首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   0篇
交通运输   6篇
  2012年   1篇
  2010年   1篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
  2007年   2篇
排序方式: 共有6条查询结果,搜索用时 125 毫秒
1
1.
简要介绍了集成门极换流晶闸管(IGCT)器件的结构,描述了IGCT的阻断状态、开通过程、导通状态及关断过程4个阶段的特点,并针对该4个阶段介绍了器件的重要参数及应用注意事项。  相似文献   
2.
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。  相似文献   
3.
描述局部电子辐照技术在一种新型半导体器件——1145RC-GCT中的应用,介绍了局部电子辐照技术的实现方法及控制手段。  相似文献   
4.
概述国内IGCT器件近5年的发展,介绍国产IGCT器件产品,总结了研制取得的技术进步,并给出了IGCT器件的应用方向。  相似文献   
5.
KIc 4000-45非对称型IGCT组件的研究   总被引:3,自引:2,他引:1  
概述了新型可关断电力半导体组件IGCT的基本结构,提出了非对称结构IGCT组件的关键技术.详细介绍了新近研制的KIc4000-45非对称型IGCT组件的主要参数和测试及试验结果.  相似文献   
6.
概述了一种新型可关断电力半导体组件--逆导型IGCT的基本结构及相关技术.介绍了新研制成功的1 100A/4 500 V逆导型IGCT的主要参数和测试波形.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号