聚焦离子束双束系统在微机电系统失效分析中的应用

MEMS惯性传感器是一种将运动物理量转换成电信号的传感器,其工作原理涉及物理学、机械学、微电子学科等。随着MEMS芯片尺寸的不断缩小和性能的不断提高,传统的半导体失效分析方法已很难满足MEMS器件失效分析的需求。本研究结合MEMS器件的工作原理和FIB双束系统的特点,通过聚焦FIB双束系统分析MEMS芯片中3种常见的失效形式,即产品存在漏电流、灵敏度异常和零输入偏差漂移等,分析得出MEMS芯片中常见的几种失效模式包括电极结构损坏、晶圆制造过程中引入的硅颗粒等典型失效模式,在此过程中展现出FIB双束系统在MEMS失效分析中特有的灵活性和优越性。