| 对四端忆阻器的建模及其电路仿真 |
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| 引用本文： | 张章,魏亚东,葛志恒,闫林,曾剑敏,刘钢.对四端忆阻器的建模及其电路仿真[J].计算机辅助设计与图形学学报,2021,33(7):1126-1131. |
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| 作者姓名： | 张章 魏亚东 葛志恒 闫林 曾剑敏 刘钢 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 合肥 230009;上海交通大学电子信息与电气工程学院 上海 200240 |
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| 摘 要： | 在传统二端忆阻器的理论基础上,提出了一种四端忆阻器的模型.该器件的4个端口分别对应于MOS场效应晶体管的栅、源、漏和衬底4个极,可以代替数字电路中的MOS晶体管实现电路功能.利用Verilog-A对该模型的电学特性进行了描述,在Hspice软件环境中利用该模型构建了与非、或非等逻辑电路以及1 bit数据的1R-1R随机存取电路,并搭建外围电路对其进行了功能验证,在仿真层面实现了四端忆阻器在数字电路方面的简单应用,实验结果符合预期.作为一种纳米器件,与MOS晶体管相比,四端忆阻器的尺寸更小、功耗更低.在CMOS工艺尺寸渐渐趋于极限的今天,对四端忆阻器的应用是一个具有一定合理性的发展方向.
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| 关 键 词： | 四端忆阻器 逻辑电路 随机存取电路 纳米器件 低功耗 |
Modeling and Circuit Simulation of Four-Terminal Memristor |
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| Zhang Zhang,Wei Yadong,Ge Zhiheng,Yan Lin,Zeng Jianmin,Liu Gang.Modeling and Circuit Simulation of Four-Terminal Memristor[J].Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics,2021,33(7):1126-1131. |
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| Authors: | Zhang Zhang Wei Yadong Ge Zhiheng Yan Lin Zeng Jianmin Liu Gang |
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