一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计

介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50～860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4～3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.     

应用于软件无线电接收机中的无源下变频混频器

设计了一个应用于软件无线电接收机中的宽带无源下变频混频器,采用SMIC 0.13μm RF工艺实现,芯片面积0.42 mm<'2>.测试结果表明:在1.2 V电源电压下消耗了9 mA电流,工作频段0.9～2.2 GHz,电压转换增益17 dB,HP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,DSB NF 17.5...     

应用于软件无线电的四阶可重构模拟基带滤波器

本文提出了一个应用于软件无线电的四阶可重构模拟基带滤波器。该滤波器采用有数字辅助的有源RC低通结构,可以灵活地改变滤波器的特性,比如截止频率,选择性,类型,噪声,增益和功耗。为了同时达到优化噪声和调节功耗的目的,这里采用了一种新的可配置运放结构。该芯片采用SMIC 0.13μm CMOS工艺制作。主体滤波器和频率校准电路的面积分别为1.8 × 0.8 mm2和0.48 × 0.25 mm2。测试结果表明,该滤波器可以提供巴特沃斯和切比雪夫两种响应,而且截止频率可以覆盖从280kHz 到15MHz的宽带范围,同时可调增益范围为0dB到18dB。在1.2V的电源电压下获得29dBm的IIP3。根据给定的协议,输入参考噪声密度在41 nV/Hz½ 到133 nV/Hz½之间变化,低频带和高频带模式分别消耗了5.46mW和8.74mW的功耗。     

Analysis and design of a 1.8-2.7 GHz tunable 8-band TDD LTE receiver front-end

This paper describes the analysis and design of a 0.13μm CMOS tunable receiver front-end that supports 8 TDD LTE bands,covering the 1.8-2.7 GHz frequency band and supporting the 5/10/15/20 MHz bandwidth and QPSK/16QAM/64QAM modulation schemes.The novel zero-IF receiver core consists of a tunable narrowband variable gain low-noise amplifier(LNA),a current commutating passive down-conversion mixer with a 2nd order low pass trans-impedance amplifier,an LO divider,a rough gain step variable gain pre-amplifier,a tunable 4th order Chebyshev channel select active-RC low pass filter with cutoff frequency calibration circuit and a fine gain step variable gain amplifier.The LNA can be tuned by reconfiguring the output parallel LC tank to the responding frequency band,eliminating the fixed center frequency multiple LNA array for a multi-mode receiver. The large various gain range and bandwidth of the analog baseband can also be tuned by digital configuration to satisfy the specification requirement of various bandwidth and modulation schemes.The test chip is implemented in an SMIC 0.13μm 1P8M CMOS process.The full receiver achieves 4.6 dB NF,-14.5 dBm out of band IIP3, 30-94 dB gain range and consumes 54 mA with a 1.2 V power supply.     

用于移动支付的高精度高灵敏度时钟恢复电路

介绍了一个应用在移动支付系统里的全集成载波时钟恢复电路。它由一个采样检测模块和一个电荷泵锁相环组成。与传统13.56MHz标签里的时钟恢复电路相比,这个电路能够从开关键控信号里恢复高精度的连续载波时钟。整个芯片由0.18μm EEPROM CMOS工艺制造,工作电压为1.5V。实验结果表明该电路恢复频率的偏移为0.34%,灵敏度为8mV。     

用于射频D类放大器的多模高精度数字脉冲宽度调制器

介绍了一个用于D类放大器的多模高精度数字脉冲宽度调制器。这个调制器基于一个新型混合结构,不但能产生可编程的占空比,而且能通过相位离散调整实现相位调制。基于近场通信中13.56MHz的开关频率,能够取得570ps的脉冲精度。整个芯片由0.18μm EEPROM CMOS工艺实现,整个调制器面积只有130um 180um。测试结果验证了该调制器的多模功能和高精度的脉冲宽度。     

A wideband CMOS VGLNA based on single-to-differential stage and resistive attenuator for TV tuners

A wideband CMOS variable gain low noise amplifier(VGLNA) based on a single-to-differential(S2D) stage and resistive attenuator is presented for TV tuner applications.Detailed analysis of input matching,noise figure(NF) and linearity for S2D is given.A highly linear passive resistive attenuator is proposed to provide 6 dB attenuation and input matching for each gain stage.The chip was fabricated by a 0.18μm 1P6M CMOS process, and the measurements show that the VGLNA covers a gain range over 36.4 dB and achieves a maximum gain of 21.3 dB,a minimum NF of 3.0 dB,an IIP3 of 0.9 dBm and an IIP2 of 26.3 dBm at high gain mode with a power consumption less than 10 mA from a 1.8 V supply.     

一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz。芯片采用0.18μm Mixed signal CMOS工艺实现。测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输入参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm。芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm。     

低成本射频识别标签模拟前端分析与设计

提出一种新的低成本射频识别标签模拟前端,同时兼容ISO 14443A和ISO 14443B协议.相比于传统模拟前端,本设计采用面积更小的单线圈天线代替传统大面积多圈天线,使得标签的封装成本大幅度降低.考虑到单线圈天线的性能降低,设计了一个新的具有高效率低启动电压的电荷泵整流电路.整体电路采用SMIC 0.18μm EEPROM工艺实现,测试结果显示电荷泵驱动120kΩ等效负载时,整流效率达到36%,输入交流幅度仅0.5V时,输出电压达到电路工作电压1V.标签的阅读距离可以达到22cm.     

一种高效率全pMOS结构AC-DC电荷泵

介绍一种全新高性能的AC-DC电荷泵.它采用全pMOS的结构和阈值电压消除技术,使得其效率和输出电压都大幅度的改善.测试结果表明在13.56MHz和lV的输入条件下,相对于传统的MOS二管结构,这种全pMOS电荷泵的效率提高了104%,而输出电压获得125%的提升.