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本文对氧化非晶硅磷掺杂的工艺条件进行了研究,得出掺磷氢化非晶硅的电导率随衬底温度、气体流量、气体压力、射频功率、淀积时间的变化关系,为非晶硅的有效掺杂和器件研究提供了依据。 相似文献
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