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通过对数据集的不同划分,得到了基于数据集的粒化树。结合关联元素的信息,建立了基于不同数据集粒化树之间的关联关系,确定了两种粒化树中的两条关联链,促成了它们经关联元素的相互联系。由于每一关联链中的粒从粗到细逐步变化,使得关联元素与粒度的逐步细化密切相关,这是粒计算数据处理模式的体现。相关的结论为人才供求问题的算法描述提供了数学模型,并通过实例予以展示。 相似文献
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徐深气田兴城开发区火山岩储层次生溶蚀孔隙研究 总被引:3,自引:0,他引:3
对徐深气田兴城开发区火山岩储层次生溶蚀孔隙进行研究,可为今后该气田的勘探开发工作提供依据。为此,根据岩心、薄片、地球化学等分析资料,对火山岩储层次生溶蚀孔隙的形成机理及分布特征进行了分析。结果发现,次生溶蚀孔隙是该类储层中最重要的储集空间类型之一,主要由晚埋藏成岩阶段有机酸性水与地层中易溶组分(长石)发生溶解作用而形成。进而认为:该区平面上爆发相较溢流相溶蚀孔隙发育,垂向爆发相自下而上表现为空落亚相溶蚀孔隙发育程度低、热激浪亚相溶蚀孔隙较发育,而热碎屑流亚相则溶蚀孔隙最为发育;溢流相溶蚀孔隙发育程度:上部亚相最好、中部亚相较差、下部亚相较好。 相似文献
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为解决智能配电网抢修服务平台中数据质量缺陷对预警抢修精准度产生负面影响的问题,提出一种针对用电信息采集系统停上电信息的数据质量处理方法.首先使用回归方法对数据整体异常率进行辨识,其次依据完整性、唯一性、一致性、准确性各项辨识指标对停上电数据缺陷进行辨识与处理,最后分析最新数据与历史数据之间的显著关系,辅助实现数据时效性辨识.该方法对源数据的质量进行辨识与处理,为后期平台建设中信息集成和故障研判的开发运行提供可靠的数据支撑. 相似文献
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徐深气田兴城开发区营一段火山岩气藏岩性岩相研究 总被引:1,自引:0,他引:1
徐深气田兴城开发区营城组一段火山岩气藏位于松辽盆地北部徐家围子断陷升平-兴城构造带上,储层以酸性火山岩为主,可分为火山熔岩和火山角砾岩两大类。岩相类型有爆发相、溢流相、火山沉积相、火山通道相和侵出相五种类型,其中爆发相和溢流相分布范围广、物性好。是有利的储集相带。根据地震反射参数,从内部反射结构和外部几何形态出发,结合反射同相轴的振幅和连续性,在地震反射剖面上识别出丘状、楔状、亚平行状、柱状和伞状五种地震相类型,这些地震相类型与对应井点处单井相解释结果一致,与岩相类型对应关系明确。在剖面相准确识别的基础上,编制火山岩相平面分布图,为优选建产区块和部署开发井位提供依据。 相似文献
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徐深气田兴城开发区火山岩储层发育控制因素分析 总被引:15,自引:10,他引:5
利用岩心、薄片、分析化验、测井等资料,对徐深气田兴城开发区营城组一段火山岩储层进行了研究,结果表明:天然气主要产自溢流相的气孔流纹岩和爆发相的流纹质火山碎屑岩中,储集空间以气孔、粒间孔、斑晶溶孔、基质溶孔和构造裂缝为主.综合分析认为,储层的发育状况与构造活动、岩性岩相变化及成岩作用等因素密切相关.构造作用产生构造裂缝,形成有效的疏导体系;岩性岩相决定了原生孔隙的发育;成岩作用对原生孔缝进行了改造,其中压实、压溶、熔浆胶结和热液充填作用降低了储层的储渗能力,而溶解作用形成了大量次生溶蚀孔隙,使储层物性得到改善.不同岩性,其储层发育的主要控制因素不同.认识清楚储层发育的控制因素,对储层预测及今后气田的有效开发具有重要意义. 相似文献
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数字信号处理课程教学改革的探索与体会 总被引:3,自引:0,他引:3
针对"数字信号处理"课程实用性强、理论内容丰富但概念抽象难懂等特点,结合我校课程教学实际情况,从教学和实验两个环节进行了改革.在教学环节上精选教学内容、优化教学方法、丰富教学手段、突出概念的物理意义及应用、指导学生有针对性的做题;在实验过程改革考核机制,增加综合设计性实验,注重培养学生理论联系实际、独立分析解决问题的能力.实践表明教学改革取得了较好的效果. 相似文献
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闫林 《微电子学与计算机》2000,17(2):39-41
MOS逻辑门电路的功率损耗与其门电路的输出翻转成正比。在测试过程中,输出节点反转速率远高于正常使用时,很容易造成电路损坏。因此,在测试过程中减少逻辑门输出翻转速率具有重要意义。文章提出减少MOS门输出翻转速率的一些方法,有助于有效解决这一问题。该方法具有实现简单、编程方便等优点。 相似文献
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在传统二端忆阻器的理论基础上,提出了一种四端忆阻器的模型.该器件的4个端口分别对应于MOS场效应晶体管的栅、源、漏和衬底4个极,可以代替数字电路中的MOS晶体管实现电路功能.利用Verilog-A对该模型的电学特性进行了描述,在Hspice软件环境中利用该模型构建了与非、或非等逻辑电路以及1 bit数据的1R-1R随机存取电路,并搭建外围电路对其进行了功能验证,在仿真层面实现了四端忆阻器在数字电路方面的简单应用,实验结果符合预期.作为一种纳米器件,与MOS晶体管相比,四端忆阻器的尺寸更小、功耗更低.在CMOS工艺尺寸渐渐趋于极限的今天,对四端忆阻器的应用是一个具有一定合理性的发展方向. 相似文献