。但该方法忽略整流性负载谐波阻抗的影响,使WPT系统的实际响应与理论分析结果存在较大的误差,从而影响系统的模型精度,限制WPT系统的进一步优化设计。该文以基于串/串并(series/series-parallel,S/SP)补偿网络的WPT系统为研究对象,分析利用基波等效法进行建模产生误差的原因,并提出一种基于迭代法的整流性负载基波以及各次谐波等效阻抗的精确计算方法。在此基础上,建立WPT系统的精确电路响应模型,所提模型可以有效表征发射线圈电流的畸变特性,并根据系统响应与补偿网络参数的关系获得系统逆变器开关损耗的优化设计方法。最后,搭建一台3kW的WPT系统样机,实验结果验证理论分析的正确性和可行性。     

High power devices in wide bandgap semiconductors

Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered by both USA and Europe based companies. Active switching devices such as bipolar junction transistors (BJTs), field effect transistors (JFETs and MOSFETs) are now reaching the market. The interest is rapidly growing for these devices in high power and high temperature applications. The main advantages of wide bandgap semiconductors are their very hi...     

FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法

详细分析了SVPWM的原理,介绍一种根据负载的功率因子来决定电压空间零矢量的分配与作用时间的SVPWM 算法,使得桥臂开关在通过其电流最大时的一段连续时间内没有开关动作.这样在提高开关频率的同时减小了开关电流,以此得到具有最小开关损耗的SVPWM算法.Simulink仿真结果验证了理论的正确性,ModelSim的仿真结...