Keggin结构铬取代的硼钨杂多配合物的电化学性质

杂多配合物由于其组成和结构的多样性以及具有可逆的、多步的、多电子氧化还原特性,使其在电化学和电分析化学领域有着广泛的应用~([1,2]).取代型杂多阴离子可在不影响母体结构的情况下,通过改变杂多配合物的组成使其氧化能力得以调变.因此,研究取代型杂多配合物的氧化还原性质具有一定的理论和实际意义,然而对于Keggin结构过渡金属取代的硼钨酸盐的电化学性质的研究较少~([3]).     

贝壳粉对铅(Ⅱ)吸附性能的研究

制备了不同粒径的贝壳粉,并将此材料作为铅(Ⅱ)的吸附剂,研究贝壳粉的的吸附性能。结果表明:介质pH为7.0时,铅(Ⅱ)的吸附容量随贝壳粉的粒径减小和温度的升高而增大。     

一组Dawson型多金属氧酸盐和相应的有机-无机杂多化合物的超快非线性光学响应(英文)

通过时间分辨率为115fs的超快光克尔方法测量了多金属氧酸盐K₈[P₂Mo₄W₁₃M（H₂O）O₆₁]（M=Mn,Co,Ni,Cu,Zn）和相应的有机-无机杂多化合物(C₁₉H₂₅N₂)₇K₃[P₂Mo₄W₁₃MO₆₂]在830 nm处的三阶非线性光学性质.多金属氧酸盐阴离子和相应的杂多化合物都表现出很大的三阶非线性,其中M=Cu的取代物的非线性系数要比其他小一个数量级.通过比较有机-无机杂多化合物和生成前者的反应物的γ值,发现杂多化合物中的电荷转移效应极大的增强了三阶非线性光学性能.     

一种含芴基的钌(II)配合物的合成及DNA键合性质

合成了一种新的钌(II)配合物[Ru(bpy)2(Hfip)](ClO4)2, 其中bpy代表2,2′-联吡啶, Hfip代表2-(9H-芴-2-基)-1H-咪唑-[4,5-f]-[1,10]-邻菲啰啉. 通过紫外可见光谱、荧光光谱、稳态荧光淬灭、与溴化乙锭的竞争实验、粘度测量和DNA热变性研究了该配合物与小牛胸腺DNA的键合性质. 结果表明, 该配合物能嵌入键合DNA, 键合常数Kb=8.6×105 L·mol-1 (50 mmol·L-1 NaCl).     

K7[P2Mo4W13M(H2O)O61]及其有机复合材料的合成及光谱研究

用降解法制得了Dawson结构铬、铁取代的磷钼钨酸钾,并将其与溴化(E)-N-丁基-4-(2-(4-二甲氨基苯基)乙烯基)吡啶反应制备了有机复合材料.通过元素分析和TG-DTA确定了配合物的组成分别为K7[P2Mo4W13M(H2O)O61](M=Cr(1),Fe(2))和(C19H25N2)6K3[P2Mo4W13MO62](M=Cr(3),Fe(4)).利用红外光谱、紫外-可见光谱、固体漫反射紫外-可见-近红外光谱、X射线光电子能谱以及荧光光谱对上述化合物进行了表征,并研究了复合材料中无机与有机组分间的相互作用及其荧光性质.     

H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物形成的静电自组装多层膜

制备了含有H4SiW12O40和双偶极Ru(II)配合物交替层的一个新颖静电自组装多层膜.用紫外可见光谱、循环伏安学、原子力显微镜对薄膜进行了表征和性质研究.结果表明膜沉积平稳、均匀,所制得的薄膜具有较好的电化学活性.AFM图像表明钌(II)配合物和H4SiW12O40层具有明显不同的微区结构.     

“能干而低调”的钨元素

较为详细地介绍了钨元素的发现历程,钨金属与合金、含钨杂多配合物、氧化钨、碳化钨、钨硫族化合物和含有W-W四重键的化合物的应用。     

一种新型含二茂铁基的多吡啶钌配合物与DNA的相互作用

利用金属配合物与DNA作用前后的光电性质变化探索大分子DNA的结构、构象、生物功能和作用机制之间的规律是无机化学前沿研究热点．Koepf等发现二氯二茂钛[(C6H5)2TiCl2]具有抗肿瘤活性,开创了金属茂类抗癌络合物研究的新领域,大量实验表明：金属茂类化合物不仅具有广泛的抗癌谱,     

具有Dawson结构的钼钒磷杂多酸氧化还原性质的研究

通过SnCl₂电位滴定、极谱和循环伏安方法,详细研究了2:18系列钼钒磷杂多酸H_(6+n)[P₂Mo^13-nV_nO₆₂]·xH₂O(n=1～3)和H^_4+n[P₂Mo_18-nV_nO₆₂H₂]·xH₂O(n=4,5)在溶液中的氧化还原性质,证实它们的还原为三步分别加合n,2,2个电子,同时加合n,2,2个质子的过程,总结了循环伏安峰电位与pH的关系,提出了还原机理。     

一种噻吩基双偶极半菁与普鲁士蓝的静电自组装薄膜

通过交替沉积普鲁士蓝和一种含噻吩的半菁, 制备了一种新的无机-有机杂化静电自组装膜. 用紫外-可见吸收光谱、循环伏安技术和光电化学实验对薄膜进行了表征或光电性质研究. 376和698 nm处薄膜的吸光度随薄膜层数增加线性增加, 表明薄膜的沉积是均匀和可重复的. 薄膜中的普鲁士蓝具有良好的表面控制而非扩散控制的电化学活性, 膜的层数从1增加至5时, 阳极峰电流随膜层数增加而线性增加. 100 mW·cm^-2的白光照射下, 薄膜产生稳定的阴极光电流, 随层数增加线性增长, 层数增加到4层时, 光电流达到最大值. 饱和甘汞电极为参比电极, -0.4 V 偏压下, 4层薄膜产生的光电流密度高达0.28 μA·cm^-2.