在感应加热应用中提升效率和系统可靠性

使用感应加热技术可以实现节能并提高系统的可靠性。飞兆半导体公司(Fairchild)最近推出了全新1200V Field Stop Trench(场截止沟道)IGBT系列器件——FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效     

飞兆半导体Field Stop Trench IGBT

飞兆半导体公司日前推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGAl5N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用FieldStop（场截止）结构和抗雪崩的Trenchgate（沟道栅）技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。     

飞兆全新器件提高感应加热应用的效率

飞兆半导体公司推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FFD和FcAl5N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop（场截止）结构和抗雪崩的Trench gate（沟道栅）技术,可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡,从而获得最高的效率。与传统的NPT-Trench IGBT器件相比,FGA20N120FTD可减小25％的导通损耗、8％的开关损耗,并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低,系统可靠性得以增强,系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关（ZVS）技术而优化的快速恢复二极管（FRD）,进一步提高了可靠性。     

1200VNPT沟道IGBT

飞兆半导体公司推出1200V NPT沟道IGBT FGA25N120ANTD,结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形…     

FGA15N120ANTD： NPT-Trench IGBT

飞兆半导体推出1200V／15A NPT-Trench IGBT FGA15N120ANTD，该器件能在电磁感应加热（1H）电器中耐受高达300mJ的雪崩能量，有助于设备在非正常的雪崩模式下实现“稳健“的故障安全操作。     

飞兆半导体的1200V NPT沟道IGBT抗雪崩能力佳

针对电磁加热应用提供抗雪崩能力FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT,结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。在电磁加热设备中,…     

分立器件

FGA25N120ANTD：1200VNPT沟道IGBT 飞兆半导体公司推出1200VNPT沟道IGBTFGA25N120ANTD，结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热（1H）应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、1H电饭煲和其它1H炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低10℃，因而能够延长系统寿命。     

飞兆半导体推出1200V/15A NPT-trench IGBT

飞兆半导体公司宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热(IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量。这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健”的故障完全操作,而非正常的雪崩情况通常会影响IH电器如微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具等。FGA15N1     

1200 V IGBT的性能优化

主要研究1200 V IGBT器件的性能优化方法。理论分析了IGBT结构参数与其主要性能的关系,按1200 V IGBT器件击穿电压和饱和压降的设计要求,重点讨论了FS、JFET注入、延长JFET退火时间和减小Pring注入剂量对IGBT器件击穿电压(BV)和饱和压降(Vdson)的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳性能参数。     

电源

Linear推出36V降压型LED驱动器LT3474；NS LM5080采用平均设定方法设计；研诺逻辑AAT2803具备闪光灯功能;Fairchild FGA25N120ANTD提供卓越的抗雪崩能力;Renesas推出智能型PFC控制IC.     

具有积累层沟道的槽栅IGBT结构

提出了一种具有积累层沟道的槽栅IGBT结构。仿真结果表明：在阻断电压为1200V,集电极电流密度为100 A/cm2,温度分别为300K和400K下的情况下,积累层沟道槽栅IGBT的正向压降分别为1.5V 和2V而常规槽栅IGBT分别为1.7V和2.4V。新结构比常规槽栅IGBT具有更低的开态压降和更大的正向安全工作区。文中同时分析了积累层沟道槽栅IGBT的阻断特性和关断特性。     

用于工业的具有高频开关性能的1200V IGBT模块

带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。     

IRG7PH35U等：IGBT

国际整流器公司推出针对感应加热、不问断电源太阳能和焊接设计的可1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）。     

IRG7PH35U等：IGBT

国际整流器公司推出针对感应加热、不问断电源太阳能和焊接设计的可1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）。     

元器件与组件

面向各种无线通信应用的超小封装场效应晶体管；超小型SOT-963封装双小信号MOSFET；30V TrenchFET功率MOSFET；高额定电流半桥600V及1200V IGBT模块。     

NGTB40N120FLWG等：IGBT

安森美半导体扩充NGBTxx系列1200V沟槽型场截止绝缘门双极晶体管（IGBT）器件。     

高功率IGBT模块驱动器实现智能化管理

正随着用于电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用的高压IGBT市场需求不断增长,高压和超高压IGBT栅极驱动器应运而生。日前,英国Amantys公司宣布推出一款针对高功率模块的IGBT栅极驱动器,其工作电压为4500V,额定电流从400A至1200A,它专为支持包括ABB、     

APT85GRl2082／120L／120J：IGBT

美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non-punchthrough，NPT）系列的三款IGBT新产品：APT85GRl2082、APT85GRl20L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的PowerMOS8技术，总体开关和导通损耗显著降低，设计用于大功率的高性能开关模式产品，比如电焊机等。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

IGBT在开关应用领域全面挺进

绝缘栅双极晶体管(IGBT),是第一代电力电子器件的代表性产品。经过近20年的发展,目前前市售IGBT系列产品耐压一般为600～1200V,电流容量高达600A,实验室研制水平达1600V/1200A、2800V/100A。由于IGBT既具有MOSFET这类场控型器件高输入阻抗、微功率驱动、开关速度快、安全工作区(SOA)大等特点,同时还具有双极晶体管(BJT)电流密度大、热阻小、饱和压降低诸优点,故在功率开关器件领域的竞争中,占有比较明显的优势。